Diodes - Rectifiers - Single

IDC05S60CEX1SA1

Дел Акција: 2377

Тип на диода: Silicon Carbide Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 5A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.7V @ 5A, Брзина: No Recovery Time > 500mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 0ns,

IDH02G65C5XKSA1

Дел Акција: 5266

Тип на диода: Silicon Carbide Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 650V, Тековна - Просечна исправена (Io): 2A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.7V @ 2A, Брзина: No Recovery Time > 500mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 0ns,

IDK09G65C5XTMA1

Дел Акција: 2371

Тип на диода: Silicon Carbide Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 650V, Тековна - Просечна исправена (Io): 9A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.8V @ 9A, Брзина: No Recovery Time > 500mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 0ns,

IDC08S60CEX1SA2

Дел Акција: 2399

Тип на диода: Silicon Carbide Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 8A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.7V @ 8A, Брзина: No Recovery Time > 500mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 0ns,

IDL02G65C5XUMA1

Дел Акција: 2331

Тип на диода: Silicon Carbide Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 650V, Тековна - Просечна исправена (Io): 2A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.7V @ 2A, Брзина: No Recovery Time > 500mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 0ns,

IDP30E120XKSA1

Дел Акција: 34878

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 50A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 2.15V @ 30A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 243ns,

IDB06S60CATMA2

Дел Акција: 2626

Тип на диода: Silicon Carbide Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 6A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.7V @ 6A, Брзина: No Recovery Time > 500mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 0ns,

IRD3CH101DB6

Дел Акција: 2341

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 200A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 2.7V @ 200A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 360ns,

IRD3CH24DF6

Дел Акција: 2382

IDK12G65C5XTMA1

Дел Акција: 2311

Тип на диода: Silicon Carbide Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 650V, Тековна - Просечна исправена (Io): 12A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.8V @ 12A, Брзина: No Recovery Time > 500mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 0ns,

IDC04S60CEX7SA1

Дел Акција: 2434

IDL04G65C5XUMA1

Дел Акција: 2353

Тип на диода: Silicon Carbide Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 650V, Тековна - Просечна исправена (Io): 4A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.7V @ 4A, Брзина: No Recovery Time > 500mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 0ns,

IDW75E60FKSA1

Дел Акција: 1516

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 120A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 2V @ 75A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 121ns,

IDK06G65C5XTMA1

Дел Акција: 2335

Тип на диода: Silicon Carbide Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 650V, Тековна - Просечна исправена (Io): 6A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.8V @ 6A, Брзина: No Recovery Time > 500mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 0ns,

IRD3CH11DF6

Дел Акција: 2342

IDW40G65C5XKSA1

Дел Акција: 4319

Тип на диода: Silicon Carbide Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 650V, Тековна - Просечна исправена (Io): 40A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.7V @ 40A, Брзина: No Recovery Time > 500mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 0ns,

IDC08S60CEX7SA1

Дел Акција: 2440

IDW15S120FKSA1

Дел Акција: 2436

Тип на диода: Silicon Carbide Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 15A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.8V @ 15A, Брзина: No Recovery Time > 500mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 0ns,

IDH12G65C5XKSA1

Дел Акција: 2289

Тип на диода: Silicon Carbide Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 650V, Тековна - Просечна исправена (Io): 12A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.7V @ 12A, Брзина: No Recovery Time > 500mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 0ns,

D1050N14TXPSA1

Дел Акција: 2299

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1400V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1050A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 1000A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

IDH12G65C6XKSA1

Дел Акција: 12700

Тип на диода: Silicon Carbide Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 650V, Тековна - Просечна исправена (Io): 27A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.35V @ 12A, Брзина: No Recovery Time > 500mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 0ns,

IRD3CH82DB6

Дел Акција: 5258

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 150A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 2.7V @ 150A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 355ns,

IDL08G65C5XUMA1

Дел Акција: 2367

Тип на диода: Silicon Carbide Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 650V, Тековна - Просечна исправена (Io): 8A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.7V @ 8A, Брзина: No Recovery Time > 500mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 0ns,

IRD3CH24DD6

Дел Акција: 5312

IDW15E65D2FKSA1

Дел Акција: 41876

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 650V, Тековна - Просечна исправена (Io): 30A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 2.3V @ 15A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 47ns,

IRD3CH53DF6

Дел Акција: 2322

D1050N16TXPSA1

Дел Акција: 2266

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1050A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 1000A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

IDH20G65C6XKSA1

Дел Акција: 8465

Тип на диода: Silicon Carbide Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 650V, Тековна - Просечна исправена (Io): 41A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.35V @ 20A, Брзина: No Recovery Time > 500mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 0ns,

IRD3CH24DB6

Дел Акција: 5317

IRD3CH16DF6

Дел Акција: 2362

IDW10G65C5XKSA1

Дел Акција: 12731

Тип на диода: Silicon Carbide Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 650V, Тековна - Просечна исправена (Io): 10A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.7V @ 10A, Брзина: No Recovery Time > 500mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 0ns,

IRD3CH101DF6

Дел Акција: 2365

IDK10G65C5XTMA1

Дел Акција: 2337

Тип на диода: Silicon Carbide Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 650V, Тековна - Просечна исправена (Io): 10A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.8V @ 10A, Брзина: No Recovery Time > 500mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 0ns,

IDH16G120C5XKSA1

Дел Акција: 6043

Тип на диода: Silicon Carbide Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 16A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.95V @ 16A, Брзина: No Recovery Time > 500mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 0ns,

IRD3CH31DF6

Дел Акција: 2321

IRD3CH42DF6

Дел Акција: 2347