Menu
МакедонскиМакедонски
Rfqs / цел
0Rfqs / цел

Transistors - FETs, MOSFETs - Single

  • Дома
  •  
  • Transistors - FETs, MOSFETs - Single
BSZ130N03LSGATMA1
Infineon Technologies

BSZ130N03LSGATMA1

Дел Акција: 21600

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 10A (Ta), 35A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 20A, 10V,

Листа на желби.
BSC050N04LSGATMA1
Infineon Technologies

BSC050N04LSGATMA1

Дел Акција: 103781

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 40V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 18A (Ta), 85A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 50A, 10V,

Листа на желби.
BSZ105N04NSGATMA1
Infineon Technologies

BSZ105N04NSGATMA1

Дел Акција: 21594

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 40V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 11A (Ta), 40A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5 mOhm @ 20A, 10V,

Листа на желби.
BSZ22DN20NS3GATMA1
Infineon Technologies

BSZ22DN20NS3GATMA1

Дел Акција: 21553

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 200V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 7A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225 mOhm @ 3.5A, 10V,

Листа на желби.
BSC070N10NS5ATMA1
Infineon Technologies

BSC070N10NS5ATMA1

Дел Акција: 104340

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 100V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 80A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 40A, 10V,

Листа на желби.
BSZ025N04LSATMA1
Infineon Technologies

BSZ025N04LSATMA1

Дел Акција: 110699

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 40V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 22A (Ta), 40A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 mOhm @ 20A, 10V,

Листа на желби.
BSS192PH6327FTSA1
Infineon Technologies

BSS192PH6327FTSA1

Дел Акција: 153059

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 250V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 190mA (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 2.8V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 Ohm @ 190mA, 10V,

Листа на желби.
BSO301SPHXUMA1
Infineon Technologies

BSO301SPHXUMA1

Дел Акција: 21599

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 12.6A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 14.9A, 10V,

Листа на желби.
BSB056N10NN3GXUMA1
Infineon Technologies

BSB056N10NN3GXUMA1

Дел Акција: 51208

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 100V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 9A (Ta), 83A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6 mOhm @ 30A, 10V,

Листа на желби.
BSS138NH6433XTMA1
Infineon Technologies

BSS138NH6433XTMA1

Дел Акција: 134179

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 60V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 230mA (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 230mA, 10V,

Листа на желби.
BSL211SPH6327XTSA1
Infineon Technologies

BSL211SPH6327XTSA1

Дел Акција: 188020

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 20V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 4.7A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67 mOhm @ 4.7A, 4.5V,

Листа на желби.
BSS314PEH6327XTSA1
Infineon Technologies

BSS314PEH6327XTSA1

Дел Акција: 128504

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 1.5A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140 mOhm @ 1.5A, 10V,

Листа на желби.
BSP299H6327XUSA1
Infineon Technologies

BSP299H6327XUSA1

Дел Акција: 143742

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 500V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 400mA (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 400mA, 10V,

Листа на желби.
BSC080N03MSGATMA1
Infineon Technologies

BSC080N03MSGATMA1

Дел Акција: 133930

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 13A (Ta), 53A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 30A, 10V,

Листа на желби.
BSC030N04NSGATMA1
Infineon Technologies

BSC030N04NSGATMA1

Дел Акција: 173862

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 40V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 23A (Ta), 100A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 50A, 10V,

Листа на желби.
BSZ520N15NS3GATMA1
Infineon Technologies

BSZ520N15NS3GATMA1

Дел Акција: 32282

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 150V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 21A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 8V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52 mOhm @ 18A, 10V,

Листа на желби.
BSR202NL6327HTSA1
Infineon Technologies

BSR202NL6327HTSA1

Дел Акција: 32267

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 20V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 3.8A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 3.8A, 4.5V,

Листа на желби.
BSC031N06NS3GATMA1
Infineon Technologies

BSC031N06NS3GATMA1

Дел Акција: 86039

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 60V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 100A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1 mOhm @ 50A, 10V,

