Diodes - Rectifiers - Single

Дома
Diodes - Rectifiers - Single

GeneSiC Semiconductor

1N1184AR

Дел Акција: 15082

Тип на диода: Standard, Reverse Polarity, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Тековна - Просечна исправена (Io): 40A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 40A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

1N3295A

Дел Акција: 3423

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1000V, Тековна - Просечна исправена (Io): 100A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.5V @ 100A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

1N1189R

Дел Акција: 63

Тип на диода: Standard, Reverse Polarity, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 35A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 35A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

1N6095

Дел Акција: 5630

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 30V, Тековна - Просечна исправена (Io): 25A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 580mV @ 25A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

1N4588R

Дел Акција: 3431

Тип на диода: Standard, Reverse Polarity, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 150A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.5V @ 150A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

1N3882R

Дел Акција: 13616

Тип на диода: Standard, Reverse Polarity, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 300V, Тековна - Просечна исправена (Io): 6A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.4V @ 6A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 200ns,

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

1N3296AR

Дел Акција: 3451

Тип на диода: Standard, Reverse Polarity, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 100A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.5V @ 100A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

1N2129A

Дел Акција: 10804

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Тековна - Просечна исправена (Io): 60A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 60A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

1N6097

Дел Акција: 5607

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 30V, Тековна - Просечна исправена (Io): 50A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 700mV @ 50A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

1N3212

Дел Акција: 14924

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Тековна - Просечна исправена (Io): 15A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.5V @ 15A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

1N3765R

Дел Акција: 9630

Тип на диода: Standard, Reverse Polarity, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 700V, Тековна - Просечна исправена (Io): 35A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 35A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

1N1190

Дел Акција: 10824

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 35A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 35A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

1N3766R

Дел Акција: 9633

Тип на диода: Standard, Reverse Polarity, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 800V, Тековна - Просечна исправена (Io): 35A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 35A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

1N5833R

Дел Акција: 5570

Тип на диода: Schottky, Reverse Polarity, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 30V, Тековна - Просечна исправена (Io): 40A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 550mV @ 40A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

1N1186

Дел Акција: 13872

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 35A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 35A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

1N4588

Дел Акција: 3389

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 150A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.5V @ 150A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

1N3671A

Дел Акција: 13788

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 800V, Тековна - Просечна исправена (Io): 12A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 12A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

1N3890

Дел Акција: 15975

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Тековна - Просечна исправена (Io): 12A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.4V @ 12A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 200ns,

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

1N5832R

Дел Акција: 5637

Тип на диода: Schottky, Reverse Polarity, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 20V, Тековна - Просечна исправена (Io): 40A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 520mV @ 40A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

150KR20A

Дел Акција: 3465

Тип на диода: Standard, Reverse Polarity, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 150A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.33V @ 150A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

1N3210R

Дел Акција: 14992

Тип на диода: Standard, Reverse Polarity, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 15A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.5V @ 15A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

1N1189

Дел Акција: 11471

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 35A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 35A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

1N3296A

Дел Акција: 3452

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 100A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.5V @ 100A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

1N6096R

Дел Акција: 5597

Тип на диода: Schottky, Reverse Polarity, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 40V, Тековна - Просечна исправена (Io): 25A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 580mV @ 25A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

1N5826

Дел Акција: 5569

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 20V, Тековна - Просечна исправена (Io): 15A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 440mV @ 15A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

1N5826R

Дел Акција: 5576

Тип на диода: Schottky, Reverse Polarity, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 20V, Тековна - Просечна исправена (Io): 15A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 440mV @ 15A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

1N1187

Дел Акција: 14520

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 300V, Тековна - Просечна исправена (Io): 35A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 35A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

1N5827R

Дел Акција: 5573

Тип на диода: Schottky, Reverse Polarity, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 30V, Тековна - Просечна исправена (Io): 15A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 470mV @ 15A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

1N3289AR

Дел Акција: 3442

Тип на диода: Standard, Reverse Polarity, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 100A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.5V @ 100A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

1N3208

Дел Акција: 10062

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 50V, Тековна - Просечна исправена (Io): 15A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.5V @ 15A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

1N4593R

Дел Акција: 3446

Тип на диода: Standard, Reverse Polarity, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 800V, Тековна - Просечна исправена (Io): 150A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.5V @ 150A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

1N5833

Дел Акција: 5595

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 30V, Тековна - Просечна исправена (Io): 40A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 550mV @ 40A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

1N3212R

Дел Акција: 13593

Тип на диода: Standard, Reverse Polarity, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Тековна - Просечна исправена (Io): 15A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.5V @ 15A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

1N8032-GA

Дел Акција: 411

Тип на диода: Silicon Carbide Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 650V, Тековна - Просечна исправена (Io): 2.5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 2.5A, Брзина: No Recovery Time > 500mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 0ns,

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

1N3765

Дел Акција: 9603

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 700V, Тековна - Просечна исправена (Io): 35A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 35A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

1N2130A

Дел Акција: 13757

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 150V, Тековна - Просечна исправена (Io): 60A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 60A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

745

«
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
»