Embedded - FPGAs (Field Programmable Gate Array) | Integrated Circuits (ICs) | 100

A54SX16A-1TQG100I

Дел Акција: 818

Број на лаборатории / CLB: 1452, Број на I / O: 81, Број на Гејтс: 24000, Напон - Набавка: 2.25V ~ 5.25V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

A54SX16A-2TQG144

Дел Акција: 855

Број на лаборатории / CLB: 1452, Број на I / O: 113, Број на Гејтс: 24000, Напон - Набавка: 2.25V ~ 5.25V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

A54SX16A-1TQG144I

Дел Акција: 843

Број на лаборатории / CLB: 1452, Број на I / O: 113, Број на Гејтс: 24000, Напон - Набавка: 2.25V ~ 5.25V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

A40MX04-2VQG80I

Дел Акција: 768

Број на I / O: 69, Број на Гејтс: 6000, Напон - Набавка: 3V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

A40MX04-3PLG44

Дел Акција: 783

Број на I / O: 34, Број на Гејтс: 6000, Напон - Набавка: 3V ~ 3.6V, 4.75V ~ 5.25V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

A3P1000-2FG256I

Дел Акција: 992

Вкупни битови за RAM меморија: 147456, Број на I / O: 177, Број на Гејтс: 1000000, Напон - Набавка: 1.425V ~ 1.575V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

A54SX16A-1PQG208

Дел Акција: 871

Број на лаборатории / CLB: 1452, Број на I / O: 175, Број на Гејтс: 24000, Напон - Набавка: 2.25V ~ 5.25V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

AGL1000V5-FG256

Дел Акција: 790

Број на логички елементи / ќелии: 24576, Вкупни битови за RAM меморија: 147456, Број на I / O: 177, Број на Гејтс: 1000000, Напон - Набавка: 1.425V ~ 1.575V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

AGL1000V5-FGG256

Дел Акција: 795

Број на логички елементи / ќелии: 24576, Вкупни битови за RAM меморија: 147456, Број на I / O: 177, Број на Гејтс: 1000000, Напон - Набавка: 1.425V ~ 1.575V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

A42MX16-FTQG176

Дел Акција: 798

Број на I / O: 140, Број на Гејтс: 24000, Напон - Набавка: 3V ~ 3.6V, 4.75V ~ 5.25V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

A40MX02-2VQG80I

Дел Акција: 865

Број на I / O: 57, Број на Гејтс: 3000, Напон - Набавка: 3V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

A3P1000-2FGG484I

Дел Акција: 796

Вкупни битови за RAM меморија: 147456, Број на I / O: 300, Број на Гејтс: 1000000, Напон - Набавка: 1.425V ~ 1.575V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

A3P1000-2FG484I

Дел Акција: 845

Вкупни битови за RAM меморија: 147456, Број на I / O: 300, Број на Гејтс: 1000000, Напон - Набавка: 1.425V ~ 1.575V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

APA150-FG144A

Дел Акција: 883

Вкупни битови за RAM меморија: 36864, Број на I / O: 100, Број на Гејтс: 150000, Напон - Набавка: 2.375V ~ 2.625V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

APA150-FGG144A

Дел Акција: 844

Вкупни битови за RAM меморија: 36864, Број на I / O: 100, Број на Гејтс: 150000, Напон - Набавка: 2.375V ~ 2.625V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

A40MX02-3PQG100

Дел Акција: 850

Број на I / O: 57, Број на Гејтс: 3000, Напон - Набавка: 3V ~ 3.6V, 4.75V ~ 5.25V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

AGLE600V5-FG256

Дел Акција: 902

Број на логички елементи / ќелии: 13824, Вкупни битови за RAM меморија: 110592, Број на I / O: 165, Број на Гејтс: 600000, Напон - Набавка: 1.425V ~ 1.575V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

