Menu
МакедонскиМакедонски
Rfqs / цел
0Rfqs / цел

Embedded - FPGAs (Field Programmable Gate Array)

  • Дома
  •  
  • Embedded - FPGAs (Field Programmable Gate Array)
LCMXO2-2000HC-4MG132C
Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO2-2000HC-4MG132C

Дел Акција: 6859

Број на лаборатории / CLB: 264, Број на логички елементи / ќелии: 2112, Вкупни битови за RAM меморија: 75776, Број на I / O: 104, Напон - Набавка: 2.375V ~ 3.465V,

Листа на желби.
LFE5U-25F-7BG256I
Lattice Semiconductor Corporation

LFE5U-25F-7BG256I

Дел Акција: 257

Број на лаборатории / CLB: 6000, Број на логички елементи / ќелии: 24000, Вкупни битови за RAM меморија: 1032192, Број на I / O: 197, Напон - Набавка: 1.045V ~ 1.155V,

Листа на желби.
LCMXO2-4000HC-5TG144C
Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO2-4000HC-5TG144C

Дел Акција: 6638

Број на лаборатории / CLB: 540, Број на логички елементи / ќелии: 4320, Вкупни битови за RAM меморија: 94208, Број на I / O: 114, Напон - Набавка: 2.375V ~ 3.465V,

Листа на желби.
LCMXO2-4000HE-5MG184I
Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO2-4000HE-5MG184I

Дел Акција: 7010

Број на лаборатории / CLB: 540, Број на логички елементи / ќелии: 4320, Вкупни битови за RAM меморија: 94208, Број на I / O: 150, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.
LCMXO2-2000ZE-3MG132C
Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO2-2000ZE-3MG132C

Дел Акција: 6908

Број на лаборатории / CLB: 264, Број на логички елементи / ќелии: 2112, Вкупни битови за RAM меморија: 75776, Број на I / O: 104, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.
LCMXO2-1200UHC-4FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO2-1200UHC-4FTG256C

Дел Акција: 6550

Број на лаборатории / CLB: 160, Број на логички елементи / ќелии: 1280, Вкупни битови за RAM меморија: 75776, Број на I / O: 206, Напон - Набавка: 2.375V ~ 3.465V,

Листа на желби.
LCMXO2-2000HC-5MG132I
Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO2-2000HC-5MG132I

Дел Акција: 6858

Број на лаборатории / CLB: 264, Број на логички елементи / ќелии: 2112, Вкупни битови за RAM меморија: 75776, Број на I / O: 104, Напон - Набавка: 2.375V ~ 3.465V,

Листа на желби.
LCMXO2-2000ZE-2MG132I
Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO2-2000ZE-2MG132I

Дел Акција: 6841

Број на лаборатории / CLB: 264, Број на логички елементи / ќелии: 2112, Вкупни битови за RAM меморија: 75776, Број на I / O: 104, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.
LCMXO3LF-2100C-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO3LF-2100C-6BG256C

Дел Акција: 6996

Број на лаборатории / CLB: 264, Број на логички елементи / ќелии: 2112, Вкупни битови за RAM меморија: 75776, Број на I / O: 206, Напон - Набавка: 2.375V ~ 3.465V,

Листа на желби.
LCMXO3LF-2100C-5BG256I
Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO3LF-2100C-5BG256I

Дел Акција: 6954

Број на лаборатории / CLB: 264, Број на логички елементи / ќелии: 2112, Вкупни битови за RAM меморија: 75776, Број на I / O: 206, Напон - Набавка: 2.375V ~ 3.465V,

Листа на желби.
LFE2-6SE-6TN144C
Lattice Semiconductor Corporation

LFE2-6SE-6TN144C

Дел Акција: 6797

Број на лаборатории / CLB: 750, Број на логички елементи / ќелии: 6000, Вкупни битови за RAM меморија: 56320, Број на I / O: 90, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.
LCMXO640C-3TN100I
Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO640C-3TN100I

Дел Акција: 6893

Број на лаборатории / CLB: 80, Број на логички елементи / ќелии: 640, Број на I / O: 74, Напон - Набавка: 1.71V ~ 3.465V,

Листа на желби.
LCMXO640E-4TN100I
Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO640E-4TN100I

Дел Акција: 6816

Број на лаборатории / CLB: 80, Број на логички елементи / ќелии: 640, Број на I / O: 74, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.
LCMXO3L-4300C-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO3L-4300C-6BG256C

Дел Акција: 6930

Број на лаборатории / CLB: 540, Број на логички елементи / ќелии: 4320, Вкупни битови за RAM меморија: 94208, Број на I / O: 206, Напон - Набавка: 2.375V ~ 3.465V,

Листа на желби.
LFE2-6SE-5TN144I
Lattice Semiconductor Corporation

LFE2-6SE-5TN144I

Дел Акција: 6842

Број на лаборатории / CLB: 750, Број на логички елементи / ќелии: 6000, Вкупни битови за RAM меморија: 56320, Број на I / O: 90, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.
LCMXO3L-6900C-6BG324C
Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO3L-6900C-6BG324C

Дел Акција: 6596

Број на лаборатории / CLB: 858, Број на логички елементи / ќелии: 6864, Вкупни битови за RAM меморија: 245760, Број на I / O: 279, Напон - Набавка: 2.375V ~ 3.465V,

Листа на желби.
LCMXO2-4000ZE-2QN84I
Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO2-4000ZE-2QN84I

