Menu
МакедонскиМакедонски
Rfqs / цел
0Rfqs / цел

Embedded - FPGAs (Field Programmable Gate Array)

  • Дома
  •  
  • Embedded - FPGAs (Field Programmable Gate Array)
LCMXO1200C-4M132I
Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO1200C-4M132I

Дел Акција: 6995

Број на лаборатории / CLB: 150, Број на логички елементи / ќелии: 1200, Вкупни битови за RAM меморија: 9421, Број на I / O: 101, Напон - Набавка: 1.71V ~ 3.465V,

Листа на желби.
LCMXO2-2000HE-6TG100I
Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO2-2000HE-6TG100I

Дел Акција: 6175

Број на лаборатории / CLB: 264, Број на логички елементи / ќелии: 2112, Вкупни битови за RAM меморија: 75776, Број на I / O: 79, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.
LFEC1E-4TN144I
Lattice Semiconductor Corporation

LFEC1E-4TN144I

Дел Акција: 9861

Број на логички елементи / ќелии: 1500, Вкупни битови за RAM меморија: 18432, Број на I / O: 97, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.
LCMXO2-2000ZE-3TG100I
Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO2-2000ZE-3TG100I

Дел Акција: 6242

Број на лаборатории / CLB: 264, Број на логички елементи / ќелии: 2112, Вкупни битови за RAM меморија: 75776, Број на I / O: 79, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.
LFEC6E-3T144I
Lattice Semiconductor Corporation

LFEC6E-3T144I

Дел Акција: 8024

Број на логички елементи / ќелии: 6100, Вкупни битови за RAM меморија: 94208, Број на I / O: 97, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.
LFECP15E-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation

LFECP15E-5FN256C

Дел Акција: 374

Број на логички елементи / ќелии: 15400, Вкупни битови за RAM меморија: 358400, Број на I / O: 195, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.
LCMXO2-1200ZE-1TG144IR1
Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO2-1200ZE-1TG144IR1

Дел Акција: 6710

Број на лаборатории / CLB: 160, Број на логички елементи / ќелии: 1280, Вкупни битови за RAM меморија: 65536, Број на I / O: 107, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.
LFXP3E-3QN208I
Lattice Semiconductor Corporation

LFXP3E-3QN208I

Дел Акција: 9051

Број на логички елементи / ќелии: 3000, Вкупни битови за RAM меморија: 55296, Број на I / O: 136, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.
LFXP10C-3FN388C
Lattice Semiconductor Corporation

LFXP10C-3FN388C

Дел Акција: 6846

Број на логички елементи / ќелии: 10000, Вкупни битови за RAM меморија: 221184, Број на I / O: 244, Напон - Набавка: 1.71V ~ 3.465V,

Листа на желби.
LFE5U-25F-8BG256I
Lattice Semiconductor Corporation

LFE5U-25F-8BG256I

Дел Акција: 555

Број на лаборатории / CLB: 6000, Број на логички елементи / ќелии: 24000, Вкупни битови за RAM меморија: 1032192, Број на I / O: 197, Напон - Набавка: 1.045V ~ 1.155V,

Листа на желби.
LCMXO640E-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO640E-5TN144C

Дел Акција: 6227

Број на лаборатории / CLB: 80, Број на логички елементи / ќелии: 640, Број на I / O: 113, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.
LFE2M100E-6F900I
Lattice Semiconductor Corporation

LFE2M100E-6F900I

Дел Акција: 7527

Број на лаборатории / CLB: 11875, Број на логички елементи / ќелии: 95000, Вкупни битови за RAM меморија: 5435392, Број на I / O: 416, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.
LCMXO2-2000ZE-1MG132I
Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO2-2000ZE-1MG132I

Дел Акција: 6331

Број на лаборатории / CLB: 264, Број на логички елементи / ќелии: 2112, Вкупни битови за RAM меморија: 75776, Број на I / O: 104, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.
LCMXO3LF-9400E-5BG256C
Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO3LF-9400E-5BG256C

Дел Акција: 114

Број на лаборатории / CLB: 1175, Број на логички елементи / ќелии: 9400, Вкупни битови за RAM меморија: 442368, Број на I / O: 206, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.
LIA-MD6000-6JMG80E
Lattice Semiconductor Corporation

LIA-MD6000-6JMG80E

Дел Акција: 6398

Број на лаборатории / CLB: 1484, Број на логички елементи / ќелии: 5936, Вкупни битови за RAM меморија: 184320, Број на I / O: 37, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.
LFEC33E-4FN484I
Lattice Semiconductor Corporation

LFEC33E-4FN484I

Дел Акција: 678

Број на логички елементи / ќелии: 32800, Вкупни битови за RAM меморија: 434176, Број на I / O: 360, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.
LFSC3GA40E-5FFN1152I
Lattice Semiconductor Corporation

LFSC3GA40E-5FFN1152I

Дел Акција: 153

Број на лаборатории / CLB: 10000, Број на логички елементи / ќелии: 40000, Вкупни битови за RAM меморија: 4075520, Број на I / O: 604, Напон - Набавка: 0.95V ~ 1.26V,

Листа на желби.
LCMXO1200C-3T144I
Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO1200C-3T144I

