Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Дома
Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Infineon Technologies

BSS138N E8004

Дел Акција: 164

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 60V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 230mA (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 230mA, 10V,

Листа на желби.

Infineon Technologies

BSS138N E7854

Дел Акција: 6034

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 60V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 230mA (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 230mA, 10V,

Листа на желби.

Infineon Technologies

BSS138N E6908

Дел Акција: 6083

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 60V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 230mA (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 230mA, 10V,

Листа на желби.

Infineon Technologies

BSS138N E6433

Дел Акција: 174

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 60V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 230mA (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 230mA, 10V,

Листа на желби.

Infineon Technologies

BSS127 E6327

Дел Акција: 172

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 600V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 21mA (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500 Ohm @ 16mA, 10V,

Листа на желби.

Infineon Technologies

BSS126 E6906

Дел Акција: 106

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 600V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 21mA (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 0V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500 Ohm @ 16mA, 10V,

Листа на желби.

Infineon Technologies

BSS126 E6327

Дел Акција: 152

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 600V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 21mA (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 0V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500 Ohm @ 16mA, 10V,

Листа на желби.

Infineon Technologies

BSS123L7874XT

Дел Акција: 161

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 100V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 170mA (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 170mA, 10V,

Листа на желби.

Infineon Technologies

BSS119 E7978

Дел Акција: 169

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 100V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 170mA (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 170mA, 10V,

Листа на желби.

Infineon Technologies

BSS123 E6433

Дел Акција: 169

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 100V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 170mA (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 170mA, 10V,

Листа на желби.

Infineon Technologies

BSS119 E7796

Дел Акција: 122

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 100V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 170mA (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 170mA, 10V,

Листа на желби.

Infineon Technologies

BSS119 E6433

Дел Акција: 145

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 100V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 170mA (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 170mA, 10V,

Листа на желби.

Infineon Technologies

BSP92P E6327

Дел Акција: 140

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 250V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 260mA (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 2.8V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 Ohm @ 260mA, 10V,

Листа на желби.

Infineon Technologies

BSP615S2L

Дел Акција: 129

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 55V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 2.8A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 1.4A, 10V,

Листа на желби.

Infineon Technologies

BSP613P

Дел Акција: 153

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 60V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 2.9A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 2.9A, 10V,

Листа на желби.

Infineon Technologies

BSP373 E6327

Дел Акција: 119

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 100V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 1.7A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 1.7A, 10V,

Листа на желби.

Infineon Technologies

BSP324 E6327

Дел Акција: 172

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 400V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 170mA (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 Ohm @ 170mA, 10V,

Листа на желби.

Infineon Technologies

BSP372 E6327

Дел Акција: 155

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 100V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 1.7A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310 mOhm @ 1.7A, 5V,

Листа на желби.

Infineon Technologies

BSP320S E6433

Дел Акција: 110

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 60V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 2.9A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 2.9A, 10V,

Листа на желби.

Infineon Technologies

BSP320S E6327

Дел Акција: 88

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 60V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 2.9A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 2.9A, 10V,

Листа на желби.

BSP300L6327HUSA1

Infineon Technologies

BSP300L6327HUSA1

Дел Акција: 138

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 800V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 190mA (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 Ohm @ 190mA, 10V,

Листа на желби.

Infineon Technologies

BSP318S E6327

Дел Акција: 158

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 60V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 2.6A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.6A, 10V,

Листа на желби.

Infineon Technologies

BSP300 E6327

Дел Акција: 95

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 800V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 190mA (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 Ohm @ 190mA, 10V,

Листа на желби.

Infineon Technologies

BSP299 E6327

Дел Акција: 166

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 500V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 400mA (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 400mA, 10V,

Листа на желби.

Infineon Technologies

BSP298 E6327

Дел Акција: 6031

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 400V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 500mA (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 500mA, 10V,

Листа на желби.

BSP298L6327HUSA1

Infineon Technologies

BSP298L6327HUSA1

Дел Акција: 5657

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 400V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 500mA (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 500mA, 10V,

Листа на желби.

Infineon Technologies

BSP296 E6433

Дел Акција: 127

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 100V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 1.1A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 1.1A, 10V,

Листа на желби.

Infineon Technologies

BSP297 E6327

Дел Акција: 144

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 200V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 660mA (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8 Ohm @ 660mA, 10V,

Листа на желби.

Infineon Technologies

BSP149 E6906

Дел Акција: 78

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 200V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 660mA (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 0V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8 Ohm @ 660mA, 10V,

Листа на желби.

BSP149L6906HTSA1

Infineon Technologies

BSP149L6906HTSA1

Дел Акција: 6023

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 200V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 660mA (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 0V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8 Ohm @ 660mA, 10V,

Листа на желби.

Infineon Technologies

BSP149 E6327

Дел Акција: 156

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 200V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 660mA (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 0V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8 Ohm @ 660mA, 10V,

Листа на желби.

BSP135L6906HTSA1

Infineon Technologies

BSP135L6906HTSA1

Дел Акција: 6085

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 600V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 120mA (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 0V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 Ohm @ 120mA, 10V,

Листа на желби.

BSP135L6327HTSA1

Infineon Technologies

BSP135L6327HTSA1

Дел Акција: 106

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 600V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 120mA (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 0V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 Ohm @ 120mA, 10V,

Листа на желби.

Infineon Technologies

BSP135 E6906

Дел Акција: 6091

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 600V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 120mA (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 0V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 Ohm @ 120mA, 10V,

Листа на желби.

Infineon Technologies

BSP135 E6327

Дел Акција: 155

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 600V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 120mA (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 0V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 Ohm @ 120mA, 10V,

Листа на желби.

BSP129L6906HTSA1

Infineon Technologies

BSP129L6906HTSA1

Дел Акција: 84

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 240V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 350mA (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 0V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 350mA, 10V,

Листа на желби.

3600

«
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
»