Transistors - FETs, MOSFETs - Single | Discrete Semiconductor Products | 100

IRF5210SPBF

Дел Акција: 29905

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 100V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 38A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 38A, 10V,

Листа на желби.

Infineon Technologies

IRF6712STR1PBF

Дел Акција: 533

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 25V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 17A (Ta), 68A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9 mOhm @ 17A, 10V,

Листа на желби.

Infineon Technologies

IRFR12N25DCTRRP

Дел Акција: 510

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 250V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 14A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260 mOhm @ 8.4A, 10V,

Листа на желби.

Infineon Technologies

IRL3715STRLPBF

Дел Акција: 579

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 20V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 54A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 26A, 10V,

Листа на желби.

Infineon Technologies

IRF3711STRLPBF

Дел Акција: 426

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 20V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 110A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 15A, 10V,

Листа на желби.

Infineon Technologies

IRF7523D1TRPBF

Дел Акција: 569

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 2.7A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 1.7A, 10V,

Листа на желби.

Infineon Technologies

IRF6215LPBF

Дел Акција: 1566

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 150V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 13A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290 mOhm @ 6.6A, 10V,

Листа на желби.

Infineon Technologies

IRF6655TR1PBF

Дел Акција: 487

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 100V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 4.2A (Ta), 19A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62 mOhm @ 5A, 10V,

Листа на желби.

Infineon Technologies

IRFS3607PBF

Дел Акција: 45297

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 75V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 80A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 46A, 10V,

Листа на желби.

Infineon Technologies

IRF3704STRLPBF

Дел Акција: 492

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 20V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 77A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 15A, 10V,

Листа на желби.

Infineon Technologies

IRFS4610TRRPBF

Дел Акција: 502

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 100V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 73A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 44A, 10V,

Листа на желби.

Infineon Technologies

IRFR120NCTRLPBF

Дел Акција: 518

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 100V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 9.4A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210 mOhm @ 5.6A, 10V,

Листа на желби.

Infineon Technologies

IRF7603TRPBF

Дел Акција: 432

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 5.6A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 3.7A, 10V,

Листа на желби.

Infineon Technologies

IRFZ44VZSTRRPBF

Дел Акција: 539

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 60V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 57A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 34A, 10V,

Листа на желби.

Infineon Technologies

IRLR7807ZTRRPBF

Дел Акција: 513

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 43A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.8 mOhm @ 15A, 10V,

Листа на желби.

Infineon Technologies

IRFR3704ZTRRPBF

Дел Акција: 6055

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 20V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 60A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4 mOhm @ 15A, 10V,

Листа на желби.

Infineon Technologies

IRFR3504TRLPBF

Дел Акција: 518

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 40V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 30A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.2 mOhm @ 30A, 10V,

Листа на желби.

Infineon Technologies

IRF3709ZSTRLPBF

Дел Акција: 629

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 87A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3 mOhm @ 21A, 10V,

Листа на желби.

Infineon Technologies

IRLR7807ZCPBF

Дел Акција: 471

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 43A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.8 mOhm @ 15A, 10V,

Листа на желби.

Infineon Technologies

IRF2805STRRPBF

Дел Акција: 6123

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 55V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 135A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7 mOhm @ 104A, 10V,

Листа на желби.

Infineon Technologies

IRFR1010ZTRRPBF

Дел Акција: 6074

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 55V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 42A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 42A, 10V,

Листа на желби.

Infineon Technologies

IRF6215L-103PBF

Дел Акција: 506

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 150V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 13A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290 mOhm @ 6.6A, 10V,

Листа на желби.

Infineon Technologies

IRF7700GTRPBF

Дел Акција: 6126

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 20V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 8.6A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 8.6A, 4.5V,

Листа на желби.

Infineon Technologies

IRF8736PBF

Дел Акција: 82325

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 18A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8 mOhm @ 18A, 10V,

Листа на желби.

Infineon Technologies

IRFU3706-701PBF

Дел Акција: 6056

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 20V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 75A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 2.8V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 15A, 10V,

Листа на желби.

Infineon Technologies

IRFZ48NPBF

Дел Акција: 63185

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 55V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 64A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 32A, 10V,

Листа на желби.

Infineon Technologies

IRFR3706CTRLPBF

Дел Акција: 507

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 20V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 75A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 2.8V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 15A, 10V,

Листа на желби.

Infineon Technologies

IRLR8721PBF

Дел Акција: 548

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 65A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4 mOhm @ 25A, 10V,

Листа на желби.

Infineon Technologies

IRL2703PBF

Дел Акција: 72521

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 24A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 14A, 10V,

Листа на желби.

Infineon Technologies

IRF9Z24NSPBF

Дел Акција: 545

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 55V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 12A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175 mOhm @ 7.2A, 10V,

Листа на желби.

Infineon Technologies

IRFR3707ZCTRLP

Дел Акција: 628

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 56A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5 mOhm @ 15A, 10V,

Листа на желби.

Infineon Technologies

IRF1404ZSPBF

Дел Акција: 70091

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 40V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 180A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7 mOhm @ 75A, 10V,

Листа на желби.

Infineon Technologies

IRFR3911TRLPBF

Дел Акција: 555

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 100V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 14A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115 mOhm @ 8.4A, 10V,

Листа на желби.

Infineon Technologies

IRF7240PBF

Дел Акција: 39454

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 40V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 10.5A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 10.5A, 10V,

Листа на желби.

Infineon Technologies

IPW60R041P6FKSA1

Дел Акција: 6012

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 600V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 77.5A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41 mOhm @ 35.5A, 10V,

Листа на желби.

Infineon Technologies

IRFR3806PBF

Дел Акција: 141410

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 60V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 43A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.8 mOhm @ 25A, 10V,

Листа на желби.