Menu
МакедонскиМакедонски
Rfqs / цел
0Rfqs / цел

Diodes - Rectifiers - Single

  • Дома
  •  
  • Diodes - Rectifiers - Single
S400KR
GeneSiC Semiconductor

S400KR

Дел Акција: 2009

Тип на диода: Standard, Reverse Polarity, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 800V, Тековна - Просечна исправена (Io): 400A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 400A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
SD4145
GeneSiC Semiconductor

SD4145

Дел Акција: 6509

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 45V, Тековна - Просечна исправена (Io): 30A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 680mV @ 30A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
FR12M05
GeneSiC Semiconductor

FR12M05

Дел Акција: 9525

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1000V, Тековна - Просечна исправена (Io): 12A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 800mV @ 12A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 500ns,

Листа на желби.
S85YR
GeneSiC Semiconductor

S85YR

Дел Акција: 7151

Тип на диода: Standard, Reverse Polarity, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 85A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 85A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
GB02SLT12-214
GeneSiC Semiconductor

GB02SLT12-214

Дел Акција: 28962

Тип на диода: Silicon Carbide Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 2A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.8V @ 1A, Брзина: No Recovery Time > 500mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 0ns,

Листа на желби.
GB01SLT06-214
GeneSiC Semiconductor

GB01SLT06-214

Дел Акција: 37909

Тип на диода: Silicon Carbide Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 650V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 2V @ 1A, Брзина: No Recovery Time > 500mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 0ns,

Листа на желби.
GB02SHT01-46
GeneSiC Semiconductor

GB02SHT01-46

Дел Акција: 1555

Тип на диода: Silicon Carbide Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Тековна - Просечна исправена (Io): 4A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.6V @ 1A, Брзина: No Recovery Time > 500mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 0ns,

Листа на желби.
S40Q
GeneSiC Semiconductor

S40Q

Дел Акција: 7175

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 40A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 40A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
FR85JR02
GeneSiC Semiconductor

FR85JR02

Дел Акција: 5989

Тип на диода: Standard, Reverse Polarity, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 85A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.4V @ 85A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 250ns,

Листа на желби.
FR70G02
GeneSiC Semiconductor

FR70G02

Дел Акција: 9642

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Тековна - Просечна исправена (Io): 70A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.4V @ 70A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 200ns,

Листа на желби.
GB20SLT12-247
GeneSiC Semiconductor

GB20SLT12-247

Дел Акција: 2856

Тип на диода: Silicon Carbide Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 20A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 2V @ 20A, Брзина: No Recovery Time > 500mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 0ns,

Листа на желби.
S300YR
GeneSiC Semiconductor

S300YR

Дел Акција: 1824

Тип на диода: Standard, Reverse Polarity, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 300A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 300A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
S40B
GeneSiC Semiconductor

S40B

Дел Акција: 11196

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Тековна - Просечна исправена (Io): 40A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 40A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
GB02SLT12-220
GeneSiC Semiconductor

GB02SLT12-220

Дел Акција: 17999

Тип на диода: Silicon Carbide Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 2A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.8V @ 2A, Брзина: No Recovery Time > 500mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 0ns,

Листа на желби.
MBR8045R
GeneSiC Semiconductor

MBR8045R

Дел Акција: 4212

Тип на диода: Schottky, Reverse Polarity, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 45V, Тековна - Просечна исправена (Io): 80A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 650mV @ 80A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
FR30J02
GeneSiC Semiconductor

FR30J02

Дел Акција: 7131

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 30A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 30A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 200ns,

Листа на желби.
MBRH20045
GeneSiC Semiconductor

MBRH20045

Дел Акција: 2177

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 45V, Тековна - Просечна исправена (Io): 200A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 650mV @ 200A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
S85VR
GeneSiC Semiconductor

