Menu
МакедонскиМакедонски
Rfqs / цел
0Rfqs / цел

Embedded - FPGAs (Field Programmable Gate Array)

  • Дома
  •  
  • Embedded - FPGAs (Field Programmable Gate Array)
AGLP125V2-CSG289I
Microsemi Corporation

AGLP125V2-CSG289I

Дел Акција: 7488

Број на логички елементи / ќелии: 3120, Вкупни битови за RAM меморија: 36864, Број на I / O: 212, Број на Гејтс: 125000, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.575V,

Листа на желби.
AGLP125V5-CS289I
Microsemi Corporation

AGLP125V5-CS289I

Дел Акција: 7446

Број на логички елементи / ќелии: 3120, Вкупни битови за RAM меморија: 36864, Број на I / O: 212, Број на Гејтс: 125000, Напон - Набавка: 1.425V ~ 1.575V,

Листа на желби.
AGLP060V2-CSG289
Microsemi Corporation

AGLP060V2-CSG289

Дел Акција: 7426

Број на логички елементи / ќелии: 1584, Вкупни битови за RAM меморија: 18432, Број на I / O: 157, Број на Гејтс: 60000, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.575V,

Листа на желби.
AGLP060V5-CSG289
Microsemi Corporation

AGLP060V5-CSG289

Дел Акција: 7424

Број на логички елементи / ќелии: 1584, Вкупни битови за RAM меморија: 18432, Број на I / O: 157, Број на Гејтс: 60000, Напон - Набавка: 1.425V ~ 1.575V,

Листа на желби.
AGLP125V2-CSG289
Microsemi Corporation

AGLP125V2-CSG289

Дел Акција: 7460

Број на логички елементи / ќелии: 3120, Вкупни битови за RAM меморија: 36864, Број на I / O: 212, Број на Гејтс: 125000, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.575V,

Листа на желби.
A40MX02-FPQ100
Microsemi Corporation

A40MX02-FPQ100

Дел Акција: 2216

Број на I / O: 57, Број на Гејтс: 3000, Напон - Набавка: 3V ~ 3.6V, 4.75V ~ 5.25V,

Листа на желби.
A40MX02-FPQG100
Microsemi Corporation

A40MX02-FPQG100

Дел Акција: 1833

Број на I / O: 57, Број на Гејтс: 3000, Напон - Набавка: 3V ~ 3.6V, 4.75V ~ 5.25V,

Листа на желби.
AGLP060V2-CSG289I
Microsemi Corporation

AGLP060V2-CSG289I

Дел Акција: 7448

Број на логички елементи / ќелии: 1584, Вкупни битови за RAM меморија: 18432, Број на I / O: 157, Број на Гејтс: 60000, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.575V,

Листа на желби.
AGLP060V5-VQG176
Microsemi Corporation

AGLP060V5-VQG176

Дел Акција: 7418

Број на логички елементи / ќелии: 1584, Вкупни битови за RAM меморија: 18432, Број на I / O: 137, Број на Гејтс: 60000, Напон - Набавка: 1.425V ~ 1.575V,

Листа на желби.
AGLP060V5-VQ176
Microsemi Corporation

AGLP060V5-VQ176

Дел Акција: 3454

Број на логички елементи / ќелии: 1584, Вкупни битови за RAM меморија: 18432, Број на I / O: 137, Број на Гејтс: 60000, Напон - Набавка: 1.425V ~ 1.575V,

Листа на желби.
A3P125-2PQ208
Microsemi Corporation

A3P125-2PQ208

Дел Акција: 4601

Вкупни битови за RAM меморија: 36864, Број на I / O: 133, Број на Гејтс: 125000, Напон - Набавка: 1.425V ~ 1.575V,

Листа на желби.
A3P125-1PQ208
Microsemi Corporation

A3P125-1PQ208

Дел Акција: 4649

Вкупни битови за RAM меморија: 36864, Број на I / O: 133, Број на Гејтс: 125000, Напон - Набавка: 1.425V ~ 1.575V,

Листа на желби.
A40MX02-FPL44
Microsemi Corporation

A40MX02-FPL44

Дел Акција: 2504

Број на I / O: 34, Број на Гејтс: 3000, Напон - Набавка: 3V ~ 3.6V, 4.75V ~ 5.25V,

Листа на желби.
AGLP060V2-VQ176
Microsemi Corporation

AGLP060V2-VQ176

Дел Акција: 3284

Број на логички елементи / ќелии: 1584, Вкупни битови за RAM меморија: 18432, Број на I / O: 137, Број на Гејтс: 60000, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.575V,

Листа на желби.
A3P250-1PQ208
Microsemi Corporation

A3P250-1PQ208

Дел Акција: 3545

Вкупни битови за RAM меморија: 36864, Број на I / O: 151, Број на Гејтс: 250000, Напон - Набавка: 1.425V ~ 1.575V,

Листа на желби.
A3P125-PQ208I
Microsemi Corporation

A3P125-PQ208I

Дел Акција: 4023

Вкупни битови за RAM меморија: 36864, Број на I / O: 133, Број на Гејтс: 125000, Напон - Набавка: 1.425V ~ 1.575V,

Листа на желби.
A3P250-2PQ208
Microsemi Corporation

A3P250-2PQ208

Дел Акција: 3284

Вкупни битови за RAM меморија: 36864, Број на I / O: 151, Број на Гејтс: 250000, Напон - Набавка: 1.425V ~ 1.575V,

