Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Дома
Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Infineon Technologies

IRL6342PBF

Дел Акција: 6116

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 9.9A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.6 mOhm @ 9.9A, 4.5V,

Листа на желби.

Infineon Technologies

IRFS4228TRLPBF

Дел Акција: 939

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 150V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 83A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 33A, 10V,

Листа на желби.

Infineon Technologies

IRLHM620TR2PBF

Дел Акција: 1044

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 20V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 26A (Ta), 40A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 2.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 mOhm @ 20A, 4.5V,

Листа на желби.

Infineon Technologies

IRF8113GTRPBF

Дел Акција: 963

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 17.2A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6 mOhm @ 17.2A, 10V,

Листа на желби.

Infineon Technologies

IRFH5306TRPBF

Дел Акција: 897

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 15A (Ta), 44A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1 mOhm @ 15A, 10V,

Листа на желби.

Infineon Technologies

IPD70N04S3-07

Дел Акција: 879

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 40V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 82A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 70A, 10V,

Листа на желби.

IPB120N06S4H1ATMA1

Infineon Technologies

IPB120N06S4H1ATMA1

Дел Акција: 883

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 60V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 120A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1 mOhm @ 100A, 10V,

Листа на желби.

Infineon Technologies

IPP065N04N G

Дел Акција: 913

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 40V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 50A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 50A, 10V,

Листа на желби.

IPP60R600C6XKSA1

Infineon Technologies

IPP60R600C6XKSA1

Дел Акција: 877

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 600V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 7.3A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 2.4A, 10V,

Листа на желби.

IPI90N06S404AKSA1

Infineon Technologies

IPI90N06S404AKSA1

Дел Акција: 75330

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 60V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 90A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 90A, 10V,

Листа на желби.

Infineon Technologies

IRF3703PBF

Дел Акција: 23090

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 210A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 7V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8 mOhm @ 76A, 10V,

Листа на желби.

Infineon Technologies

IRFB3307PBF

Дел Акција: 29807

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 75V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 130A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3 mOhm @ 75A, 10V,

Листа на желби.

Infineon Technologies

IRF7459TRPBF

Дел Акција: 1014

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 20V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 12A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 2.8V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 12A, 10V,

Листа на желби.

IPI80P03P4L04AKSA1

Infineon Technologies

IPI80P03P4L04AKSA1

Дел Акција: 59340

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 80A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4 mOhm @ 80A, 10V,

Листа на желби.

IPB80N06S4L07ATMA1

Infineon Technologies

IPB80N06S4L07ATMA1

Дел Акција: 962

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 60V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 80A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4 mOhm @ 80A, 10V,

Листа на желби.

IPP60R750E6XKSA1

Infineon Technologies

IPP60R750E6XKSA1

Дел Акција: 93037

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 600V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 5.7A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750 mOhm @ 2A, 10V,

Листа на желби.

IPP60R520E6XKSA1

Infineon Technologies

IPP60R520E6XKSA1

Дел Акција: 71686

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 600V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 8.1A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520 mOhm @ 2.8A, 10V,

Листа на желби.

IPP80N06S407AKSA1

Infineon Technologies

IPP80N06S407AKSA1

Дел Акција: 907

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 60V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 80A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4 mOhm @ 80A, 10V,

Листа на желби.

Infineon Technologies

IRFH5220TR2PBF

Дел Акција: 1076

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 200V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 3.8A (Ta), 20A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99.9 mOhm @ 5.8A, 10V,

Листа на желби.

IPD320N20N3GBTMA1

Infineon Technologies

IPD320N20N3GBTMA1

Дел Акција: 888

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 200V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 34A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32 mOhm @ 34A, 10V,

Листа на желби.

IPP80N04S3H4AKSA1

Infineon Technologies

IPP80N04S3H4AKSA1

Дел Акција: 77103

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 40V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 80A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8 mOhm @ 80A, 10V,

Листа на желби.

Infineon Technologies

IRFH5015TR2PBF

Дел Акција: 874

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 150V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 10A (Ta), 56A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31 mOhm @ 34A, 10V,

Листа на желби.

IPD30N06S4L23ATMA1

Infineon Technologies

IPD30N06S4L23ATMA1

Дел Акција: 875

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 60V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 30A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 30A, 10V,

Листа на желби.

Infineon Technologies

IRF6665TR1

Дел Акција: 982

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 100V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 4.2A (Ta), 19A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62 mOhm @ 5A, 10V,

Листа на желби.

IPD50N06S409ATMA1

Infineon Technologies

IPD50N06S409ATMA1

Дел Акција: 935

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 60V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 50A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 50A, 10V,

Листа на желби.

Infineon Technologies

IRLH5034TR2PBF

Дел Акција: 981

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 40V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 29A (Ta), 100A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4 mOhm @ 50A, 10V,

Листа на желби.

Infineon Technologies

IRF7807ATRPBF

Дел Акција: 1023

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 8.3A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 7A, 4.5V,

Листа на желби.

Infineon Technologies

IRF7494TRPBF

Дел Акција: 1020

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 150V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 5.1A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44 mOhm @ 3.1A, 10V,

Листа на желби.

Infineon Technologies

IRFH5255TRPBF

Дел Акција: 915

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 25V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 15A (Ta), 51A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 15A, 10V,

Листа на желби.

Infineon Technologies

IRF1404ZPBF

Дел Акција: 35746

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 40V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 180A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7 mOhm @ 75A, 10V,

Листа на желби.

IPI120N06S403AKSA1

Infineon Technologies

IPI120N06S403AKSA1

Дел Акција: 967

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 60V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 120A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2 mOhm @ 100A, 10V,

Листа на желби.

IPB60R600CPATMA1

Infineon Technologies

IPB60R600CPATMA1

Дел Акција: 906

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 600V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 6.1A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 3.3A, 10V,

Листа на желби.

Infineon Technologies

IRFH5255TR2PBF

Дел Акција: 929

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 25V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 15A (Ta), 51A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 15A, 10V,

Листа на желби.

Infineon Technologies

IRFH5206TR2PBF

Дел Акција: 954

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 60V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 16A (Ta), 89A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7 mOhm @ 50A, 10V,

Листа на желби.

Infineon Technologies

IRF7406GTRPBF

Дел Акција: 954

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 5.8A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 2.8A, 10V,

Листа на желби.

Infineon Technologies

IRL1004STRLPBF

Дел Акција: 6163

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 40V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 130A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 78A, 10V,

Листа на желби.

3600

«
63
64
65
66
67
68
69
70
71
72
»