S85VR

Дел Акција: 7084

Тип на диода: Standard, Reverse Polarity, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1400V, Тековна - Просечна исправена (Io): 85A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 85A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
MBR3560R
GeneSiC Semiconductor

MBR3560R

Дел Акција: 4392

Тип на диода: Schottky, Reverse Polarity, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 60V, Тековна - Просечна исправена (Io): 35A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 750mV @ 35A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
FR85JR05
GeneSiC Semiconductor

FR85JR05

Дел Акција: 5997

Тип на диода: Standard, Reverse Polarity, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 85A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.4V @ 85A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 500ns,

Листа на желби.
S85Q
GeneSiC Semiconductor

S85Q

Дел Акција: 7124

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 85A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 85A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
S40KR
GeneSiC Semiconductor

S40KR

Дел Акција: 8348

Тип на диода: Standard, Reverse Polarity, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 800V, Тековна - Просечна исправена (Io): 40A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 40A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
FR40G02
GeneSiC Semiconductor

FR40G02

Дел Акција: 7130

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Тековна - Просечна исправена (Io): 40A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 40A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 200ns,

Листа на желби.
MBRH12040R
GeneSiC Semiconductor

MBRH12040R

Дел Акција: 2457

Тип на диода: Schottky, Reverse Polarity, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 40V, Тековна - Просечна исправена (Io): 120A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 700mV @ 120A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
GB02SHT03-46
GeneSiC Semiconductor

GB02SHT03-46

Дел Акција: 1505

Тип на диода: Silicon Carbide Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 300V, Тековна - Просечна исправена (Io): 4A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.6V @ 1A, Брзина: No Recovery Time > 500mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 0ns,

Листа на желби.
MBRH20045R
GeneSiC Semiconductor

MBRH20045R

Дел Акција: 2179

Тип на диода: Schottky, Reverse Polarity, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 45V, Тековна - Просечна исправена (Io): 200A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 700mV @ 200A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
GB50SLT12-247
GeneSiC Semiconductor

GB50SLT12-247

Дел Акција: 771

Тип на диода: Silicon Carbide Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 50A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.8V @ 50A, Брзина: No Recovery Time > 500mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 0ns,

Листа на желби.
FR40KR05
GeneSiC Semiconductor

FR40KR05

Дел Акција: 7134

Тип на диода: Standard, Reverse Polarity, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 800V, Тековна - Просечна исправена (Io): 40A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 40A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 500ns,

Листа на желби.
FR20GR02
GeneSiC Semiconductor

FR20GR02

Дел Акција: 7177

Тип на диода: Standard, Reverse Polarity, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Тековна - Просечна исправена (Io): 20A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 20A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 200ns,

Листа на желби.
GB02SHT06-46
GeneSiC Semiconductor

GB02SHT06-46

Дел Акција: 1373

Тип на диода: Silicon Carbide Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 4A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.6V @ 1A, Брзина: No Recovery Time > 500mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 0ns,

Листа на желби.
FR70GR02
GeneSiC Semiconductor

FR70GR02

Дел Акција: 7175

Тип на диода: Standard, Reverse Polarity, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Тековна - Просечна исправена (Io): 70A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.4V @ 70A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 200ns,

Листа на желби.
FR30G02
GeneSiC Semiconductor

FR30G02

Дел Акција: 7099

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Тековна - Просечна исправена (Io): 30A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 30A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 200ns,

Листа на желби.
S85JR
GeneSiC Semiconductor

S85JR

Дел Акција: 7155

Тип на диода: Standard, Reverse Polarity, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 85A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 85A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
MBR3545
GeneSiC Semiconductor

MBR3545

Дел Акција: 4428

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 45V, Тековна - Просечна исправена (Io): 35A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 680mV @ 35A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
S300Y
GeneSiC Semiconductor

S300Y

Дел Акција: 1833

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 300A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 300A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
S85J
GeneSiC Semiconductor

S85J

Дел Акција: 7670

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 85A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 85A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.