Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Дома
Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Infineon Technologies

IPP04CN10NG

Дел Акција: 471

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 100V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 100A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2 mOhm @ 100A, 10V,

Листа на желби.

Infineon Technologies

IRL3714STRLPBF

Дел Акција: 551

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 20V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 36A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 18A, 10V,

Листа на желби.

Infineon Technologies

IRF9540NSPBF

Дел Акција: 42892

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 100V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 23A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117 mOhm @ 14A, 10V,

Листа на желби.

Infineon Technologies

IRF8707PBF

Дел Акција: 6128

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 11A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.9 mOhm @ 11A, 10V,

Листа на желби.

IRF1310NSTRRPBF

Infineon Technologies

IRF1310NSTRRPBF

Дел Акција: 481

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 100V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 42A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 22A, 10V,

Листа на желби.

Infineon Technologies

IRL3715ZCSTRRP

Дел Акција: 505

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 20V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 50A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 15A, 10V,

Листа на желби.

IRLR7821CTRRPBF

Infineon Technologies

IRLR7821CTRRPBF

Дел Акција: 508

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 65A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 15A, 10V,

Листа на желби.

Infineon Technologies

IRF2903ZLPBF

Дел Акција: 601

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 75A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4 mOhm @ 75A, 10V,

Листа на желби.

Infineon Technologies

IRF6668TRPBF

Дел Акција: 74009

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 80V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 55A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 12A, 10V,

Листа на желби.

Infineon Technologies

IRFS17N20DTRLP

Дел Акција: 593

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 200V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 16A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170 mOhm @ 9.8A, 10V,

Листа на желби.

IRFR4105ZTRLPBF

Infineon Technologies

IRFR4105ZTRLPBF

Дел Акција: 548

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 55V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 30A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24.5 mOhm @ 18A, 10V,

Листа на желби.

IRLR7833CTRLPBF

Infineon Technologies

IRLR7833CTRLPBF

Дел Акција: 501

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 140A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V,

Листа на желби.

Infineon Technologies

IRF7601PBF

Дел Акција: 483

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 20V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 5.7A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 2.7V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 3.8A, 4.5V,

Листа на желби.

Infineon Technologies

IRL3502STRLPBF

Дел Акција: 561

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 20V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 110A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 7V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 64A, 7V,

Листа на желби.

Infineon Technologies

IRFS4410PBF

Дел Акција: 21326

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 100V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 88A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 58A, 10V,

Листа на желби.

Infineon Technologies

IRF2804SPBF

Дел Акција: 21226

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 40V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 75A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 mOhm @ 75A, 10V,

Листа на желби.

IRFR3704ZTRLPBF

Infineon Technologies

IRFR3704ZTRLPBF

Дел Акција: 555

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 20V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 60A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4 mOhm @ 15A, 10V,

Листа на желби.

Infineon Technologies

IRF7853PBF

Дел Акција: 48240

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 100V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 8.3A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 8.3A, 10V,

Листа на желби.

Infineon Technologies

IRF7854PBF

Дел Акција: 526

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 80V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 10A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.4 mOhm @ 10A, 10V,

Листа на желби.

Infineon Technologies

IRF2903ZSTRRP

Дел Акција: 509

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 75A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4 mOhm @ 75A, 10V,

Листа на желби.

IRF3711ZSTRRPBF

Infineon Technologies

IRF3711ZSTRRPBF

Дел Акција: 523

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 20V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 92A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 15A, 10V,

Листа на желби.

Infineon Technologies

IRF2804STRR7PP

Дел Акција: 573

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 40V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 160A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6 mOhm @ 160A, 10V,

Листа на желби.

Infineon Technologies

IRL540NSTRL

Дел Акција: 335

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 100V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 36A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44 mOhm @ 18A, 10V,

Листа на желби.

Infineon Technologies

IRLR8113TRLPBF

Дел Акција: 522

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 94A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 15A, 10V,

Листа на желби.

Infineon Technologies

IRLR3410CPBF

Дел Акција: 532

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 100V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 17A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 10A, 10V,

Листа на желби.

Infineon Technologies

IRLR7843TRRPBF

Дел Акција: 504

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 161A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3 mOhm @ 15A, 10V,

Листа на желби.

Infineon Technologies

IRF7702GTRPBF

Дел Акција: 559

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 12V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 8A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 8A, 4.5V,

Листа на желби.

Infineon Technologies

IRL8113STRRPBF

Дел Акција: 511

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 105A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 21A, 10V,

Листа на желби.

Infineon Technologies

IRFU1018EPBF

Дел Акција: 6067

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 60V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 56A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4 mOhm @ 47A, 10V,

Листа на желби.

Infineon Technologies

IRF1018ESPBF

Дел Акција: 99223

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 60V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 79A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4 mOhm @ 47A, 10V,

Листа на желби.

Infineon Technologies

IRL1404ZSPBF

Дел Акција: 59773

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 40V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 75A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1 mOhm @ 75A, 10V,

Листа на желби.

Infineon Technologies

IRF3805L-7PPBF

Дел Акција: 541

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 55V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 160A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6 mOhm @ 140A, 10V,

Листа на желби.

Infineon Technologies

IRF5305LPBF

Дел Акција: 588

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 55V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 31A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 16A, 10V,

Листа на желби.

Infineon Technologies

IRF8301MTRPBF

Дел Акција: 48676

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 34A (Ta), 192A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 mOhm @ 32A, 10V,

Листа на желби.

IRLR7807ZTRLPBF

Infineon Technologies

IRLR7807ZTRLPBF

Дел Акција: 545

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 43A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.8 mOhm @ 15A, 10V,

Листа на желби.

Infineon Technologies

IRF7855PBF

Дел Акција: 38765

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 60V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 12A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4 mOhm @ 12A, 10V,

Листа на желби.

3600

«
77
78
79
80
81
82
83
84
85
86
»