Embedded - FPGAs (Field Programmable Gate Array) | Integrated Circuits (ICs) | 100

A54SX16A-TQ100

Дел Акција: 1136

Број на лаборатории / CLB: 1452, Број на I / O: 81, Број на Гејтс: 24000, Напон - Набавка: 2.25V ~ 5.25V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

AGLN250V5-CSG81I

Дел Акција: 5131

Број на логички елементи / ќелии: 6144, Вкупни битови за RAM меморија: 36864, Број на I / O: 60, Број на Гејтс: 250000, Напон - Набавка: 1.425V ~ 1.575V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

A40MX04-2VQ80

Дел Акција: 887

Број на I / O: 69, Број на Гејтс: 6000, Напон - Набавка: 3V ~ 3.6V, 4.75V ~ 5.25V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

A3P250L-VQ100I

Дел Акција: 7098

Вкупни битови за RAM меморија: 36864, Број на I / O: 68, Број на Гејтс: 250000, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.575V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

APA150-TQ100

Дел Акција: 1115

Вкупни битови за RAM меморија: 36864, Број на I / O: 66, Број на Гејтс: 150000, Напон - Набавка: 2.3V ~ 2.7V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

A3P250L-1VQG100I

Дел Акција: 7053

Вкупни битови за RAM меморија: 36864, Број на I / O: 68, Број на Гејтс: 250000, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.575V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

A54SX16A-1TQ100I

Дел Акција: 846

Број на лаборатории / CLB: 1452, Број на I / O: 81, Број на Гејтс: 24000, Напон - Набавка: 2.25V ~ 5.25V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

AFS090-2FG256

Дел Акција: 7038

Вкупни битови за RAM меморија: 27648, Број на I / O: 75, Број на Гејтс: 90000, Напон - Набавка: 1.425V ~ 1.575V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

A40MX04-VQ80I

Дел Акција: 1034

Број на I / O: 69, Број на Гејтс: 6000, Напон - Набавка: 3V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

A40MX04-1VQ80

Дел Акција: 964

Број на I / O: 69, Број на Гејтс: 6000, Напон - Набавка: 3V ~ 3.6V, 4.75V ~ 5.25V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

A40MX02-1VQ80

Дел Акција: 995

Број на I / O: 57, Број на Гејтс: 3000, Напон - Набавка: 3V ~ 3.6V, 4.75V ~ 5.25V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

A54SX08A-2TQ100I

Дел Акција: 957

Број на лаборатории / CLB: 768, Број на I / O: 81, Број на Гејтс: 12000, Напон - Набавка: 2.25V ~ 5.25V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

AFS090-1FG256

Дел Акција: 6925

Вкупни битови за RAM меморија: 27648, Број на I / O: 75, Број на Гејтс: 90000, Напон - Набавка: 1.425V ~ 1.575V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

A3P250L-1FGG144I

Дел Акција: 6940

Вкупни битови за RAM меморија: 36864, Број на I / O: 97, Број на Гејтс: 250000, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.575V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

AFS090-1FGG256

Дел Акција: 6934

Вкупни битови за RAM меморија: 27648, Број на I / O: 75, Број на Гејтс: 90000, Напон - Набавка: 1.425V ~ 1.575V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

A54SX16A-2TQ100

Дел Акција: 840

Број на лаборатории / CLB: 1452, Број на I / O: 81, Број на Гејтс: 24000, Напон - Набавка: 2.25V ~ 5.25V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

A40MX02-2VQ80

Дел Акција: 980

Број на I / O: 57, Број на Гејтс: 3000, Напон - Набавка: 3V ~ 3.6V, 4.75V ~ 5.25V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

A3P600L-FGG256

Дел Акција: 6900

Вкупни битови за RAM меморија: 110592, Број на I / O: 177, Број на Гејтс: 600000, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.575V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

A3P250L-1VQ100I

Дел Акција: 6916

Вкупни битови за RAM меморија: 36864, Број на I / O: 68, Број на Гејтс: 250000, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.575V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

A40MX02-VQ80

Дел Акција: 1150

Број на I / O: 57, Број на Гејтс: 3000, Напон - Набавка: 3V ~ 3.6V, 4.75V ~ 5.25V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

A3P600L-FG256

Дел Акција: 6897

Вкупни битови за RAM меморија: 110592, Број на I / O: 177, Број на Гејтс: 600000, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.575V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

A40MX04-VQ80

Дел Акција: 1155

Број на I / O: 69, Број на Гејтс: 6000, Напон - Набавка: 3V ~ 3.6V, 4.75V ~ 5.25V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

A54SX16A-TQ100I

Дел Акција: 950

Број на лаборатории / CLB: 1452, Број на I / O: 81, Број на Гејтс: 24000, Напон - Набавка: 2.25V ~ 5.25V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

AGL125V5-CS196I

Дел Акција: 5122

Број на логички елементи / ќелии: 3072, Вкупни битови за RAM меморија: 36864, Број на I / O: 133, Број на Гејтс: 125000, Напон - Набавка: 1.425V ~ 1.575V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

A42MX09-FVQ100

Дел Акција: 1234

Број на I / O: 83, Број на Гејтс: 14000, Напон - Набавка: 3V ~ 3.6V, 4.75V ~ 5.25V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

AGL250V2-VQG100I

Дел Акција: 6876

Број на логички елементи / ќелии: 6144, Вкупни битови за RAM меморија: 36864, Број на I / O: 68, Број на Гејтс: 250000, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.575V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

A54SX16A-FGG256

Дел Акција: 6788

Број на лаборатории / CLB: 1452, Број на I / O: 180, Број на Гејтс: 24000, Напон - Набавка: 2.25V ~ 5.25V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

A40MX04-1VQ80I

Дел Акција: 894

Број на I / O: 69, Број на Гејтс: 6000, Напон - Набавка: 3V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

AX125-FGG256

Дел Акција: 1735

Број на лаборатории / CLB: 2016, Вкупни битови за RAM меморија: 18432, Број на I / O: 138, Број на Гејтс: 125000, Напон - Набавка: 1.425V ~ 1.575V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

A42MX09-VQ100

Дел Акција: 847

Број на I / O: 83, Број на Гејтс: 14000, Напон - Набавка: 3V ~ 3.6V, 4.75V ~ 5.25V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

AFS090-FG256

Дел Акција: 6783

Вкупни битови за RAM меморија: 27648, Број на I / O: 75, Број на Гејтс: 90000, Напон - Набавка: 1.425V ~ 1.575V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

AGLN250V2-ZVQ100I

Дел Акција: 6752

Број на логички елементи / ќелии: 6144, Вкупни битови за RAM меморија: 36864, Број на I / O: 68, Број на Гејтс: 250000, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.575V,