Menu
МакедонскиМакедонски
Rfqs / цел
0Rfqs / цел

Embedded - FPGAs (Field Programmable Gate Array)

  • Дома
  •  
  • Embedded - FPGAs (Field Programmable Gate Array)
LCMXO3L-2100C-5BG256C
Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO3L-2100C-5BG256C

Дел Акција: 8048

Број на лаборатории / CLB: 264, Број на логички елементи / ќелии: 2112, Вкупни битови за RAM меморија: 75776, Број на I / O: 206, Напон - Набавка: 2.375V ~ 3.465V,

Листа на желби.
LCMXO2-256HC-6UMG64I
Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO2-256HC-6UMG64I

Дел Акција: 18195

Број на лаборатории / CLB: 32, Број на логички елементи / ќелии: 256, Број на I / O: 44, Напон - Набавка: 2.375V ~ 3.465V,

Листа на желби.
LCMXO2-1200HC-5TG144C
Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO2-1200HC-5TG144C

Дел Акција: 8859

Број на лаборатории / CLB: 160, Број на логички елементи / ќелии: 1280, Вкупни битови за RAM меморија: 65536, Број на I / O: 107, Напон - Набавка: 2.375V ~ 3.465V,

Листа на желби.
LCMXO2-640HC-5TG100C
Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO2-640HC-5TG100C

Дел Акција: 12857

Број на лаборатории / CLB: 80, Број на логички елементи / ќелии: 640, Вкупни битови за RAM меморија: 18432, Број на I / O: 78, Напон - Набавка: 2.375V ~ 3.465V,

Листа на желби.
LCMXO2-640HC-6MG132I
Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO2-640HC-6MG132I

Дел Акција: 10543

Број на лаборатории / CLB: 80, Број на логички елементи / ќелии: 640, Вкупни битови за RAM меморија: 18432, Број на I / O: 79, Напон - Набавка: 2.375V ~ 3.465V,

Листа на желби.
LCMXO2-640ZE-2TG100I
Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO2-640ZE-2TG100I

Дел Акција: 11710

Број на лаборатории / CLB: 80, Број на логички елементи / ќелии: 640, Вкупни битови за RAM меморија: 18432, Број на I / O: 78, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.
LCMXO640E-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO640E-3MN100C

Дел Акција: 9017

Број на лаборатории / CLB: 80, Број на логички елементи / ќелии: 640, Број на I / O: 74, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.
LCMXO3L-2100E-5UWG49ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO3L-2100E-5UWG49ITR1K

Дел Акција: 22862

Број на лаборатории / CLB: 264, Број на логички елементи / ќелии: 2112, Вкупни битови за RAM меморија: 75776, Број на I / O: 38, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.
LCMXO1200C-4TN144C
Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO1200C-4TN144C

Дел Акција: 9220

Број на лаборатории / CLB: 150, Број на логички елементи / ќелии: 1200, Вкупни битови за RAM меморија: 9421, Број на I / O: 113, Напон - Набавка: 1.71V ~ 3.465V,

Листа на желби.
LCMXO3L-4300E-5UWG81CTR
Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO3L-4300E-5UWG81CTR

Дел Акција: 20390

Број на лаборатории / CLB: 540, Број на логички елементи / ќелии: 4320, Вкупни битови за RAM меморија: 94208, Број на I / O: 63, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.
ICE40HX8K-CB132
Lattice Semiconductor Corporation

ICE40HX8K-CB132

Дел Акција: 7634

Број на лаборатории / CLB: 960, Број на логички елементи / ќелии: 7680, Вкупни битови за RAM меморија: 131072, Број на I / O: 95, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.
LCMXO3LF-1300E-6MG256I
Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO3LF-1300E-6MG256I

Дел Акција: 10724

Број на лаборатории / CLB: 160, Број на логички елементи / ќелии: 1280, Вкупни битови за RAM меморија: 65536, Број на I / O: 206, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.
LCMXO2-256HC-6TG100C
Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO2-256HC-6TG100C

Дел Акција: 16750

Број на лаборатории / CLB: 32, Број на логички елементи / ќелии: 256, Број на I / O: 55, Напон - Набавка: 2.375V ~ 3.465V,

Листа на желби.
ICE40LM4K-SWG25TR
Lattice Semiconductor Corporation

ICE40LM4K-SWG25TR

Дел Акција: 15568

Број на лаборатории / CLB: 440, Број на логички елементи / ќелии: 3520, Вкупни битови за RAM меморија: 81920, Број на I / O: 18, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.
LCMXO3L-6900E-6MG256C
Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO3L-6900E-6MG256C

Дел Акција: 8192

Број на лаборатории / CLB: 858, Број на логички елементи / ќелии: 6864, Вкупни битови за RAM меморија: 245760, Број на I / O: 206, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.
ICE40LP8K-CM121
Lattice Semiconductor Corporation

ICE40LP8K-CM121

Дел Акција: 7701

Број на лаборатории / CLB: 960, Број на логички елементи / ќелии: 7680, Вкупни битови за RAM меморија: 131072, Број на I / O: 93, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.
LCMXO2-640HC-4MG132C
Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO2-640HC-4MG132C

Дел Акција: 11525

Број на лаборатории / CLB: 80, Број на логички елементи / ќелии: 640, Вкупни битови за RAM меморија: 18432, Број на I / O: 79, Напон - Набавка: 2.375V ~ 3.465V,

Листа на желби.
ICE40LM2K-CM36
Lattice Semiconductor Corporation

ICE40LM2K-CM36

Дел Акција: 13905

Број на лаборатории / CLB: 250, Број на логички елементи / ќелии: 2000, Вкупни битови за RAM меморија: 81920, Број на I / O: 28, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.
LCMXO2-1200HC-6SG32C
Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO2-1200HC-6SG32C

