Embedded - FPGAs (Field Programmable Gate Array) | Integrated Circuits (ICs) | 100

Microsemi Corporation

A42MX16-1VQ100I

Дел Акција: 487

Број на I / O: 83, Број на Гејтс: 24000, Напон - Набавка: 3V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

A54SX16A-FG256I

Дел Акција: 5607

Број на лаборатории / CLB: 1452, Број на I / O: 180, Број на Гејтс: 24000, Напон - Набавка: 2.25V ~ 5.25V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

A3PE600-FGG256I

Дел Акција: 5597

Вкупни битови за RAM меморија: 110592, Број на I / O: 165, Број на Гејтс: 600000, Напон - Набавка: 1.425V ~ 1.575V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

A54SX08-VQG100

Дел Акција: 5577

Број на лаборатории / CLB: 768, Број на I / O: 81, Број на Гејтс: 12000, Напон - Набавка: 3V ~ 3.6V, 4.75V ~ 5.25V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

A54SX08-2VQ100

Дел Акција: 5581

Број на лаборатории / CLB: 768, Број на I / O: 81, Број на Гејтс: 12000, Напон - Набавка: 3V ~ 3.6V, 4.75V ~ 5.25V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

A3P600L-1FGG256I

Дел Акција: 1644

Вкупни битови за RAM меморија: 110592, Број на I / O: 177, Број на Гејтс: 600000, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.575V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

A54SX16A-1FGG256

Дел Акција: 5558

Број на лаборатории / CLB: 1452, Број на I / O: 180, Број на Гејтс: 24000, Напон - Набавка: 2.25V ~ 5.25V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

A54SX16-VQG100

Дел Акција: 5569

Број на лаборатории / CLB: 1452, Број на I / O: 81, Број на Гејтс: 24000, Напон - Набавка: 3V ~ 3.6V, 4.75V ~ 5.25V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

AFS090-2FGG256I

Дел Акција: 5531

Вкупни битови за RAM меморија: 27648, Број на I / O: 75, Број на Гејтс: 90000, Напон - Набавка: 1.425V ~ 1.575V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

A54SX16-VQG100I

Дел Акција: 5469

Број на лаборатории / CLB: 1452, Број на I / O: 81, Број на Гејтс: 24000, Напон - Набавка: 3V ~ 3.6V, 4.75V ~ 5.25V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

A3PN250-Z2VQG100I

Дел Акција: 5484

Вкупни битови за RAM меморија: 36864, Број на I / O: 68, Број на Гејтс: 250000, Напон - Набавка: 1.425V ~ 1.575V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

AX125-FG256I

Дел Акција: 5457

Број на лаборатории / CLB: 2016, Вкупни битови за RAM меморија: 18432, Број на I / O: 138, Број на Гејтс: 125000, Напон - Набавка: 1.425V ~ 1.575V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

AX125-1FG256

Дел Акција: 5538

Број на лаборатории / CLB: 2016, Вкупни битови за RAM меморија: 18432, Број на I / O: 138, Број на Гејтс: 125000, Напон - Набавка: 1.425V ~ 1.575V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

AGL400V5-FGG256I

Дел Акција: 5517

Број на логички елементи / ќелии: 9216, Вкупни битови за RAM меморија: 55296, Број на I / O: 178, Број на Гејтс: 400000, Напон - Набавка: 1.425V ~ 1.575V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

A42MX16-1VQ100

Дел Акција: 585

Број на I / O: 83, Број на Гејтс: 24000, Напон - Набавка: 3V ~ 3.6V, 4.75V ~ 5.25V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

AX125-FGG256I

Дел Акција: 5495

Број на лаборатории / CLB: 2016, Вкупни битови за RAM меморија: 18432, Број на I / O: 138, Број на Гејтс: 125000, Напон - Набавка: 1.425V ~ 1.575V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

A54SX08-VQG100I

Дел Акција: 5414

Број на лаборатории / CLB: 768, Број на I / O: 81, Број на Гејтс: 12000, Напон - Набавка: 3V ~ 3.6V, 4.75V ~ 5.25V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

A3P250L-VQG100

Дел Акција: 5414

Вкупни битови за RAM меморија: 36864, Број на I / O: 68, Број на Гејтс: 250000, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.575V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

A54SX08-1VQG100I

Дел Акција: 5427

Број на лаборатории / CLB: 768, Број на I / O: 81, Број на Гејтс: 12000, Напон - Набавка: 3V ~ 3.6V, 4.75V ~ 5.25V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

A3PN250-Z1VQ100I

Дел Акција: 5425

Вкупни битови за RAM меморија: 36864, Број на I / O: 68, Број на Гејтс: 250000, Напон - Набавка: 1.425V ~ 1.575V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

A54SX08-1VQ100I

Дел Акција: 5464

Број на лаборатории / CLB: 768, Број на I / O: 81, Број на Гејтс: 12000, Напон - Набавка: 3V ~ 3.6V, 4.75V ~ 5.25V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

AGLN250V5-ZVQ100I

Дел Акција: 5446

Број на логички елементи / ќелии: 6144, Вкупни битови за RAM меморија: 36864, Број на I / O: 68, Број на Гејтс: 250000, Напон - Набавка: 1.425V ~ 1.575V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

A42MX09-2VQ100

Дел Акција: 675

Број на I / O: 83, Број на Гејтс: 14000, Напон - Набавка: 3V ~ 3.6V, 4.75V ~ 5.25V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

A54SX16-VQ100

Дел Акција: 5413

Број на лаборатории / CLB: 1452, Број на I / O: 81, Број на Гејтс: 24000, Напон - Набавка: 3V ~ 3.6V, 4.75V ~ 5.25V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

A3P250L-VQ100

Дел Акција: 5367

Вкупни битови за RAM меморија: 36864, Број на I / O: 68, Број на Гејтс: 250000, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.575V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

A40MX02-3VQ80I

Дел Акција: 624

Број на I / O: 57, Број на Гејтс: 3000, Напон - Набавка: 3V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

A3P250L-1FG256I

Дел Акција: 5353

Вкупни битови за RAM меморија: 36864, Број на I / O: 157, Број на Гејтс: 250000, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.575V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

A54SX16A-2TQ100I

Дел Акција: 766

Број на лаборатории / CLB: 1452, Број на I / O: 81, Број на Гејтс: 24000, Напон - Набавка: 2.25V ~ 5.25V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

AFS250-FG256I

Дел Акција: 5305

Вкупни битови за RAM меморија: 36864, Број на I / O: 114, Број на Гејтс: 250000, Напон - Набавка: 1.425V ~ 1.575V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

AGL250V5-VQG100I

Дел Акција: 5299

Број на логички елементи / ќелии: 6144, Вкупни битови за RAM меморија: 36864, Број на I / O: 68, Број на Гејтс: 250000, Напон - Набавка: 1.425V ~ 1.575V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

AX250-FGG256I

Дел Акција: 5253

Број на лаборатории / CLB: 4224, Вкупни битови за RAM меморија: 55296, Број на I / O: 138, Број на Гејтс: 250000, Напон - Набавка: 1.425V ~ 1.575V,