Дел Акција: 7010

Број на лаборатории / CLB: 150, Број на логички елементи / ќелии: 1200, Вкупни битови за RAM меморија: 9421, Број на I / O: 113, Напон - Набавка: 1.71V ~ 3.465V,

Листа на желби.
LFECP20E-3FN672I
Lattice Semiconductor Corporation

LFECP20E-3FN672I

Дел Акција: 563

Број на логички елементи / ќелии: 19700, Вкупни битови за RAM меморија: 434176, Број на I / O: 400, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.
LCMXO2-2000HC-6MG132I
Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO2-2000HC-6MG132I

Дел Акција: 6293

Број на лаборатории / CLB: 264, Број на логички елементи / ќелии: 2112, Вкупни битови за RAM меморија: 75776, Број на I / O: 104, Напон - Набавка: 2.375V ~ 3.465V,

Листа на желби.
LFECP6E-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation

LFECP6E-5FN256C

Дел Акција: 10041

Број на логички елементи / ќелии: 6100, Вкупни битови за RAM меморија: 94208, Број на I / O: 195, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.
LFXP3C-4TN100C
Lattice Semiconductor Corporation

LFXP3C-4TN100C

Дел Акција: 9012

Број на логички елементи / ќелии: 3000, Вкупни битови за RAM меморија: 55296, Број на I / O: 62, Напон - Набавка: 1.71V ~ 3.465V,

Листа на желби.
LFSC3GA115E-6FFN1152C
Lattice Semiconductor Corporation

LFSC3GA115E-6FFN1152C

Дел Акција: 967

Број на лаборатории / CLB: 28750, Број на логички елементи / ќелии: 115000, Вкупни битови за RAM меморија: 7987200, Број на I / O: 660, Напон - Набавка: 0.95V ~ 1.26V,

Листа на желби.
LFECP10E-3F256I
Lattice Semiconductor Corporation

LFECP10E-3F256I

Дел Акција: 8108

Број на логички елементи / ќелии: 10200, Вкупни битови за RAM меморија: 282624, Број на I / O: 195, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.
LCMXO3LF-4300C-6BG256I
Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO3LF-4300C-6BG256I

Дел Акција: 5292

Број на лаборатории / CLB: 540, Број на логички елементи / ќелии: 4320, Вкупни битови за RAM меморија: 94208, Број на I / O: 206, Напон - Набавка: 2.375V ~ 3.465V,

Листа на желби.
LFECP6E-3QN208I
Lattice Semiconductor Corporation

LFECP6E-3QN208I

Дел Акција: 117

Број на логички елементи / ќелии: 6100, Вкупни битови за RAM меморија: 94208, Број на I / O: 147, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.
LFEC20E-3FN672I
Lattice Semiconductor Corporation

LFEC20E-3FN672I

Дел Акција: 475

Број на логички елементи / ќелии: 19700, Вкупни битови за RAM меморија: 434176, Број на I / O: 400, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.
LFEC20E-5FN484C
Lattice Semiconductor Corporation

LFEC20E-5FN484C

Дел Акција: 8874

Број на логички елементи / ќелии: 19700, Вкупни битови за RAM меморија: 434176, Број на I / O: 360, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.
LFE2M100E-5F900I
Lattice Semiconductor Corporation

LFE2M100E-5F900I

Дел Акција: 7478

Број на лаборатории / CLB: 11875, Број на логички елементи / ќелии: 95000, Вкупни битови за RAM меморија: 5435392, Број на I / O: 416, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.
LFEC1E-3QN208C
Lattice Semiconductor Corporation

LFEC1E-3QN208C

Дел Акција: 7704

Број на логички елементи / ќелии: 1500, Вкупни битови за RAM меморија: 18432, Број на I / O: 112, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.
LFEC20E-3F672C
Lattice Semiconductor Corporation

LFEC20E-3F672C

Дел Акција: 6791

Број на логички елементи / ќелии: 19700, Вкупни битови за RAM меморија: 434176, Број на I / O: 400, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.
LCMXO2-4000HE-6MG184I
Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO2-4000HE-6MG184I

Дел Акција: 6298

Број на лаборатории / CLB: 540, Број на логички елементи / ќелии: 4320, Вкупни битови за RAM меморија: 94208, Број на I / O: 150, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.
LFXP3C-5TN100C
Lattice Semiconductor Corporation

LFXP3C-5TN100C

Дел Акција: 9007

Број на логички елементи / ќелии: 3000, Вкупни битови за RAM меморија: 55296, Број на I / O: 62, Напон - Набавка: 1.71V ~ 3.465V,

Листа на желби.
LFECP33E-3FN672C
Lattice Semiconductor Corporation

LFECP33E-3FN672C

Дел Акција: 8162

Број на логички елементи / ќелии: 32800, Вкупни битови за RAM меморија: 434176, Број на I / O: 496, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.
LFXP2-8E-7M132C
Lattice Semiconductor Corporation

LFXP2-8E-7M132C

Дел Акција: 8849

Број на лаборатории / CLB: 1000, Број на логички елементи / ќелии: 8000, Вкупни битови за RAM меморија: 226304, Број на I / O: 86, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.
LFEC10E-3F484C
Lattice Semiconductor Corporation

LFEC10E-3F484C

Дел Акција: 7612

Број на логички елементи / ќелии: 10200, Вкупни битови за RAM меморија: 282624, Број на I / O: 288, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.