Diodes - Rectifiers - Single

Дома
Diodes - Rectifiers - Single

GeneSiC Semiconductor

1N3291AR

Дел Акција: 3417

Тип на диода: Standard, Reverse Polarity, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Тековна - Просечна исправена (Io): 100A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.5V @ 100A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

1N3891R

Дел Акција: 16921

Тип на диода: Standard, Reverse Polarity, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 12A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.4V @ 12A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 200ns,

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

1N4590R

Дел Акција: 3412

Тип на диода: Standard, Reverse Polarity, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Тековна - Просечна исправена (Io): 150A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.5V @ 150A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

1N3880R

Дел Акција: 13811

Тип на диода: Standard, Reverse Polarity, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Тековна - Просечна исправена (Io): 6A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.4V @ 6A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 200ns,

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

1N3209

Дел Акција: 13529

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Тековна - Просечна исправена (Io): 15A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.5V @ 15A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

1N3213

Дел Акција: 11107

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 500V, Тековна - Просечна исправена (Io): 15A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.5V @ 15A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

1N3880

Дел Акција: 14083

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Тековна - Просечна исправена (Io): 6A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.4V @ 6A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 200ns,

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

1N2129AR

Дел Акција: 13690

Тип на диода: Standard, Reverse Polarity, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Тековна - Просечна исправена (Io): 60A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 60A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

1N4594R

Дел Акција: 3438

Тип на диода: Standard, Reverse Polarity, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1000V, Тековна - Просечна исправена (Io): 150A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.5V @ 150A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

1N3767

Дел Акција: 9608

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 900V, Тековна - Просечна исправена (Io): 35A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 35A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

1N2135A

Дел Акција: 9653

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Тековна - Просечна исправена (Io): 60A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 60A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

1N3673A

Дел Акција: 14041

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1000V, Тековна - Просечна исправена (Io): 12A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 12A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

1N1183

Дел Акција: 10080

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 50V, Тековна - Просечна исправена (Io): 35A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 35A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

1N2137A

Дел Акција: 9613

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 500V, Тековна - Просечна исправена (Io): 60A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 60A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

1N2128A

Дел Акција: 11407

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 50V, Тековна - Просечна исправена (Io): 60A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 60A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

1N5830R

Дел Акција: 5593

Тип на диода: Schottky, Reverse Polarity, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 25V, Тековна - Просечна исправена (Io): 25A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 580mV @ 25A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

1N1200AR

Дел Акција: 33046

Тип на диода: Standard, Reverse Polarity, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Тековна - Просечна исправена (Io): 12A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 12A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

1N3291A

Дел Акција: 3466

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Тековна - Просечна исправена (Io): 100A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.5V @ 100A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

1N5830

Дел Акција: 5574

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 25V, Тековна - Просечна исправена (Io): 25A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 580mV @ 25A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

1N5827

Дел Акција: 5625

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 30V, Тековна - Просечна исправена (Io): 15A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 470mV @ 15A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

1N2138A

Дел Акција: 10413

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 60A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 60A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

150K20A

Дел Акција: 3464

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 150A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.33V @ 150A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

1N5829

Дел Акција: 5641

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 20V, Тековна - Просечна исправена (Io): 25A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 580mV @ 25A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

1N4593

Дел Акција: 3414

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 800V, Тековна - Просечна исправена (Io): 150A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.5V @ 150A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

1N1202A

Дел Акција: 14566

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 12A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 12A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

150K60A

Дел Акција: 3470

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 150A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.33V @ 150A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

1N6098R

Дел Акција: 5580

Тип на диода: Schottky, Reverse Polarity, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 40V, Тековна - Просечна исправена (Io): 50A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 700mV @ 50A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

1N1184R

Дел Акција: 12133

Тип на диода: Standard, Reverse Polarity, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Тековна - Просечна исправена (Io): 35A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 35A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

1N1199AR

Дел Акција: 23979

Тип на диода: Standard, Reverse Polarity, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 50V, Тековна - Просечна исправена (Io): 12A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 12A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

1N3294A

Дел Акција: 3476

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 800V, Тековна - Просечна исправена (Io): 100A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.5V @ 100A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

150KR40A

Дел Акција: 3450

Тип на диода: Standard, Reverse Polarity, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Тековна - Просечна исправена (Io): 150A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.33V @ 150A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

1N3767R

Дел Акција: 9573

Тип на диода: Standard, Reverse Polarity, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 900V, Тековна - Просечна исправена (Io): 35A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 35A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

1N2131A

Дел Акција: 8790

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 60A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 60A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

1N1183AR

Дел Акција: 10983

Тип на диода: Standard, Reverse Polarity, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 50V, Тековна - Просечна исправена (Io): 40A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 40A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

1N3297AR

Дел Акција: 3413

Тип на диода: Standard, Reverse Polarity, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1400V, Тековна - Просечна исправена (Io): 100A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.5V @ 100A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

1N3289A

Дел Акција: 3418

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 100A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.5V @ 100A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

745

«
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
»