Embedded - FPGAs (Field Programmable Gate Array) | Integrated Circuits (ICs) | 99

LCMXO2-640ZE-1TG100C

Дел Акција: 12401

Број на лаборатории / CLB: 80, Број на логички елементи / ќелии: 640, Вкупни битови за RAM меморија: 18432, Број на I / O: 78, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.

Lattice Semiconductor Corporation

LFE5U-12F-8MG285C

Дел Акција: 11655

Број на лаборатории / CLB: 3000, Број на логички елементи / ќелии: 12000, Вкупни битови за RAM меморија: 589824, Број на I / O: 118, Напон - Набавка: 1.045V ~ 1.155V,

Листа на желби.

Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO3L-2100E-6MG121C

Дел Акција: 14579

Број на лаборатории / CLB: 264, Број на логички елементи / ќелии: 2112, Вкупни битови за RAM меморија: 75776, Број на I / O: 100, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.

Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO2-1200ZE-2SG32I

Дел Акција: 14755

Број на лаборатории / CLB: 160, Број на логички елементи / ќелии: 1280, Вкупни битови за RAM меморија: 65536, Број на I / O: 21, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.

Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO2-256HC-5SG32C

Дел Акција: 22672

Број на лаборатории / CLB: 32, Број на логички елементи / ќелии: 256, Број на I / O: 21, Напон - Набавка: 2.375V ~ 3.465V,

Листа на желби.

Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO2-2000HC-4TG100C

Дел Акција: 7158

Број на лаборатории / CLB: 264, Број на логички елементи / ќелии: 2112, Вкупни битови за RAM меморија: 75776, Број на I / O: 79, Напон - Набавка: 2.375V ~ 3.465V,

Листа на желби.

Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO3L-4300E-5MG256C

Дел Акција: 10830

Број на лаборатории / CLB: 540, Број на логички елементи / ќелии: 4320, Вкупни битови за RAM меморија: 94208, Број на I / O: 206, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.

Lattice Semiconductor Corporation

LFE2-6SE-5TN144C

Дел Акција: 8075

Број на лаборатории / CLB: 750, Број на логички елементи / ќелии: 6000, Вкупни битови за RAM меморија: 56320, Број на I / O: 90, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.

Lattice Semiconductor Corporation

ICE40UL640-CM36AITR

Дел Акција: 42345

Број на лаборатории / CLB: 80, Број на логички елементи / ќелии: 640, Вкупни битови за RAM меморија: 57344, Број на I / O: 26, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.

Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO2-2000ZE-2TG100C

Дел Акција: 7544

Број на лаборатории / CLB: 264, Број на логички елементи / ќелии: 2112, Вкупни битови за RAM меморија: 75776, Број на I / O: 79, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.

Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO2-256HC-5MG132C

Дел Акција: 17253

Број на лаборатории / CLB: 32, Број на логички елементи / ќелии: 256, Број на I / O: 55, Напон - Набавка: 2.375V ~ 3.465V,

Листа на желби.

Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO1200C-4TN100C

Дел Акција: 10094

Број на лаборатории / CLB: 150, Број на логички елементи / ќелии: 1200, Вкупни битови за RAM меморија: 9421, Број на I / O: 73, Напон - Набавка: 1.71V ~ 3.465V,

Листа на желби.

Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO3LF-1300E-5MG121C

Дел Акција: 16363

Број на лаборатории / CLB: 160, Број на логички елементи / ќелии: 1280, Вкупни битови за RAM меморија: 65536, Број на I / O: 100, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.

Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO2-1200ZE-3MG132C

Дел Акција: 9337

Број на лаборатории / CLB: 160, Број на логички елементи / ќелии: 1280, Вкупни битови за RAM меморија: 65536, Број на I / O: 104, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.

Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO2-2000HE-4TG100I

Дел Акција: 6531

Број на лаборатории / CLB: 264, Број на логички елементи / ќелии: 2112, Вкупни битови за RAM меморија: 75776, Број на I / O: 79, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.

Lattice Semiconductor Corporation

ICE40LP4K-CM81TR1K

Дел Акција: 12621

Број на лаборатории / CLB: 440, Број на логички елементи / ќелии: 3520, Вкупни битови за RAM меморија: 81920, Број на I / O: 63, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.

Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO3L-2100E-6MG256C

Дел Акција: 11724

Број на лаборатории / CLB: 264, Број на логички елементи / ќелии: 2112, Вкупни битови за RAM меморија: 75776, Број на I / O: 206, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.

Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO256E-4MN100C

Дел Акција: 13672

Број на лаборатории / CLB: 32, Број на логички елементи / ќелии: 256, Број на I / O: 78, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.

Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO2-256ZE-1SG32C

Дел Акција: 30511

Број на лаборатории / CLB: 32, Број на логички елементи / ќелии: 256, Број на I / O: 21, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.

Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO2-640HC-4MG132I

Дел Акција: 10511

Број на лаборатории / CLB: 80, Број на логички елементи / ќелии: 640, Вкупни битови за RAM меморија: 18432, Број на I / O: 79, Напон - Набавка: 2.375V ~ 3.465V,

Листа на желби.

Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO2-640UHC-6TG144C

Дел Акција: 9561

Број на лаборатории / CLB: 80, Број на логички елементи / ќелии: 640, Вкупни битови за RAM меморија: 65536, Број на I / O: 107, Напон - Набавка: 2.375V ~ 3.465V,

Листа на желби.

Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO2-1200ZE-3TG144C

Дел Акција: 8243

Број на лаборатории / CLB: 160, Број на логички елементи / ќелии: 1280, Вкупни битови за RAM меморија: 65536, Број на I / O: 107, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.

Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO3LF-1300E-6MG121I

Дел Акција: 13227

Број на лаборатории / CLB: 160, Број на логички елементи / ќелии: 1280, Вкупни битови за RAM меморија: 65536, Број на I / O: 100, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.

Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO3LF-4300E-5MG324C

Дел Акција: 8684

Број на лаборатории / CLB: 540, Број на логички елементи / ќелии: 4320, Вкупни битови за RAM меморија: 94208, Број на I / O: 268, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.

Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO3LF-2100E-5MG121I

Дел Акција: 12084

Број на лаборатории / CLB: 264, Број на логички елементи / ќелии: 2112, Вкупни битови за RAM меморија: 75776, Број на I / O: 100, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.

Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO3L-2100C-5BG256I

Дел Акција: 7259

Број на лаборатории / CLB: 264, Број на логички елементи / ќелии: 2112, Вкупни битови за RAM меморија: 75776, Број на I / O: 206, Напон - Набавка: 2.375V ~ 3.465V,

Листа на желби.

Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO2-1200ZE-3TG100I

Дел Акција: 8591

Број на лаборатории / CLB: 160, Број на логички елементи / ќелии: 1280, Вкупни битови за RAM меморија: 65536, Број на I / O: 79, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.

Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO3LF-1300C-6BG256C

Дел Акција: 8226

Број на лаборатории / CLB: 160, Број на логички елементи / ќелии: 1280, Вкупни битови за RAM меморија: 65536, Број на I / O: 206, Напон - Набавка: 2.375V ~ 3.465V,

Листа на желби.

Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO2-1200HC-6MG132C

Дел Акција: 7838

Број на лаборатории / CLB: 160, Број на логички елементи / ќелии: 1280, Вкупни битови за RAM меморија: 65536, Број на I / O: 104, Напон - Набавка: 2.375V ~ 3.465V,

Листа на желби.

Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO2-256ZE-2SG32C

Дел Акција: 27081

Број на лаборатории / CLB: 32, Број на логички елементи / ќелии: 256, Број на I / O: 21, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.

Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO2-256ZE-3SG32I

Дел Акција: 21548

Број на лаборатории / CLB: 32, Број на логички елементи / ќелии: 256, Број на I / O: 21, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.

Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO3LF-6900E-5MG256C

Дел Акција: 7604

Број на лаборатории / CLB: 858, Број на логички елементи / ќелии: 6864, Вкупни битови за RAM меморија: 245760, Број на I / O: 206, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.

Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO3L-4300E-5UWG81ITR1K

Дел Акција: 18506

Број на лаборатории / CLB: 540, Број на логички елементи / ќелии: 4320, Вкупни битови за RAM меморија: 94208, Број на I / O: 63, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.

Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO3LF-2100E-5UWG49CTR1K

Дел Акција: 21016

Број на лаборатории / CLB: 264, Број на логички елементи / ќелии: 2112, Вкупни битови за RAM меморија: 75776, Број на I / O: 38, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.

Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO640C-3TN100C

Дел Акција: 7927

Број на лаборатории / CLB: 80, Број на логички елементи / ќелии: 640, Број на I / O: 74, Напон - Набавка: 1.71V ~ 3.465V,

Листа на желби.

Lattice Semiconductor Corporation

ICE40LM4K-CM49TR1K

Дел Акција: 11790

Број на лаборатории / CLB: 440, Број на логички елементи / ќелии: 3520, Вкупни битови за RAM меморија: 81920, Број на I / O: 37, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.