Menu
МакедонскиМакедонски
Rfqs / цел
0Rfqs / цел

Embedded - FPGAs (Field Programmable Gate Array)

  • Дома
  •  
  • Embedded - FPGAs (Field Programmable Gate Array)
LFE2M20E-6F256C
Lattice Semiconductor Corporation

LFE2M20E-6F256C

Дел Акција: 7506

Број на лаборатории / CLB: 2375, Број на логички елементи / ќелии: 19000, Вкупни битови за RAM меморија: 1246208, Број на I / O: 140, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.
LFSCM3GA25EP1-7FFAN1020C
Lattice Semiconductor Corporation

LFSCM3GA25EP1-7FFAN1020C

Дел Акција: 228

Број на лаборатории / CLB: 6250, Број на логички елементи / ќелии: 25000, Вкупни битови за RAM меморија: 1966080, Број на I / O: 476, Напон - Набавка: 0.95V ~ 1.26V,

Листа на желби.
LCMXO2-1200ZE-1MG132CR1
Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO2-1200ZE-1MG132CR1

Дел Акција: 8743

Број на лаборатории / CLB: 160, Број на логички елементи / ќелии: 1280, Вкупни битови за RAM меморија: 65536, Број на I / O: 104, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.
LFXP3C-3T144I
Lattice Semiconductor Corporation

LFXP3C-3T144I

Дел Акција: 8893

Број на логички елементи / ќелии: 3000, Вкупни битови за RAM меморија: 55296, Број на I / O: 100, Напон - Набавка: 1.71V ~ 3.465V,

Листа на желби.
LFEC6E-4QN208I
Lattice Semiconductor Corporation

LFEC6E-4QN208I

Дел Акција: 10034

Број на логички елементи / ќелии: 6100, Вкупни битови за RAM меморија: 94208, Број на I / O: 147, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.
LCMXO3LF-2100C-6BG256I
Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO3LF-2100C-6BG256I

Дел Акција: 6306

Број на лаборатории / CLB: 264, Број на логички елементи / ќелии: 2112, Вкупни битови за RAM меморија: 75776, Број на I / O: 206, Напон - Набавка: 2.375V ~ 3.465V,

Листа на желби.
LCMXO2280C-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO2280C-4T100C

Дел Акција: 7159

Број на лаборатории / CLB: 285, Број на логички елементи / ќелии: 2280, Вкупни битови за RAM меморија: 28262, Број на I / O: 73, Напон - Набавка: 1.71V ~ 3.465V,

Листа на желби.
LFSC3GA80E-5FFN1152C
Lattice Semiconductor Corporation

LFSC3GA80E-5FFN1152C

Дел Акција: 71

Број на лаборатории / CLB: 20000, Број на логички елементи / ќелии: 80000, Вкупни битови за RAM меморија: 5816320, Број на I / O: 660, Напон - Набавка: 0.95V ~ 1.26V,

Листа на желби.
LFEC3E-4TN100C
Lattice Semiconductor Corporation

LFEC3E-4TN100C

Дел Акција: 9828

Број на логички елементи / ќелии: 3100, Вкупни битови за RAM меморија: 56320, Број на I / O: 67, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.
LCMXO256C-3T100C
Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO256C-3T100C

Дел Акција: 7263

Број на лаборатории / CLB: 32, Број на логички елементи / ќелии: 256, Број на I / O: 78, Напон - Набавка: 1.71V ~ 3.465V,

Листа на желби.
LFXP6C-4QN208C
Lattice Semiconductor Corporation

LFXP6C-4QN208C

Дел Акција: 9193

Број на логички елементи / ќелии: 6000, Вкупни битови за RAM меморија: 73728, Број на I / O: 142, Напон - Набавка: 1.71V ~ 3.465V,

Листа на желби.
LFSC3GA40E-7FFN1152C
Lattice Semiconductor Corporation

LFSC3GA40E-7FFN1152C

Дел Акција: 132

Број на лаборатории / CLB: 10000, Број на логички елементи / ќелии: 40000, Вкупни битови за RAM меморија: 4075520, Број на I / O: 604, Напон - Набавка: 0.95V ~ 1.26V,

Листа на желби.
LCMXO3L-9400C-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO3L-9400C-6BG256C

Дел Акција: 6421

Број на лаборатории / CLB: 1175, Број на логички елементи / ќелии: 9400, Вкупни битови за RAM меморија: 442368, Број на I / O: 206, Напон - Набавка: 2.375V ~ 3.465V,

Листа на желби.
LFX200EB-03FN256C
Lattice Semiconductor Corporation

LFX200EB-03FN256C

Дел Акција: 8302

Број на логички елементи / ќелии: 2704, Вкупни битови за RAM меморија: 113664, Број на I / O: 160, Број на Гејтс: 210000, Напон - Набавка: 2.3V ~ 3.6V,

Листа на желби.
LFECP20E-3FN484C
Lattice Semiconductor Corporation

LFECP20E-3FN484C

Дел Акција: 529

Број на логички елементи / ќелии: 19700, Вкупни битови за RAM меморија: 434176, Број на I / O: 360, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.
LFXP15C-5FN388C
Lattice Semiconductor Corporation

LFXP15C-5FN388C

Дел Акција: 8509

Број на логички елементи / ќелии: 15000, Вкупни битови за RAM меморија: 331776, Број на I / O: 268, Напон - Набавка: 1.71V ~ 3.465V,

Листа на желби.
LFE2M20E-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation

LFE2M20E-5F484I

Дел Акција: 7558

Број на лаборатории / CLB: 2375, Број на логички елементи / ќелии: 19000, Вкупни битови за RAM меморија: 1246208, Број на I / O: 304, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.
LFSC3GA115E-5FFN1704C
Lattice Semiconductor Corporation

