Embedded - FPGAs (Field Programmable Gate Array) | Integrated Circuits (ICs) | 100

A3P250-FGG256T

Дел Акција: 1117

Вкупни битови за RAM меморија: 36864, Број на I / O: 157, Број на Гејтс: 250000, Напон - Набавка: 1.425V ~ 1.575V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

A3P250-FG256T

Дел Акција: 1144

Вкупни битови за RAM меморија: 36864, Број на I / O: 157, Број на Гејтс: 250000, Напон - Набавка: 1.425V ~ 1.575V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

AGL600V5-FG144I

Дел Акција: 1121

Број на логички елементи / ќелии: 13824, Вкупни битови за RAM меморија: 110592, Број на I / O: 97, Број на Гејтс: 600000, Напон - Набавка: 1.425V ~ 1.575V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

A40MX02-2PQG100

Дел Акција: 1171

Број на I / O: 57, Број на Гејтс: 3000, Напон - Набавка: 3V ~ 3.6V, 4.75V ~ 5.25V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

A40MX04-1PLG84

Дел Акција: 1116

Број на I / O: 69, Број на Гејтс: 6000, Напон - Набавка: 3V ~ 3.6V, 4.75V ~ 5.25V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

A40MX04-PLG84I

Дел Акција: 1112

Број на I / O: 69, Број на Гејтс: 6000, Напон - Набавка: 3V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

A40MX02-2PLG68I

Дел Акција: 1104

Број на I / O: 57, Број на Гејтс: 3000, Напон - Набавка: 3V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

A54SX08A-TQG144A

Дел Акција: 1154

Број на лаборатории / CLB: 768, Број на I / O: 113, Број на Гејтс: 12000, Напон - Набавка: 2.25V ~ 5.25V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

AGL600V2-FG144

Дел Акција: 1121

Број на логички елементи / ќелии: 13824, Вкупни битови за RAM меморија: 110592, Број на I / O: 97, Број на Гејтс: 600000, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.575V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

A3P600-2FGG484I

Дел Акција: 1187

Вкупни битови за RAM меморија: 110592, Број на I / O: 235, Број на Гејтс: 600000, Напон - Набавка: 1.425V ~ 1.575V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

A40MX04-1PLG68

Дел Акција: 1185

Број на I / O: 57, Број на Гејтс: 6000, Напон - Набавка: 3V ~ 3.6V, 4.75V ~ 5.25V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

A40MX04-PLG68I

Дел Акција: 1129

Број на I / O: 57, Број на Гејтс: 6000, Напон - Набавка: 3V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

A3P1000-1FGG256

Дел Акција: 1116

Вкупни битови за RAM меморија: 147456, Број на I / O: 177, Број на Гејтс: 1000000, Напон - Набавка: 1.425V ~ 1.575V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

A3P1000-1FG256

Дел Акција: 1143

Вкупни битови за RAM меморија: 147456, Број на I / O: 177, Број на Гејтс: 1000000, Напон - Набавка: 1.425V ~ 1.575V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

AGL600V5-CS281

Дел Акција: 1134

Број на логички елементи / ќелии: 13824, Вкупни битови за RAM меморија: 110592, Број на I / O: 215, Број на Гејтс: 600000, Напон - Набавка: 1.425V ~ 1.575V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

A54SX16A-TQG144

Дел Акција: 1107

Број на лаборатории / CLB: 1452, Број на I / O: 113, Број на Гејтс: 24000, Напон - Набавка: 2.25V ~ 5.25V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

A54SX16A-TQG100

Дел Акција: 1075

Број на лаборатории / CLB: 1452, Број на I / O: 81, Број на Гејтс: 24000, Напон - Набавка: 2.25V ~ 5.25V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

A40MX04-VQG80

Дел Акција: 1130

Број на I / O: 69, Број на Гејтс: 6000, Напон - Набавка: 3V ~ 3.6V, 4.75V ~ 5.25V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

A40MX04-PLG84A

Дел Акција: 1109

Број на I / O: 69, Број на Гејтс: 6000, Напон - Набавка: 3V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

A40MX02-2PLG44I

Дел Акција: 1147

Број на I / O: 34, Број на Гејтс: 3000, Напон - Набавка: 3V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

A40MX04-1PLG44

Дел Акција: 1192

Број на I / O: 34, Број на Гејтс: 6000, Напон - Набавка: 3V ~ 3.6V, 4.75V ~ 5.25V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

A40MX04-PLG44I

Дел Акција: 1116

Број на I / O: 34, Број на Гејтс: 6000, Напон - Набавка: 3V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

A40MX04-PLG84

Дел Акција: 1177

Број на I / O: 69, Број на Гејтс: 6000, Напон - Набавка: 3V ~ 3.6V, 4.75V ~ 5.25V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

A54SX08A-TQG100I

Дел Акција: 1188

Број на лаборатории / CLB: 768, Број на I / O: 81, Број на Гејтс: 12000, Напон - Набавка: 2.25V ~ 5.25V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

A54SX08A-1TQG100

Дел Акција: 1214

Број на лаборатории / CLB: 768, Број на I / O: 81, Број на Гејтс: 12000, Напон - Набавка: 2.25V ~ 5.25V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

A3P1000-2FG144

Дел Акција: 1192

Вкупни битови за RAM меморија: 147456, Број на I / O: 97, Број на Гејтс: 1000000, Напон - Набавка: 1.425V ~ 1.575V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

A3P1000-2FGG144

Дел Акција: 1134

Вкупни битови за RAM меморија: 147456, Број на I / O: 97, Број на Гејтс: 1000000, Напон - Набавка: 1.425V ~ 1.575V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

A40MX02-VQG80

Дел Акција: 1133

Број на I / O: 57, Број на Гејтс: 3000, Напон - Набавка: 3V ~ 3.6V, 4.75V ~ 5.25V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

A3P600L-FG484

Дел Акција: 1152

Вкупни битови за RAM меморија: 110592, Број на I / O: 235, Број на Гејтс: 600000, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.575V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

A3PE600-2FG256

Дел Акција: 1180

Вкупни битови за RAM меморија: 110592, Број на I / O: 165, Број на Гејтс: 600000, Напон - Набавка: 1.425V ~ 1.575V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

A40MX04-PLG68

Дел Акција: 1162

Број на I / O: 57, Број на Гејтс: 6000, Напон - Набавка: 3V ~ 3.6V, 4.75V ~ 5.25V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

A3PE600-2FGG256

Дел Акција: 1167

Вкупни битови за RAM меморија: 110592, Број на I / O: 165, Број на Гејтс: 600000, Напон - Набавка: 1.425V ~ 1.575V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

A3PE600-FG484

Дел Акција: 1226

Вкупни битови за RAM меморија: 110592, Број на I / O: 270, Број на Гејтс: 600000, Напон - Набавка: 1.425V ~ 1.575V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

A3PE600-FGG484

Дел Акција: 110

Вкупни битови за RAM меморија: 110592, Број на I / O: 270, Број на Гејтс: 600000, Напон - Набавка: 1.425V ~ 1.575V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

A3P250-1FG144T

Дел Акција: 1193

Вкупни битови за RAM меморија: 36864, Број на I / O: 97, Број на Гејтс: 250000, Напон - Набавка: 1.425V ~ 1.575V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

A3P250-1FGG144T

Дел Акција: 1204

Вкупни битови за RAM меморија: 36864, Број на I / O: 97, Број на Гејтс: 250000, Напон - Набавка: 1.425V ~ 1.575V,

Листа на желби.