AGLE600V5-FGG256

Дел Акција: 909

Број на логички елементи / ќелии: 13824, Вкупни битови за RAM меморија: 110592, Број на I / O: 165, Број на Гејтс: 600000, Напон - Набавка: 1.425V ~ 1.575V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

A40MX04-1VQG80I

Дел Акција: 855

Број на I / O: 69, Број на Гејтс: 6000, Напон - Набавка: 3V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

A54SX32A-FTQG100

Дел Акција: 917

Број на лаборатории / CLB: 2880, Број на I / O: 81, Број на Гејтс: 48000, Напон - Набавка: 2.25V ~ 5.25V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

APA150-PQG208A

Дел Акција: 908

Вкупни битови за RAM меморија: 36864, Број на I / O: 158, Број на Гејтс: 150000, Напон - Набавка: 2.375V ~ 2.625V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

AGL1000V5-CS281

Дел Акција: 829

Број на логички елементи / ќелии: 24576, Вкупни битови за RAM меморија: 147456, Број на I / O: 215, Број на Гејтс: 1000000, Напон - Набавка: 1.425V ~ 1.575V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

A3P1000-FGG484I

Дел Акција: 840

Вкупни битови за RAM меморија: 147456, Број на I / O: 300, Број на Гејтс: 1000000, Напон - Набавка: 1.425V ~ 1.575V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

A3P1000-FG484I

Дел Акција: 889

Вкупни битови за RAM меморија: 147456, Број на I / O: 300, Број на Гејтс: 1000000, Напон - Набавка: 1.425V ~ 1.575V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

A3P1000-2PQG208I

Дел Акција: 883

Вкупни битови за RAM меморија: 147456, Број на I / O: 154, Број на Гејтс: 1000000, Напон - Набавка: 1.425V ~ 1.575V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

A3P1000L-1FG256

Дел Акција: 931

Вкупни битови за RAM меморија: 147456, Број на I / O: 177, Број на Гејтс: 1000000, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.575V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

A3P1000L-1FGG256

Дел Акција: 896

Вкупни битови за RAM меморија: 147456, Број на I / O: 177, Број на Гејтс: 1000000, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.575V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

A40MX02-3PLG68I

Дел Акција: 845

Број на I / O: 57, Број на Гејтс: 3000, Напон - Набавка: 3V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

A40MX02-1VQG80I

Дел Акција: 855

Број на I / O: 57, Број на Гејтс: 3000, Напон - Набавка: 3V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

A42MX16-FPQG160

Дел Акција: 852

Број на I / O: 125, Број на Гејтс: 24000, Напон - Набавка: 3V ~ 3.6V, 4.75V ~ 5.25V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

A54SX16A-PQG208A

Дел Акција: 892

Број на лаборатории / CLB: 1452, Број на I / O: 175, Број на Гејтс: 24000, Напон - Набавка: 2.25V ~ 5.25V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

APA150-PQG208

Дел Акција: 949

Вкупни битови за RAM меморија: 36864, Број на I / O: 158, Број на Гејтс: 150000, Напон - Набавка: 2.3V ~ 2.7V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

A3P1000-FGG144I

Дел Акција: 1022

Вкупни битови за RAM меморија: 147456, Број на I / O: 97, Број на Гејтс: 1000000, Напон - Набавка: 1.425V ~ 1.575V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

A3P1000-1FGG484I

Дел Акција: 863

Вкупни битови за RAM меморија: 147456, Број на I / O: 300, Број на Гејтс: 1000000, Напон - Набавка: 1.425V ~ 1.575V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

A3P1000-1FG484I

Дел Акција: 885

Вкупни битови за RAM меморија: 147456, Број на I / O: 300, Број на Гејтс: 1000000, Напон - Набавка: 1.425V ~ 1.575V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

A54SX08A-2TQG100I

Дел Акција: 913

Број на лаборатории / CLB: 768, Број на I / O: 81, Број на Гејтс: 12000, Напон - Набавка: 2.25V ~ 5.25V,

Листа на желби.