LFSC3GA115E-5FFN1704C

Дел Акција: 973

Број на лаборатории / CLB: 28750, Број на логички елементи / ќелии: 115000, Вкупни битови за RAM меморија: 7987200, Број на I / O: 942, Напон - Набавка: 0.95V ~ 1.26V,

Листа на желби.
LFEC3E-3TN144C
Lattice Semiconductor Corporation

LFEC3E-3TN144C

Дел Акција: 7905

Број на логички елементи / ќелии: 3100, Вкупни битови за RAM меморија: 56320, Број на I / O: 97, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.
LFSC3GA115E-5FFN1704I
Lattice Semiconductor Corporation

LFSC3GA115E-5FFN1704I

Дел Акција: 940

Број на лаборатории / CLB: 28750, Број на логички елементи / ќелии: 115000, Вкупни битови за RAM меморија: 7987200, Број на I / O: 942, Напон - Набавка: 0.95V ~ 1.26V,

Листа на желби.
LFEC6E-3F256C
Lattice Semiconductor Corporation

LFEC6E-3F256C

Дел Акција: 6839

Број на логички елементи / ќелии: 6100, Вкупни битови за RAM меморија: 94208, Број на I / O: 195, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.
LFXP20C-3F256C
Lattice Semiconductor Corporation

LFXP20C-3F256C

Дел Акција: 8493

Број на логички елементи / ќелии: 20000, Вкупни битови за RAM меморија: 405504, Број на I / O: 188, Напон - Набавка: 1.71V ~ 3.465V,

Листа на желби.
LCMXO2280C-3T100C
Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO2280C-3T100C

Дел Акција: 7126

Број на лаборатории / CLB: 285, Број на логички елементи / ќелии: 2280, Вкупни битови за RAM меморија: 28262, Број на I / O: 73, Напон - Набавка: 1.71V ~ 3.465V,

Листа на желби.
LFSC3GA80E-6FFN1152C
Lattice Semiconductor Corporation

LFSC3GA80E-6FFN1152C

Дел Акција: 95

Број на лаборатории / CLB: 20000, Број на логички елементи / ќелии: 80000, Вкупни битови за RAM меморија: 5816320, Број на I / O: 660, Напон - Набавка: 0.95V ~ 1.26V,

Листа на желби.
LCMXO2-2000ZE-3TG100C
Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO2-2000ZE-3TG100C

Дел Акција: 6818

Број на лаборатории / CLB: 264, Број на логички елементи / ќелии: 2112, Вкупни битови за RAM меморија: 75776, Број на I / O: 79, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.
LCMXO3L-9400E-6MG256I
Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO3L-9400E-6MG256I

Дел Акција: 6975

Број на лаборатории / CLB: 1175, Број на логички елементи / ќелии: 9400, Вкупни битови за RAM меморија: 442368, Број на I / O: 206, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.
LCMXO640E-5MN100C
Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO640E-5MN100C

Дел Акција: 6940

Број на лаборатории / CLB: 80, Број на логички елементи / ќелии: 640, Број на I / O: 74, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.
LCMXO1200E-3TN100C
Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO1200E-3TN100C

Дел Акција: 6604

Број на лаборатории / CLB: 150, Број на логички елементи / ќелии: 1200, Вкупни битови за RAM меморија: 9421, Број на I / O: 73, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.
LCMXO2-4000HE-5MG132I
Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO2-4000HE-5MG132I

Дел Акција: 6857

Број на лаборатории / CLB: 540, Број на логички елементи / ќелии: 4320, Вкупни битови за RAM меморија: 94208, Број на I / O: 104, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.
LCMXO3LF-1300C-5BG256I
Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO3LF-1300C-5BG256I

Дел Акција: 6925

Број на лаборатории / CLB: 160, Број на логички елементи / ќелии: 1280, Вкупни битови за RAM меморија: 65536, Број на I / O: 206, Напон - Набавка: 2.375V ~ 3.465V,

Листа на желби.
LCMXO2-2000HE-5MG132I
Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO2-2000HE-5MG132I

Дел Акција: 6841

Број на лаборатории / CLB: 264, Број на логички елементи / ќелии: 2112, Вкупни битови за RAM меморија: 75776, Број на I / O: 104, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.
LCMXO640E-3TN144C
Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO640E-3TN144C

Дел Акција: 6883

Број на лаборатории / CLB: 80, Број на логички елементи / ќелии: 640, Број на I / O: 113, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.
LCMXO3L-4300C-6BG400C
Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO3L-4300C-6BG400C

Дел Акција: 6718

Број на лаборатории / CLB: 540, Број на логички елементи / ќелии: 4320, Вкупни битови за RAM меморија: 94208, Број на I / O: 335, Напон - Набавка: 2.375V ~ 3.465V,

Листа на желби.
LCMXO3LF-4300C-5BG324I
Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO3LF-4300C-5BG324I

Дел Акција: 6646

Број на лаборатории / CLB: 540, Број на логички елементи / ќелии: 4320, Вкупни битови за RAM меморија: 94208, Број на I / O: 279, Напон - Набавка: 2.375V ~ 3.465V,

Листа на желби.
LCMXO640C-4TN100I
Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO640C-4TN100I

Дел Акција: 6854

Број на лаборатории / CLB: 80, Број на логички елементи / ќелии: 640, Број на I / O: 74, Напон - Набавка: 1.71V ~ 3.465V,

Листа на желби.
LCMXO1200C-3FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO1200C-3FTN256C

Дел Акција: 6696

Број на лаборатории / CLB: 150, Број на логички елементи / ќелии: 1200, Вкупни битови за RAM меморија: 9421, Број на I / O: 211, Напон - Набавка: 1.71V ~ 3.465V,

Листа на желби.