Diodes - Rectifiers - Single

Дома
Diodes - Rectifiers - Single

GeneSiC Semiconductor

1N3889

Дел Акција: 12061

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 50V, Тековна - Просечна исправена (Io): 12A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.4V @ 12A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 200ns,

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

1N3893R

Дел Акција: 9557

Тип на диода: Standard, Reverse Polarity, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 12A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.4V @ 12A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 200ns,

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

1N1188R

Дел Акција: 14337

Тип на диода: Standard, Reverse Polarity, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Тековна - Просечна исправена (Io): 35A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 35A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

1N2131AR

Дел Акција: 7092

Тип на диода: Standard, Reverse Polarity, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 60A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 60A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

1N1200A

Дел Акција: 15967

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Тековна - Просечна исправена (Io): 12A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 12A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

1N1190AR

Дел Акција: 10679

Тип на диода: Standard, Reverse Polarity, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 40A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 40A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

1N1190A

Дел Акција: 11089

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 40A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 40A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

1N2138AR

Дел Акција: 7743

Тип на диода: Standard, Reverse Polarity, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 60A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 60A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

1N1186A

Дел Акција: 11112

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 40A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 40A,

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

1N3768R

Дел Акција: 7145

Тип на диода: Standard, Reverse Polarity, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1000V, Тековна - Просечна исправена (Io): 35A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 35A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

1N2130AR

Дел Акција: 10388

Тип на диода: Standard, Reverse Polarity, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 150V, Тековна - Просечна исправена (Io): 60A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 60A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

1N3892

Дел Акција: 11891

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Тековна - Просечна исправена (Io): 12A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.4V @ 12A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 200ns,

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

1N3879

Дел Акција: 12395

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 50V, Тековна - Просечна исправена (Io): 6A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.4V @ 6A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 200ns,

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

1N3881R

Дел Акција: 11499

Тип на диода: Standard, Reverse Polarity, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 6A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.4V @ 6A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 200ns,

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

1N3881

Дел Акција: 12277

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 6A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.4V @ 6A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 200ns,

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

1N3883

Дел Акција: 9906

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Тековна - Просечна исправена (Io): 6A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.4V @ 6A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 200ns,

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

1N3879R

Дел Акција: 15729

Тип на диода: Standard, Reverse Polarity, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 50V, Тековна - Просечна исправена (Io): 6A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.4V @ 6A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 200ns,

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

1N3892R

Дел Акција: 11929

Тип на диода: Standard, Reverse Polarity, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Тековна - Просечна исправена (Io): 12A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.4V @ 12A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 200ns,

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

1N3883R

Дел Акција: 9515

Тип на диода: Standard, Reverse Polarity, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Тековна - Просечна исправена (Io): 6A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.4V @ 6A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 200ns,

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

1N8035-GA

Дел Акција: 457

Тип на диода: Silicon Carbide Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 650V, Тековна - Просечна исправена (Io): 14.6A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.5V @ 15A, Брзина: No Recovery Time > 500mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 0ns,

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

1N8034-GA

Дел Акција: 435

Тип на диода: Silicon Carbide Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 650V, Тековна - Просечна исправена (Io): 9.4A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.34V @ 10A, Брзина: No Recovery Time > 500mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 0ns,

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

1N8028-GA

Дел Акција: 456

Тип на диода: Silicon Carbide Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 9.4A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.6V @ 10A, Брзина: No Recovery Time > 500mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 0ns,

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

1N8031-GA

Дел Акција: 472

Тип на диода: Silicon Carbide Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 650V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.5V @ 1A, Брзина: No Recovery Time > 500mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 0ns,

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

1N3889R

Дел Акција: 12088

Тип на диода: Standard, Reverse Polarity, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 50V, Тековна - Просечна исправена (Io): 12A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.4V @ 12A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 200ns,

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

1N8033-GA

Дел Акција: 413

Тип на диода: Silicon Carbide Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 650V, Тековна - Просечна исправена (Io): 4.3A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.65V @ 5A, Брзина: No Recovery Time > 500mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 0ns,

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

MBR3530R

Дел Акција: 5706

Тип на диода: Schottky, Reverse Polarity, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 30V, Тековна - Просечна исправена (Io): 35A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 680mV @ 35A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

SD4145R

Дел Акција: 6557

Тип на диода: Schottky, Reverse Polarity, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 45V, Тековна - Просечна исправена (Io): 30A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 680mV @ 30A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

S40MR

Дел Акција: 9616

Тип на диода: Standard, Reverse Polarity, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1000V, Тековна - Просечна исправена (Io): 40A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 40A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

S150Q

Дел Акција: 2529

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 150A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 150A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

MBR8060R

Дел Акција: 5428

Тип на диода: Schottky, Reverse Polarity, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 60V, Тековна - Просечна исправена (Io): 80A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 750mV @ 80A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

MBR6035

Дел Акција: 5414

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 35V, Тековна - Просечна исправена (Io): 60A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 650mV @ 60A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

MBRH12030

Дел Акција: 2907

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 30V, Тековна - Просечна исправена (Io): 120A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 650mV @ 120A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

S300B

Дел Акција: 2041

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Тековна - Просечна исправена (Io): 300A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 300A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

S380ZR

Дел Акција: 2007

Тип на диода: Standard, Reverse Polarity, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 2000V, Тековна - Просечна исправена (Io): 380A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 380A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

FR12DR05

Дел Акција: 16846

Тип на диода: Standard, Reverse Polarity, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 12A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 800mV @ 12A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 500ns,

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

MURH7010

Дел Акција: 31

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Тековна - Просечна исправена (Io): 70A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 70A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 75ns,

Листа на желби.

745

«
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
»