Menu
МакедонскиМакедонски
Rfqs / цел
0Rfqs / цел

Embedded - FPGAs (Field Programmable Gate Array)

  • Дома
  •  
  • Embedded - FPGAs (Field Programmable Gate Array)
AGLN250V5-ZVQG100I
Microsemi Corporation

AGLN250V5-ZVQG100I

Дел Акција: 5164

Број на логички елементи / ќелии: 6144, Вкупни битови за RAM меморија: 36864, Број на I / O: 68, Број на Гејтс: 250000, Напон - Набавка: 1.425V ~ 1.575V,

Листа на желби.
A42MX09-VQ100I
Microsemi Corporation

A42MX09-VQ100I

Дел Акција: 762

Број на I / O: 83, Број на Гејтс: 14000, Напон - Набавка: 3V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V,

Листа на желби.
AFS090-FG256I
Microsemi Corporation

AFS090-FG256I

Дел Акција: 5182

Вкупни битови за RAM меморија: 27648, Број на I / O: 75, Број на Гејтс: 90000, Напон - Набавка: 1.425V ~ 1.575V,

Листа на желби.
APA150-TQ100I
Microsemi Corporation

APA150-TQ100I

Дел Акција: 630

Вкупни битови за RAM меморија: 36864, Број на I / O: 66, Број на Гејтс: 150000, Напон - Набавка: 2.3V ~ 2.7V,

Листа на желби.
A42MX09-1VQ100
Microsemi Corporation

A42MX09-1VQ100

Дел Акција: 739

Број на I / O: 83, Број на Гејтс: 14000, Напон - Набавка: 3V ~ 3.6V, 4.75V ~ 5.25V,

Листа на желби.
A3P600L-FGG256I
Microsemi Corporation

A3P600L-FGG256I

Дел Акција: 5197

Вкупни битови за RAM меморија: 110592, Број на I / O: 177, Број на Гејтс: 600000, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.575V,

Листа на желби.
A54SX08A-TQ100I
Microsemi Corporation

A54SX08A-TQ100I

Дел Акција: 1191

Број на лаборатории / CLB: 768, Број на I / O: 81, Број на Гејтс: 12000, Напон - Набавка: 2.25V ~ 5.25V,

Листа на желби.
A3P600L-FG256I
Microsemi Corporation

A3P600L-FG256I

Дел Акција: 5149

Вкупни битови за RAM меморија: 110592, Број на I / O: 177, Број на Гејтс: 600000, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.575V,

Листа на желби.
A54SX16-1VQG100
Microsemi Corporation

A54SX16-1VQG100

Дел Акција: 5117

Број на лаборатории / CLB: 1452, Број на I / O: 81, Број на Гејтс: 24000, Напон - Набавка: 3V ~ 3.6V, 4.75V ~ 5.25V,

Листа на желби.
A40MX02-3VQ80
Microsemi Corporation

A40MX02-3VQ80

Дел Акција: 736

Број на I / O: 57, Број на Гејтс: 3000, Напон - Набавка: 3V ~ 3.6V, 4.75V ~ 5.25V,

Листа на желби.
A54SX16A-2FG256
Microsemi Corporation

A54SX16A-2FG256

Дел Акција: 1574

Број на лаборатории / CLB: 1452, Број на I / O: 180, Број на Гејтс: 24000, Напон - Набавка: 2.25V ~ 5.25V,

Листа на желби.
AFS090-FGG256I
Microsemi Corporation

AFS090-FGG256I

Дел Акција: 5122

Вкупни битови за RAM меморија: 27648, Број на I / O: 75, Број на Гејтс: 90000, Напон - Набавка: 1.425V ~ 1.575V,

Листа на желби.
AGL1000V5-FGG256I
Microsemi Corporation

AGL1000V5-FGG256I

Дел Акција: 5063

Број на логички елементи / ќелии: 24576, Вкупни битови за RAM меморија: 147456, Број на I / O: 177, Број на Гејтс: 1000000, Напон - Набавка: 1.425V ~ 1.575V,

Листа на желби.
A54SX16A-FGG256I
Microsemi Corporation

A54SX16A-FGG256I

Дел Акција: 5116

Број на лаборатории / CLB: 1452, Број на I / O: 180, Број на Гејтс: 24000, Напон - Набавка: 2.25V ~ 5.25V,

Листа на желби.
AX125-1FG256I
Microsemi Corporation

AX125-1FG256I

Дел Акција: 5065

Број на лаборатории / CLB: 2016, Вкупни битови за RAM меморија: 18432, Број на I / O: 138, Број на Гејтс: 125000, Напон - Набавка: 1.425V ~ 1.575V,

Листа на желби.
AX125-1FGG256
Microsemi Corporation

AX125-1FGG256

Дел Акција: 5055

Број на лаборатории / CLB: 2016, Вкупни битови за RAM меморија: 18432, Број на I / O: 138, Број на Гејтс: 125000, Напон - Набавка: 1.425V ~ 1.575V,

