Menu
МакедонскиМакедонски
Rfqs / цел
0Rfqs / цел

Transistors - FETs, MOSFETs - Single

  • Дома
  •  
  • Transistors - FETs, MOSFETs - Single
BSC200P03LSGAUMA1
Infineon Technologies

BSC200P03LSGAUMA1

Дел Акција: 884

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 9.9A (Ta), 12.5A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 12.5A, 10V,

Листа на желби.
BSS215PL6327HTSA1
Infineon Technologies

BSS215PL6327HTSA1

Дел Акција: 873

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 20V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 1.5A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 1.5A, 4.5V,

Листа на желби.
BSS315PL6327HTSA1
Infineon Technologies

BSS315PL6327HTSA1

Дел Акција: 914

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 1.5A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 1.5A, 10V,

Листа на желби.
BSO130N03MSGXUMA1
Infineon Technologies

BSO130N03MSGXUMA1

Дел Акција: 855

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 9A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 11.1A, 10V,

Листа на желби.
BSS83PL6327HTSA1
Infineon Technologies

BSS83PL6327HTSA1

Дел Акција: 886

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 60V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 330mA (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 330mA, 10V,

Листа на желби.
BSS7728NL6327HTSA1
Infineon Technologies

BSS7728NL6327HTSA1

Дел Акција: 6115

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 60V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 200mA (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

Листа на желби.
BSS84PL6433HTMA1
Infineon Technologies

BSS84PL6433HTMA1

Дел Акција: 768

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 60V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 170mA (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 170mA, 10V,

Листа на желби.
BSS670S2LL6327HTSA1
Infineon Technologies

BSS670S2LL6327HTSA1

Дел Акција: 5631

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 55V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 540mA (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650 mOhm @ 270mA, 10V,

Листа на желби.
BSS308PEL6327HTSA1
Infineon Technologies

BSS308PEL6327HTSA1

Дел Акција: 747

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 2A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 2A, 10V,

Листа на желби.
BSS316NL6327HTSA1
Infineon Technologies

BSS316NL6327HTSA1

Дел Акција: 804

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 1.4A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 1.4A, 10V,

Листа на желби.
BSS214NW L6327
Infineon Technologies

BSS214NW L6327

Дел Акција: 6119

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 20V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 1.5A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140 mOhm @ 1.5A, 4.5V,

Листа на желби.
BSS306NL6327HTSA1
Infineon Technologies

BSS306NL6327HTSA1

Дел Акција: 6076

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 2.3A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57 mOhm @ 2.3A, 10V,

Листа на желби.
BSS214NL6327HTSA1
Infineon Technologies

BSS214NL6327HTSA1

Дел Акција: 803

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 20V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 1.5A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140 mOhm @ 1.5A, 4.5V,

Листа на желби.
BSS209PW L6327
Infineon Technologies

BSS209PW L6327

Дел Акција: 817

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 20V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 580mA (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 580mA, 4.5V,

Листа на желби.
BSS169L6327HTSA1
Infineon Technologies

BSS169L6327HTSA1

Дел Акција: 722

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 100V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 170mA (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 0V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 170mA, 10V,

Листа на желби.
BSS159NL6327HTSA1
Infineon Technologies

BSS159NL6327HTSA1

Дел Акција: 719

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 60V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 230mA (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 0V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 160mA, 10V,

Листа на желби.
BSS139L6327HTSA1
Infineon Technologies

BSS139L6327HTSA1

Дел Акција: 783

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 250V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 100mA (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 0V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 Ohm @ 0.1mA, 10V,

Листа на желби.
BSS139L6906HTSA1
Infineon Technologies

BSS139L6906HTSA1

Дел Акција: 765

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 250V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 100mA (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 0V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 Ohm @ 0.1mA, 10V,

Листа на желби.
BSS138W L6327
Infineon Technologies

BSS138W L6327

Дел Акција: 784

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 60V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 280mA (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 220mA, 10V,

Листа на желби.
BSS138W L6433
Infineon Technologies

BSS138W L6433

Дел Акција: 726

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 60V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 280mA (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 220mA, 10V,

Листа на желби.
BSS127L6327HTSA1
Infineon Technologies

BSS127L6327HTSA1

Дел Акција: 810

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 600V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 21mA (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500 Ohm @ 16mA, 10V,

Листа на желби.
BSS138NL6433HTMA1
Infineon Technologies

BSS138NL6433HTMA1

Дел Акција: 726

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 60V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 230mA (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 230mA, 10V,

Листа на желби.
BSS126L6327HTSA1
Infineon Technologies

BSS126L6327HTSA1

Дел Акција: 754

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 600V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 21mA (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 0V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500 Ohm @ 16mA, 10V,

Листа на желби.
BSS126L6906HTSA1
Infineon Technologies

BSS126L6906HTSA1

Дел Акција: 769

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 600V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 21mA (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 0V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500 Ohm @ 16mA, 10V,

Листа на желби.
BSR92PL6327HTSA1
Infineon Technologies

BSR92PL6327HTSA1

Дел Акција: 734

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 250V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 140mA (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 2.8V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 Ohm @ 140mA, 10V,

Листа на желби.
BSS119L6327HTSA1
Infineon Technologies

BSS119L6327HTSA1

Дел Акција: 792

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 100V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 170mA (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 170mA, 10V,

Листа на желби.
BSR316PL6327HTSA1
Infineon Technologies

BSR316PL6327HTSA1

Дел Акција: 775

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 100V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 360mA (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8 Ohm @ 360mA, 10V,

Листа на желби.
BSP322PL6327HTSA1
Infineon Technologies

BSP322PL6327HTSA1

Дел Акција: 811

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 100V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 1A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800 mOhm @ 1A, 10V,

Листа на желби.
BSP321PL6327HTSA1
Infineon Technologies

BSP321PL6327HTSA1

Дел Акција: 714

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 100V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 980mA (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900 mOhm @ 980mA, 10V,

Листа на желби.
BSF045N03MQ3 G
Infineon Technologies

BSF045N03MQ3 G

Дел Акција: 777

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 18A (Ta), 63A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 20A, 10V,

Листа на желби.
BSC152N10NSFGATMA1
Infineon Technologies

BSC152N10NSFGATMA1

Дел Акција: 801

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 100V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 9.4A (Ta), 63A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.2 mOhm @ 25A, 10V,

Листа на желби.
BSP89H6327XTSA1
Infineon Technologies

BSP89H6327XTSA1

Дел Акција: 183471

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 240V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 350mA (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 350mA, 10V,

Листа на желби.
BSP92PH6327XTSA1
Infineon Technologies

BSP92PH6327XTSA1

Дел Акција: 175847

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 250V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 260mA (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 2.8V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 Ohm @ 260mA, 10V,

Листа на желби.
BSP170PH6327XTSA1
Infineon Technologies

BSP170PH6327XTSA1

Дел Акција: 177989

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 60V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 1.9A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 1.9A, 10V,

Листа на желби.
BSS225H6327FTSA1
Infineon Technologies

BSS225H6327FTSA1

Дел Акција: 122139

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 600V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 90mA (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 Ohm @ 90mA, 10V,

Листа на желби.
BSS131L6327HTSA1
Infineon Technologies

BSS131L6327HTSA1

Дел Акција: 673

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 240V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 110mA (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 Ohm @ 100mA, 10V,

Листа на желби.