Дел Акција: 6629

Број на лаборатории / CLB: 540, Број на логички елементи / ќелии: 4320, Вкупни битови за RAM меморија: 94208, Број на I / O: 68, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.
LCMXO640C-4BN256C
Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO640C-4BN256C

Дел Акција: 6961

Број на лаборатории / CLB: 80, Број на логички елементи / ќелии: 640, Број на I / O: 159, Напон - Набавка: 1.71V ~ 3.465V,

Листа на желби.
LCMXO640E-5MN132C
Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO640E-5MN132C

Дел Акција: 6741

Број на лаборатории / CLB: 80, Број на логички елементи / ќелии: 640, Број на I / O: 101, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.
LCMXO2-2000ZE-2TG144C
Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO2-2000ZE-2TG144C

Дел Акција: 6672

Број на лаборатории / CLB: 264, Број на логички елементи / ќелии: 2112, Вкупни битови за RAM меморија: 75776, Број на I / O: 111, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.
LCMXO2-2000HC-6MG132C
Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO2-2000HC-6MG132C

Дел Акција: 6831

Број на лаборатории / CLB: 264, Број на логички елементи / ќелии: 2112, Вкупни битови за RAM меморија: 75776, Број на I / O: 104, Напон - Набавка: 2.375V ~ 3.465V,

Листа на желби.
LCMXO2-4000ZE-2MG132I
Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO2-4000ZE-2MG132I

Дел Акција: 6818

Број на лаборатории / CLB: 540, Број на логички елементи / ќелии: 4320, Вкупни битови за RAM меморија: 94208, Број на I / O: 104, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.
LCMXO3L-6900C-5BG256I
Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO3L-6900C-5BG256I

Дел Акција: 6861

Број на лаборатории / CLB: 858, Број на логички елементи / ќелии: 6864, Вкупни битови за RAM меморија: 245760, Број на I / O: 206, Напон - Набавка: 2.375V ~ 3.465V,

Листа на желби.
LFE5U-25F-7MG285I
Lattice Semiconductor Corporation

LFE5U-25F-7MG285I

Дел Акција: 6648

Број на лаборатории / CLB: 6000, Број на логички елементи / ќелии: 24000, Вкупни битови за RAM меморија: 1032192, Број на I / O: 118, Напон - Набавка: 1.045V ~ 1.155V,

Листа на желби.
LCMXO2-4000HE-6MG132C
Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO2-4000HE-6MG132C

Дел Акција: 6761

Број на лаборатории / CLB: 540, Број на логички елементи / ќелии: 4320, Вкупни битови за RAM меморија: 94208, Број на I / O: 104, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.
LCMXO640C-4MN100I
Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO640C-4MN100I

Дел Акција: 6952

Број на лаборатории / CLB: 80, Број на логички елементи / ќелии: 640, Број на I / O: 74, Напон - Набавка: 1.71V ~ 3.465V,

Листа на желби.
LCMXO3LF-9400E-6MG256C
Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO3LF-9400E-6MG256C

Дел Акција: 6692

Број на лаборатории / CLB: 1175, Број на логички елементи / ќелии: 9400, Вкупни битови за RAM меморија: 442368, Број на I / O: 206, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.
LCMXO2-2000HE-6MG132C
Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO2-2000HE-6MG132C

Дел Акција: 6852

Број на лаборатории / CLB: 264, Број на логички елементи / ќелии: 2112, Вкупни битови за RAM меморија: 75776, Број на I / O: 104, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.
LCMXO2-1200UHC-5FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO2-1200UHC-5FTG256C

Дел Акција: 6813

Број на лаборатории / CLB: 160, Број на логички елементи / ќелии: 1280, Вкупни битови за RAM меморија: 75776, Број на I / O: 206, Напон - Набавка: 2.375V ~ 3.465V,

Листа на желби.
LCMXO640E-5TN100C
Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO640E-5TN100C

Дел Акција: 6849

Број на лаборатории / CLB: 80, Број на логички елементи / ќелии: 640, Број на I / O: 74, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.
LCMXO2-4000HC-4MG132C
Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO2-4000HC-4MG132C

Дел Акција: 6855

Број на лаборатории / CLB: 540, Број на логички елементи / ќелии: 4320, Вкупни битови за RAM меморија: 94208, Број на I / O: 104, Напон - Набавка: 2.375V ~ 3.465V,

Листа на желби.
LCMXO640E-4MN100I
Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO640E-4MN100I

Дел Акција: 6968

Број на лаборатории / CLB: 80, Број на логички елементи / ќелии: 640, Број на I / O: 74, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.
LCMXO2-4000ZE-1QN84I
Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO2-4000ZE-1QN84I

Дел Акција: 6981

Број на лаборатории / CLB: 540, Број на логички елементи / ќелии: 4320, Вкупни битови за RAM меморија: 94208, Број на I / O: 68, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.
LCMXO2-2000HE-5TG144C
Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO2-2000HE-5TG144C

Дел Акција: 6727

Број на лаборатории / CLB: 264, Број на логички елементи / ќелии: 2112, Вкупни битови за RAM меморија: 75776, Број на I / O: 111, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.
LCMXO2-4000ZE-3MG132C
Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO2-4000ZE-3MG132C

Дел Акција: 6807

Број на лаборатории / CLB: 540, Број на логички елементи / ќелии: 4320, Вкупни битови за RAM меморија: 94208, Број на I / O: 104, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.
LCMXO2-2000HE-4TG144I
Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO2-2000HE-4TG144I

Дел Акција: 6704

Број на лаборатории / CLB: 264, Број на логички елементи / ќелии: 2112, Вкупни битови за RAM меморија: 75776, Број на I / O: 111, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.