Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Дома
Transistors - FETs, MOSFETs - Single

IPI075N15N3GHKSA1

Infineon Technologies

IPI075N15N3GHKSA1

Дел Акција: 763

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 150V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 100A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 8V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 100A, 10V,

Листа на желби.

SPI15N65C3XKSA1

Infineon Technologies

SPI15N65C3XKSA1

Дел Акција: 32225

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 650V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 15A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280 mOhm @ 9.4A, 10V,

Листа на желби.

Infineon Technologies

IRF7704GTRPBF

Дел Акција: 624

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 40V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 4.6A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46 mOhm @ 4.6A, 10V,

Листа на желби.

Infineon Technologies

IPS50R520CP

Дел Акција: 787

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 550V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 7.1A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520 mOhm @ 3.8A, 10V,

Листа на желби.

Infineon Technologies

IRF8707GPBF

Дел Акција: 896

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 11A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.9 mOhm @ 11A, 10V,

Листа на желби.

IPI60R250CPAKSA1

Infineon Technologies

IPI60R250CPAKSA1

Дел Акција: 797

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 650V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 12A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 7.8A, 10V,

Листа на желби.

Infineon Technologies

IRFS4115-7PPBF

Дел Акција: 836

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 150V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 105A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.8 mOhm @ 63A, 10V,

Листа на желби.

IPI100N04S303AKSA1

Infineon Technologies

IPI100N04S303AKSA1

Дел Акција: 775

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 40V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 100A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8 mOhm @ 80A, 10V,

Листа на желби.

Infineon Technologies

IPI06CN10N G

Дел Акција: 755

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 100V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 100A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 100A, 10V,

Листа на желби.

Infineon Technologies

IPB05CN10N G

Дел Акција: 765

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 100V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 100A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1 mOhm @ 100A, 10V,

Листа на желби.

IPP80N06S2LH5AKSA1

Infineon Technologies

IPP80N06S2LH5AKSA1

Дел Акција: 831

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 55V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 80A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 80A, 10V,

Листа на желби.

IPI024N06N3GXKSA1

Infineon Technologies

IPI024N06N3GXKSA1

Дел Акција: 23226

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 60V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 120A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4 mOhm @ 100A, 10V,

Листа на желби.

IPB80N06S2L07ATMA1

Infineon Technologies

IPB80N06S2L07ATMA1

Дел Акција: 765

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 55V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 80A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7 mOhm @ 60A, 10V,

Листа на желби.

IPB80N06S205ATMA1

Infineon Technologies

IPB80N06S205ATMA1

Дел Акција: 822

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 55V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 80A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8 mOhm @ 80A, 10V,

Листа на желби.

IPW50R350CPFKSA1

Infineon Technologies

IPW50R350CPFKSA1

Дел Акција: 34124

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 550V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 10A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350 mOhm @ 5.6A, 10V,

Листа на желби.

IPI90R800C3XKSA1

Infineon Technologies

IPI90R800C3XKSA1

Дел Акција: 59550

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 900V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 6.9A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800 mOhm @ 4.1A, 10V,

Листа на желби.

Infineon Technologies

IPI35CN10N G

Дел Акција: 781

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 100V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 27A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 27A, 10V,

Листа на желби.

IPD170N04NGBTMA1

Infineon Technologies

IPD170N04NGBTMA1

Дел Акција: 788

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 40V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 30A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 30A, 10V,

Листа на желби.

Infineon Technologies

IPI070N06N G

Дел Акција: 795

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 60V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 80A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 80A, 10V,

Листа на желби.

Infineon Technologies

IRFH7936TR2PBF

Дел Акција: 832

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 20A (Ta), 54A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8 mOhm @ 20A, 10V,

Листа на желби.

IPP50R250CPHKSA1

Infineon Technologies

IPP50R250CPHKSA1

Дел Акција: 788

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 500V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 13A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 7.8A, 10V,

Листа на желби.

IPB160N04S2L03ATMA1

Infineon Technologies

IPB160N04S2L03ATMA1

Дел Акција: 800

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 40V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 160A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7 mOhm @ 80A, 10V,

Листа на желби.

Infineon Technologies

IPU78CN10N G

Дел Акција: 824

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 100V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 13A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78 mOhm @ 13A, 10V,

Листа на желби.

IPP80N06S207AKSA1

Infineon Technologies

IPP80N06S207AKSA1

Дел Акција: 805

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 55V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 80A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6 mOhm @ 68A, 10V,

Листа на желби.

Infineon Technologies

IRFS3107-7PPBF

Дел Акција: 9551

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 75V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 240A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6 mOhm @ 160A, 10V,

Листа на желби.

Infineon Technologies

IRFR3707ZTRPBF

Дел Акција: 178734

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 56A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5 mOhm @ 15A, 10V,

Листа на желби.

IPP22N03S4L15AKSA1

Infineon Technologies

IPP22N03S4L15AKSA1

Дел Акција: 6103

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 22A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.9 mOhm @ 22A, 10V,

Листа на желби.

IPI50CN10NGHKSA1

Infineon Technologies

IPI50CN10NGHKSA1

Дел Акција: 763

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 100V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 20A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 20A, 10V,

Листа на желби.

Infineon Technologies

IPI12CNE8N G

Дел Акција: 834

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 85V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 67A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.6 mOhm @ 67A, 10V,

Листа на желби.

IPP80N04S204AKSA1

Infineon Technologies

IPP80N04S204AKSA1

Дел Акција: 844

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 40V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 80A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7 mOhm @ 80A, 10V,

Листа на желби.

IPB80N06S207ATMA1

Infineon Technologies

IPB80N06S207ATMA1

Дел Акција: 6100

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 55V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 80A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3 mOhm @ 68A, 10V,

Листа на желби.

IPB80N06S2L11ATMA1

Infineon Technologies

IPB80N06S2L11ATMA1

Дел Акција: 815

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 55V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 80A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.7 mOhm @ 60A, 10V,

Листа на желби.

Infineon Technologies

IRFSL5620PBF

Дел Акција: 702

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 200V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 24A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77.5 mOhm @ 15A, 10V,

Листа на желби.

Infineon Technologies

IRFR4620PBF

Дел Акција: 41008

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 200V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 24A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78 mOhm @ 15A, 10V,

Листа на желби.

Infineon Technologies

IRFR3411TRPBF

Дел Акција: 111662

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 100V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 32A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44 mOhm @ 16A, 10V,

Листа на желби.

Infineon Technologies

IPB80N06S2L-H5

Дел Акција: 6126

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 55V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 80A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7 mOhm @ 80A, 10V,

Листа на желби.

3600

«
66
67
68
69
70
71
72
73
74
75
»