Embedded - FPGAs (Field Programmable Gate Array) | Integrated Circuits (ICs) | 100

Microsemi Corporation

A42MX16-PQG160

Дел Акција: 529

Број на I / O: 125, Број на Гејтс: 24000, Напон - Набавка: 3V ~ 3.6V, 4.75V ~ 5.25V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

AFS250-2FGG256I

Дел Акција: 636

Вкупни битови за RAM меморија: 36864, Број на I / O: 114, Број на Гејтс: 250000, Напон - Набавка: 1.425V ~ 1.575V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

AFS250-2FG256I

Дел Акција: 572

Вкупни битови за RAM меморија: 36864, Број на I / O: 114, Број на Гејтс: 250000, Напон - Набавка: 1.425V ~ 1.575V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

A42MX09-2PLG84I

Дел Акција: 566

Број на I / O: 72, Број на Гејтс: 14000, Напон - Набавка: 3V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

A54SX32A-TQG100I

Дел Акција: 627

Број на лаборатории / CLB: 2880, Број на I / O: 81, Број на Гејтс: 48000, Напон - Набавка: 2.25V ~ 5.25V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

A54SX32A-1TQG100

Дел Акција: 639

Број на лаборатории / CLB: 2880, Број на I / O: 81, Број на Гејтс: 48000, Напон - Набавка: 2.25V ~ 5.25V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

AGL1000V2-FG256I

Дел Акција: 673

Број на логички елементи / ќелии: 24576, Вкупни битови за RAM меморија: 147456, Број на I / O: 177, Број на Гејтс: 1000000, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.575V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

AFS600-FGG256

Дел Акција: 644

Вкупни битови за RAM меморија: 110592, Број на I / O: 119, Број на Гејтс: 600000, Напон - Набавка: 1.425V ~ 1.575V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

A54SX32A-TQG100A

Дел Акција: 629

Број на лаборатории / CLB: 2880, Број на I / O: 81, Број на Гејтс: 48000, Напон - Набавка: 2.25V ~ 5.25V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

A42MX09-2PQG100I

Дел Акција: 548

Број на I / O: 83, Број на Гејтс: 14000, Напон - Набавка: 3V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

AGLN125V5-ZCSG81I

Дел Акција: 8518

Број на логички елементи / ќелии: 3072, Вкупни битови за RAM меморија: 36864, Број на I / O: 60, Број на Гејтс: 125000, Напон - Набавка: 1.425V ~ 1.575V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

AGL125V5-VQG100I

Дел Акција: 8564

Број на логички елементи / ќелии: 3072, Вкупни битови за RAM меморија: 36864, Број на I / O: 71, Број на Гејтс: 250000, Напон - Набавка: 1.425V ~ 1.575V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

AGLN030V5-ZQNG48

Дел Акција: 8513

Број на логички елементи / ќелии: 768, Број на I / O: 34, Број на Гејтс: 30000, Напон - Набавка: 1.425V ~ 1.575V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

A42MX09-2VQG100I

Дел Акција: 638

Број на I / O: 83, Број на Гејтс: 14000, Напон - Набавка: 3V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

A3PN250-Z2VQG100

Дел Акција: 8518

Вкупни битови за RAM меморија: 36864, Број на I / O: 68, Број на Гејтс: 250000, Напон - Набавка: 1.425V ~ 1.575V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

A54SX32A-1TQG176

Дел Акција: 8325

Број на лаборатории / CLB: 2880, Број на I / O: 147, Број на Гејтс: 48000, Напон - Набавка: 2.25V ~ 5.25V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

AGLE3000V2-FGG896

Дел Акција: 8295

Број на логички елементи / ќелии: 75264, Вкупни битови за RAM меморија: 516096, Број на I / O: 620, Број на Гејтс: 3000000, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.575V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

A1440A-PLG84I

Дел Акција: 7877

Број на лаборатории / CLB: 564, Број на I / O: 70, Број на Гејтс: 4000, Напон - Набавка: 4.5V ~ 5.5V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

AFS600-1FG484

Дел Акција: 654

Вкупни битови за RAM меморија: 110592, Број на I / O: 172, Број на Гејтс: 600000, Напон - Набавка: 1.425V ~ 1.575V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

AFS600-1FGG484

Дел Акција: 581

Вкупни битови за RAM меморија: 110592, Број на I / O: 172, Број на Гејтс: 600000, Напон - Набавка: 1.425V ~ 1.575V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

A10V20B-PLG84C

Дел Акција: 8240

Број на лаборатории / CLB: 547, Број на I / O: 69, Број на Гејтс: 2000, Напон - Набавка: 2.7V ~ 3.6V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

A1020B-PLG84I

Дел Акција: 8147

Број на лаборатории / CLB: 547, Број на I / O: 69, Број на Гејтс: 2000, Напон - Набавка: 4.5V ~ 5.5V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

A1020B-CQ84M

Дел Акција: 8090

Број на лаборатории / CLB: 547, Број на I / O: 69, Број на Гејтс: 2000, Напон - Набавка: 4.5V ~ 5.5V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

A54SX32A-FG256

Дел Акција: 649

Број на лаборатории / CLB: 2880, Број на I / O: 203, Број на Гејтс: 48000, Напон - Набавка: 2.25V ~ 5.25V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

AFS250-1FGG256I

Дел Акција: 628

Вкупни битови за RAM меморија: 36864, Број на I / O: 114, Број на Гејтс: 250000, Напон - Набавка: 1.425V ~ 1.575V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

APA150-TQG100I

Дел Акција: 656

Вкупни битови за RAM меморија: 36864, Број на I / O: 66, Број на Гејтс: 150000, Напон - Набавка: 2.3V ~ 2.7V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

AFS250-1FG256I

Дел Акција: 629

Вкупни битови за RAM меморија: 36864, Број на I / O: 114, Број на Гејтс: 250000, Напон - Набавка: 1.425V ~ 1.575V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

A42MX09-2PQG100

Дел Акција: 614

Број на I / O: 83, Број на Гејтс: 14000, Напон - Набавка: 3V ~ 3.6V, 4.75V ~ 5.25V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

A54SX08-FGG144

Дел Акција: 611

Број на лаборатории / CLB: 768, Број на I / O: 111, Број на Гејтс: 12000, Напон - Набавка: 3V ~ 3.6V, 4.75V ~ 5.25V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

A54SX08-FG144

Дел Акција: 662

Број на лаборатории / CLB: 768, Број на I / O: 111, Број на Гејтс: 12000, Напон - Набавка: 3V ~ 3.6V, 4.75V ~ 5.25V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

A3P250-VQG100M

Дел Акција: 657

Вкупни битови за RAM меморија: 36864, Број на I / O: 68, Број на Гејтс: 250000, Напон - Набавка: 1.425V ~ 1.575V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

AX250-FG256

Дел Акција: 596

Број на лаборатории / CLB: 4224, Вкупни битови за RAM меморија: 55296, Број на I / O: 138, Број на Гејтс: 250000, Напон - Набавка: 1.425V ~ 1.575V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

AX250-FGG256

Дел Акција: 621

Број на лаборатории / CLB: 4224, Вкупни битови за RAM меморија: 55296, Број на I / O: 138, Број на Гејтс: 250000, Напон - Набавка: 1.425V ~ 1.575V,