Листа на желби.
A3P250-PQ208
Microsemi Corporation

A3P250-PQ208

Дел Акција: 3752

Вкупни битови за RAM меморија: 36864, Број на I / O: 151, Број на Гејтс: 250000, Напон - Набавка: 1.425V ~ 1.575V,

Листа на желби.
A40MX02-FPL68
Microsemi Corporation

A40MX02-FPL68

Дел Акција: 2233

Број на I / O: 57, Број на Гејтс: 3000, Напон - Набавка: 3V ~ 3.6V, 4.75V ~ 5.25V,

Листа на желби.
A40MX02-FVQ80
Microsemi Corporation

A40MX02-FVQ80

Дел Акција: 1698

Број на I / O: 57, Број на Гејтс: 3000, Напон - Набавка: 3V ~ 3.6V, 4.75V ~ 5.25V,

Листа на желби.
AGLN250V2-ZVQG100I
Microsemi Corporation

AGLN250V2-ZVQG100I

Дел Акција: 7232

Број на логички елементи / ќелии: 6144, Вкупни битови за RAM меморија: 36864, Број на I / O: 68, Број на Гејтс: 250000, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.575V,

Листа на желби.
AGLN250V2-VQG100I
Microsemi Corporation

AGLN250V2-VQG100I

Дел Акција: 7204

Број на логички елементи / ќелии: 6144, Вкупни битови за RAM меморија: 36864, Број на I / O: 68, Број на Гејтс: 250000, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.575V,

Листа на желби.
A54SX16A-FTQ100
Microsemi Corporation

A54SX16A-FTQ100

Дел Акција: 1414

Број на лаборатории / CLB: 1452, Број на I / O: 81, Број на Гејтс: 24000, Напон - Набавка: 2.25V ~ 5.25V,

Листа на желби.
A40MX02-2VQ80I
Microsemi Corporation

A40MX02-2VQ80I

Дел Акција: 794

Број на I / O: 57, Број на Гејтс: 3000, Напон - Набавка: 3V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V,

Листа на желби.
A3P250L-1FGG256
Microsemi Corporation

A3P250L-1FGG256

Дел Акција: 7170

Вкупни битови за RAM меморија: 36864, Број на I / O: 157, Број на Гејтс: 250000, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.575V,

Листа на желби.
A3P060-2FGG144I
Microsemi Corporation

A3P060-2FGG144I

Дел Акција: 5115

Вкупни битови за RAM меморија: 18432, Број на I / O: 96, Број на Гејтс: 60000, Напон - Набавка: 1.425V ~ 1.575V,

Листа на желби.
A3P060-2FG144I
Microsemi Corporation

A3P060-2FG144I

Дел Акција: 5076

Вкупни битови за RAM меморија: 18432, Број на I / O: 96, Број на Гејтс: 60000, Напон - Набавка: 1.425V ~ 1.575V,

Листа на желби.
AFS090-2FGG256
Microsemi Corporation

AFS090-2FGG256

Дел Акција: 7185

Вкупни битови за RAM меморија: 27648, Број на I / O: 75, Број на Гејтс: 90000, Напон - Набавка: 1.425V ~ 1.575V,

Листа на желби.
A54SX16A-FG256
Microsemi Corporation

A54SX16A-FG256

Дел Акција: 7169

Број на лаборатории / CLB: 1452, Број на I / O: 180, Број на Гејтс: 24000, Напон - Набавка: 2.25V ~ 5.25V,

Листа на желби.
A3P250L-FGG256
Microsemi Corporation

A3P250L-FGG256

Дел Акција: 7193

Вкупни битови за RAM меморија: 36864, Број на I / O: 157, Број на Гејтс: 250000, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.575V,

Листа на желби.
AFS090-FGG256
Microsemi Corporation

AFS090-FGG256

Дел Акција: 7161

Вкупни битови за RAM меморија: 27648, Број на I / O: 75, Број на Гејтс: 90000, Напон - Набавка: 1.425V ~ 1.575V,

Листа на желби.
A3P250-2FGG256I
Microsemi Corporation

A3P250-2FGG256I

Дел Акција: 7137

Вкупни битови за RAM меморија: 36864, Број на I / O: 157, Број на Гејтс: 250000, Напон - Набавка: 1.425V ~ 1.575V,

Листа на желби.
A3P250L-FG256
Microsemi Corporation

A3P250L-FG256

Дел Акција: 7175

Вкупни битови за RAM меморија: 36864, Број на I / O: 157, Број на Гејтс: 250000, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.575V,

Листа на желби.
APA075-TQ100
Microsemi Corporation

APA075-TQ100

Дел Акција: 1642

Вкупни битови за RAM меморија: 27648, Број на I / O: 66, Број на Гејтс: 75000, Напон - Набавка: 2.3V ~ 2.7V,

Листа на желби.
A3P250L-1FG256
Microsemi Corporation

A3P250L-1FG256

Дел Акција: 1729

Вкупни битови за RAM меморија: 36864, Број на I / O: 157, Број на Гејтс: 250000, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.575V,

Листа на желби.
AX250-2FG256I
Microsemi Corporation

AX250-2FG256I

Дел Акција: 7113

Број на лаборатории / CLB: 4224, Вкупни битови за RAM меморија: 55296, Број на I / O: 138, Број на Гејтс: 250000, Напон - Набавка: 1.425V ~ 1.575V,

Листа на желби.