Diodes - Rectifiers - Single

D2700U45X122XOSA1

Дел Акција: 287

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 4500V, Тековна - Просечна исправена (Io): 2900A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

D2601NH90TXPSA1

Дел Акција: 324

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 9000V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1790A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 5.5V @ 4000A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

D1961SH45TXPSA1

Дел Акција: 307

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 4500V, Тековна - Просечна исправена (Io): 2380A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 2.5V @ 2500A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

D2601N85TXPSA1

Дел Акција: 304

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 8500V, Тековна - Просечна исправена (Io): 3040A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

IRD3CH9DD6

Дел Акција: 5330

IDP45E60XKSA1

Дел Акција: 38822

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 71A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 2V @ 45A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 140ns,

IDP23011XUMA1

Дел Акција: 34916

IDK04G65C5XTMA1

Дел Акција: 2364

Тип на диода: Silicon Carbide Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 650V, Тековна - Просечна исправена (Io): 4A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.8V @ 4A, Брзина: No Recovery Time > 500mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 0ns,

IRD3CH53DB6

Дел Акција: 2397

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 100A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 2.7V @ 100A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 270ns,

IDW16G65C5XKSA1

Дел Акција: 9090

Тип на диода: Silicon Carbide Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 650V, Тековна - Просечна исправена (Io): 16A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.7V @ 16A, Брзина: No Recovery Time > 500mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 0ns,

IRD3CH9DB6

Дел Акција: 2378

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 10A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 2.7V @ 10A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 154ns,

IRD3CH16DD6

Дел Акција: 2386

IDFW40E65D1EXKSA1

Дел Акција: 1902

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 650V, Тековна - Просечна исправена (Io): 42A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 2.1V @ 40A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 76ns,

IRD3CH42DD6

Дел Акција: 2407

IRD3CH101DD6

Дел Акција: 2319

IDW40E65D2FKSA1

Дел Акција: 30469

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 650V, Тековна - Просечна исправена (Io): 80A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 2.3V @ 40A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 75ns,

IRD3CH82DF6

Дел Акција: 2356

IRD3CH16DB6

Дел Акција: 2357

IRD3CH5BD6

Дел Акција: 5238

IDC08S60CEX1SA3

Дел Акција: 2424

Тип на диода: Silicon Carbide Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 8A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.7V @ 8A, Брзина: No Recovery Time > 500mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 0ns,

IDH08G120C5XKSA1

Дел Акција: 10387

Тип на диода: Silicon Carbide Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 8A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.95V @ 8A, Брзина: No Recovery Time > 500mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 0ns,

IDK02G65C5XTMA1

Дел Акција: 2297

Тип на диода: Silicon Carbide Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 650V, Тековна - Просечна исправена (Io): 2A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.8V @ 2A, Брзина: No Recovery Time > 500mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 0ns,

IDH20G65C5XKSA2

Дел Акција: 7574

Тип на диода: Silicon Carbide Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 650V, Тековна - Просечна исправена (Io): 20A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.7V @ 20A, Брзина: No Recovery Time > 500mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 0ns,

IDL12G65C5XUMA1

Дел Акција: 2364

Тип на диода: Silicon Carbide Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 650V, Тековна - Просечна исправена (Io): 12A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.7V @ 12A, Брзина: No Recovery Time > 500mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 0ns,

IRD3CH31DB6

Дел Акција: 2327

IDB10S60CATMA2

Дел Акција: 5332

Тип на диода: Silicon Carbide Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 10A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.7V @ 10A, Брзина: No Recovery Time > 500mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 0ns,

IRD3CH42DB6

Дел Акција: 2339

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 75A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 2.7V @ 75A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 285ns,

IRD3CH82DD6

Дел Акција: 2324

IRD3CH11DB6

Дел Акција: 2369

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 25A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 2.7V @ 25A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 190ns,

IDK08G65C5XTMA1

Дел Акција: 2324

Тип на диода: Silicon Carbide Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 650V, Тековна - Просечна исправена (Io): 8A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.8V @ 8A, Брзина: No Recovery Time > 500mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 0ns,

IRD3CH5DB6

Дел Акција: 5234

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 2.7V @ 5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 96ns,

IDP08E65D2XKSA1

Дел Акција: 68501

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 650V, Тековна - Просечна исправена (Io): 8A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 2.3V @ 3A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 40ns,

IDL10G65C5XUMA1

Дел Акција: 2296

Тип на диода: Silicon Carbide Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 650V, Тековна - Просечна исправена (Io): 10A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.7V @ 10A, Брзина: No Recovery Time > 500mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 0ns,

IDC04S60CEX1SA1

Дел Акција: 2355

Тип на диода: Silicon Carbide Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 4A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.9V @ 4A, Брзина: No Recovery Time > 500mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 0ns,

IDK03G65C5XTMA1

Дел Акција: 2298

Тип на диода: Silicon Carbide Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 650V, Тековна - Просечна исправена (Io): 3A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.8V @ 3A, Брзина: No Recovery Time > 500mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 0ns,

IDK05G65C5XTMA1

Дел Акција: 2285

Тип на диода: Silicon Carbide Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 650V, Тековна - Просечна исправена (Io): 5A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.8V @ 5A, Брзина: No Recovery Time > 500mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 0ns,