Листа на желби.
BSC010NE2LSATMA1
Infineon Technologies

BSC010NE2LSATMA1

Дел Акција: 32277

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 25V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 39A (Ta), 100A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1 mOhm @ 30A, 10V,

Листа на желби.
BSZ0902NSATMA1
Infineon Technologies

BSZ0902NSATMA1

Дел Акција: 32305

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 19A (Ta), 40A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6 mOhm @ 20A, 10V,

Листа на желби.
BSS806NH6327XTSA1
Infineon Technologies

BSS806NH6327XTSA1

Дел Акција: 131359

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 20V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 2.3A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 1.8V, 2.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57 mOhm @ 2.3A, 2.5V,

Листа на желби.
BSZ097N04LSGATMA1
Infineon Technologies

BSZ097N04LSGATMA1

Дел Акција: 32268

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 40V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 12A (Ta), 40A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7 mOhm @ 20A, 10V,

Листа на желби.
BSR802NL6327HTSA1
Infineon Technologies

BSR802NL6327HTSA1

Дел Акција: 38769

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 20V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 3.7A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 1.8V, 2.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 3.7A, 2.5V,

Листа на желби.
BSC100N06LS3GATMA1
Infineon Technologies

BSC100N06LS3GATMA1

Дел Акција: 106178

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 60V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 12A (Ta), 50A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 50A, 10V,

Листа на желби.
BSZ110N08NS5ATMA1
Infineon Technologies

BSZ110N08NS5ATMA1

Дел Акција: 189666

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 80V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 40A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 20A, 10V,

Листа на желби.
BSZ086P03NS3GATMA1
Infineon Technologies

BSZ086P03NS3GATMA1

Дел Акција: 43035

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 13.5A (Ta), 40A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6 mOhm @ 20A, 10V,

Листа на желби.
BSC009NE2LSATMA1
Infineon Technologies

BSC009NE2LSATMA1

Дел Акција: 43056

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 25V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 41A (Ta), 100A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9 mOhm @ 30A, 10V,

Листа на желби.
BSZ040N04LSGATMA1
Infineon Technologies

BSZ040N04LSGATMA1

Дел Акција: 177522

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 40V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 18A (Ta), 40A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 20A, 10V,

Листа на желби.
BSZ060NE2LSATMA1
Infineon Technologies

BSZ060NE2LSATMA1

Дел Акција: 43085

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 25V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 12A (Ta), 40A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 20A, 10V,

Листа на желби.
BSZ058N03LSGATMA1
Infineon Technologies

BSZ058N03LSGATMA1

Дел Акција: 43025

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 15A (Ta), 40A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8 mOhm @ 20A, 10V,

Листа на желби.
BSS215PH6327XTSA1
Infineon Technologies

BSS215PH6327XTSA1

Дел Акција: 170066

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 20V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 1.5A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 1.5A, 4.5V,

Листа на желби.
BSS205NH6327XTSA1
Infineon Technologies

BSS205NH6327XTSA1

Дел Акција: 139195

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 20V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 2.5A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 2.5A, 4.5V,

Листа на желби.
BSC050N03LSGATMA1
Infineon Technologies

BSC050N03LSGATMA1

Дел Акција: 79622

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 18A (Ta), 80A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 30A, 10V,

Листа на желби.
BSC010NE2LSIATMA1
Infineon Technologies

BSC010NE2LSIATMA1

Дел Акција: 53791

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 25V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 38A (Ta), 100A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05 mOhm @ 30A, 10V,

Листа на желби.
BTS244ZE3043AKSA2
Infineon Technologies

BTS244ZE3043AKSA2

Дел Акција: 34547

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 55V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 35A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 19A, 10V,

Листа на желби.
BSS119NH6327XTSA1
Infineon Technologies

BSS119NH6327XTSA1

Дел Акција: 140931

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 100V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 190mA (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 190mA, 10V,

Листа на желби.