Дел Акција: 18460

Број на лаборатории / CLB: 160, Број на логички елементи / ќелии: 1280, Вкупни битови за RAM меморија: 65536, Број на I / O: 21, Напон - Набавка: 2.375V ~ 3.465V,

Листа на желби.
LCMXO2-256HC-6UMG64C
Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO2-256HC-6UMG64C

Дел Акција: 20003

Број на лаборатории / CLB: 32, Број на логички елементи / ќелии: 256, Број на I / O: 44, Напон - Набавка: 2.375V ~ 3.465V,

Листа на желби.
ICE40UL640-CM36AITR1K
Lattice Semiconductor Corporation

ICE40UL640-CM36AITR1K

Дел Акција: 42257

Број на лаборатории / CLB: 80, Број на логички елементи / ќелии: 640, Вкупни битови за RAM меморија: 57344, Број на I / O: 26, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.
LCMXO3LF-9400E-5MG256C
Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO3LF-9400E-5MG256C

Дел Акција: 7332

Број на лаборатории / CLB: 1175, Број на логички елементи / ќелии: 9400, Вкупни битови за RAM меморија: 442368, Број на I / O: 206, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.
LCMXO2-640ZE-1TG100I
Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO2-640ZE-1TG100I

Дел Акција: 12859

Број на лаборатории / CLB: 80, Број на логички елементи / ќелии: 640, Вкупни битови за RAM меморија: 18432, Број на I / O: 78, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.
ICE40LP1K-CM49TR
Lattice Semiconductor Corporation

ICE40LP1K-CM49TR

Дел Акција: 19260

Број на лаборатории / CLB: 160, Број на логички елементи / ќелии: 1280, Вкупни битови за RAM меморија: 65536, Број на I / O: 35, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.
LCMXO2-1200HC-5SG32I
Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO2-1200HC-5SG32I

Дел Акција: 16186

Број на лаборатории / CLB: 160, Број на логички елементи / ќелии: 1280, Вкупни битови за RAM меморија: 65536, Број на I / O: 21, Напон - Набавка: 2.375V ~ 3.465V,

Листа на желби.
ICE40LP4K-CM121
Lattice Semiconductor Corporation

ICE40LP4K-CM121

Дел Акција: 12563

Број на лаборатории / CLB: 440, Број на логички елементи / ќелии: 3520, Вкупни битови за RAM меморија: 81920, Број на I / O: 93, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.
ICE40UL1K-SWG16ITR
Lattice Semiconductor Corporation

ICE40UL1K-SWG16ITR

Дел Акција: 53653

Број на лаборатории / CLB: 156, Број на логички елементи / ќелии: 1248, Вкупни битови за RAM меморија: 57344, Број на I / O: 10, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.
LCMXO2-640HC-6TG100I
Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO2-640HC-6TG100I

Дел Акција: 10610

Број на лаборатории / CLB: 80, Број на логички елементи / ќелии: 640, Вкупни битови за RAM меморија: 18432, Број на I / O: 78, Напон - Набавка: 2.375V ~ 3.465V,

Листа на желби.
LCMXO2-1200HC-6TG100C
Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO2-1200HC-6TG100C

Дел Акција: 8248

Број на лаборатории / CLB: 160, Број на логички елементи / ќелии: 1280, Вкупни битови за RAM меморија: 65536, Број на I / O: 79, Напон - Набавка: 2.375V ~ 3.465V,

Листа на желби.
LCMXO2-1200HC-4TG144I
Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO2-1200HC-4TG144I

Дел Акција: 7678

Број на лаборатории / CLB: 160, Број на логички елементи / ќелии: 1280, Вкупни битови за RAM меморија: 65536, Број на I / O: 107, Напон - Набавка: 2.375V ~ 3.465V,

Листа на желби.
ICE40LM2K-SWG25TR1K
Lattice Semiconductor Corporation

ICE40LM2K-SWG25TR1K

Дел Акција: 18647

Број на лаборатории / CLB: 250, Број на логички елементи / ќелии: 2000, Вкупни битови за RAM меморија: 81920, Број на I / O: 18, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.
LCMXO3LF-4300E-5MG256C
Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO3LF-4300E-5MG256C

Дел Акција: 9043

Број на лаборатории / CLB: 540, Број на логички елементи / ќелии: 4320, Вкупни битови за RAM меморија: 94208, Број на I / O: 206, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.
LCMXO3LF-4300C-5BG256C
Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO3LF-4300C-5BG256C

Дел Акција: 7367

Број на лаборатории / CLB: 540, Број на логички елементи / ќелии: 4320, Вкупни битови за RAM меморија: 94208, Број на I / O: 206, Напон - Набавка: 2.375V ~ 3.465V,

Листа на желби.
LCMXO2-1200ZE-1TG100I
Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO2-1200ZE-1TG100I

Дел Акција: 9011

Број на лаборатории / CLB: 160, Број на логички елементи / ќелии: 1280, Вкупни битови за RAM меморија: 65536, Број на I / O: 79, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.
LCMXO2-256ZE-3MG132C
Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO2-256ZE-3MG132C

Дел Акција: 15962

Број на лаборатории / CLB: 32, Број на логички елементи / ќелии: 256, Број на I / O: 55, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.
LCMXO640C-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO640C-3MN100C

Дел Акција: 7546

Број на лаборатории / CLB: 80, Број на логички елементи / ќелии: 640, Број на I / O: 74, Напон - Набавка: 1.71V ~ 3.465V,

Листа на желби.