Diodes - Rectifiers - Single | Discrete Semiconductor Products | 21

GKN240/12

Дел Акција: 2355

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 320A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.4V @ 60A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

S300J

Дел Акција: 2052

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 300A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 300A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

MBR6045

Дел Акција: 5433

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 45V, Тековна - Просечна исправена (Io): 60A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 650mV @ 60A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

S320JR

Дел Акција: 1959

Тип на диода: Standard, Reverse Polarity, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 320A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 300A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

MBRH120100R

Дел Акција: 2683

Тип на диода: Schottky, Reverse Polarity, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Тековна - Просечна исправена (Io): 120A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 840mV @ 120A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

GKN130/04

Дел Акција: 3738

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Тековна - Просечна исправена (Io): 165A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.5V @ 60A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

GKN71/16

Дел Акција: 12880

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 95A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.5V @ 60A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

FR16JR05

Дел Акција: 13647

Тип на диода: Standard, Reverse Polarity, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 16A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 16A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 500ns,

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

FR40B02

Дел Акција: 9617

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Тековна - Просечна исправена (Io): 40A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 40A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 200ns,

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

S150MR

Дел Акција: 2539

Тип на диода: Standard, Reverse Polarity, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1000V, Тековна - Просечна исправена (Io): 150A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 150A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

MURH10040R

Дел Акција: 3710

Тип на диода: Standard, Reverse Polarity, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Тековна - Просечна исправена (Io): 100A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 100A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 90ns,

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

FR85B02

Дел Акција: 7804

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Тековна - Просечна исправена (Io): 85A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.4V @ 85A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 200ns,

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

MBR8020R

Дел Акција: 5366

Тип на диода: Schottky, Reverse Polarity, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 20V, Тековна - Просечна исправена (Io): 80A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 750mV @ 80A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

MURH7005R

Дел Акција: 117

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 50V, Тековна - Просечна исправена (Io): 70A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 70A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 75ns,

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

MBRH12020

Дел Акција: 2900

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 20V, Тековна - Просечна исправена (Io): 120A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 650mV @ 120A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

S70G

Дел Акција: 9616

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Тековна - Просечна исправена (Io): 70A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 70A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

S380Z

Дел Акција: 1964

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 2000V, Тековна - Просечна исправена (Io): 380A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 380A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

MBRH24040R

Дел Акција: 64

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 40V, Тековна - Просечна исправена (Io): 240A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 720mV @ 240A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

S70YR

Дел Акција: 9576

Тип на диода: Standard, Reverse Polarity, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 70A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 70A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

MBRH12035

Дел Акција: 2861

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 35V, Тековна - Просечна исправена (Io): 120A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 650mV @ 120A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

FR20A02

Дел Акција: 9627

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 50V, Тековна - Просечна исправена (Io): 20A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 20A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 200ns,

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

GKN130/12

Дел Акција: 3687

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 165A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.5V @ 60A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

MBRH240150

Дел Акција: 50

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 150V, Тековна - Просечна исправена (Io): 240A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 880mV @ 240A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

MBRH120100

Дел Акција: 2716

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Тековна - Просечна исправена (Io): 120A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 840mV @ 120A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

GKR71/14

Дел Акција: 9573

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1400V, Тековна - Просечна исправена (Io): 95A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.5V @ 60A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

S6J

Дел Акција: 18937

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 6A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 6A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

MBR7530

Дел Акција: 5447

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 30V, Тековна - Просечна исправена (Io): 75A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 650mV @ 75A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

GKN240/14

Дел Акција: 2352

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1400V, Тековна - Просечна исправена (Io): 320A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.4V @ 60A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

SD41

Дел Акција: 6564

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 35V, Тековна - Просечна исправена (Io): 30A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 680mV @ 30A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

S150J

Дел Акција: 2509

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 150A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 150A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

FR16BR05

Дел Акција: 12966

Тип на диода: Standard, Reverse Polarity, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Тековна - Просечна исправена (Io): 16A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 16A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 500ns,

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

FR70MR05

Дел Акција: 9655

Тип на диода: Standard, Reverse Polarity, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1000V, Тековна - Просечна исправена (Io): 70A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.4V @ 70A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 500ns,

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

FR40K05

Дел Акција: 9575

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 800V, Тековна - Просечна исправена (Io): 40A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 40A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 500ns,

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

FR30KR05

Дел Акција: 9582

Тип на диода: Standard, Reverse Polarity, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 800V, Тековна - Просечна исправена (Io): 30A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 30A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 500ns,

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

MUR7005R

Дел Акција: 7621

Тип на диода: Standard, Reverse Polarity, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 50V, Тековна - Просечна исправена (Io): 70A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 70A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 75ns,

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

FR40G05

Дел Акција: 9612

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Тековна - Просечна исправена (Io): 40A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 40A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 500ns,

Листа на желби.