Листа на желби.
A54SX32A-1TQ100I
Microsemi Corporation

A54SX32A-1TQ100I

Дел Акција: 536

Број на лаборатории / CLB: 2880, Број на I / O: 81, Број на Гејтс: 48000, Напон - Набавка: 2.25V ~ 5.25V,

Листа на желби.
AGLN125V2-ZVQG100I
Microsemi Corporation

AGLN125V2-ZVQG100I

Дел Акција: 5092

Број на логички елементи / ќелии: 3072, Вкупни битови за RAM меморија: 36864, Број на I / O: 71, Број на Гејтс: 125000, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.575V,

Листа на желби.
A54SX08-1VQ100
Microsemi Corporation

A54SX08-1VQ100

Дел Акција: 5009

Број на лаборатории / CLB: 768, Број на I / O: 81, Број на Гејтс: 12000, Напон - Набавка: 3V ~ 3.6V, 4.75V ~ 5.25V,

Листа на желби.
A54SX16A-2FGG256I
Microsemi Corporation

A54SX16A-2FGG256I

Дел Акција: 5004

Број на лаборатории / CLB: 1452, Број на I / O: 180, Број на Гејтс: 24000, Напон - Набавка: 2.25V ~ 5.25V,

Листа на желби.
A40MX04-3VQ80I
Microsemi Corporation

A40MX04-3VQ80I

Дел Акција: 603

Број на I / O: 69, Број на Гејтс: 6000, Напон - Набавка: 3V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V,

Листа на желби.
A54SX16P-1VQ100
Microsemi Corporation

A54SX16P-1VQ100

Дел Акција: 504

Број на лаборатории / CLB: 1452, Број на I / O: 81, Број на Гејтс: 24000, Напон - Набавка: 3V ~ 3.6V, 4.75V ~ 5.25V,

Листа на желби.
A3PE600-2FG256I
Microsemi Corporation

A3PE600-2FG256I

Дел Акција: 5066

Вкупни битови за RAM меморија: 110592, Број на I / O: 165, Број на Гејтс: 600000, Напон - Набавка: 1.425V ~ 1.575V,

Листа на желби.
A54SX16-1VQ100
Microsemi Corporation

A54SX16-1VQ100

Дел Акција: 5022

Број на лаборатории / CLB: 1452, Број на I / O: 81, Број на Гејтс: 24000, Напон - Набавка: 3V ~ 3.6V, 4.75V ~ 5.25V,

Листа на желби.
A1010B-VQG80C
Microsemi Corporation

A1010B-VQG80C

Дел Акција: 5000

Број на лаборатории / CLB: 295, Број на I / O: 57, Број на Гејтс: 1200, Напон - Набавка: 4.5V ~ 5.5V,

Листа на желби.
A3P250L-1VQG100
Microsemi Corporation

A3P250L-1VQG100

Дел Акција: 4964

Вкупни битови за RAM меморија: 36864, Број на I / O: 68, Број на Гејтс: 250000, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.575V,

Листа на желби.
A3P600L-1FG256I
Microsemi Corporation

A3P600L-1FG256I

Дел Акција: 5001

Вкупни битови за RAM меморија: 110592, Број на I / O: 177, Број на Гејтс: 600000, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.575V,

Листа на желби.
A54SX32A-2TQ100
Microsemi Corporation

A54SX32A-2TQ100

Дел Акција: 494

Број на лаборатории / CLB: 2880, Број на I / O: 81, Број на Гејтс: 48000, Напон - Набавка: 2.25V ~ 5.25V,

Листа на желби.
AX125-2FGG256
Microsemi Corporation

AX125-2FGG256

Дел Акција: 4886

Број на лаборатории / CLB: 2016, Вкупни битови за RAM меморија: 18432, Број на I / O: 138, Број на Гејтс: 125000, Напон - Набавка: 1.425V ~ 1.575V,

Листа на желби.
A54SX08-2VQG100
Microsemi Corporation

A54SX08-2VQG100

Дел Акција: 4956

Број на лаборатории / CLB: 768, Број на I / O: 81, Број на Гејтс: 12000, Напон - Набавка: 3V ~ 3.6V, 4.75V ~ 5.25V,

Листа на желби.
A3PE600-FG256I
Microsemi Corporation

A3PE600-FG256I

Дел Акција: 4853

Вкупни битови за RAM меморија: 110592, Број на I / O: 165, Број на Гејтс: 600000, Напон - Набавка: 1.425V ~ 1.575V,

Листа на желби.
AGL400V2-FGG256I
Microsemi Corporation

AGL400V2-FGG256I

Дел Акција: 4929

Број на логички елементи / ќелии: 9216, Вкупни битови за RAM меморија: 55296, Број на I / O: 178, Број на Гејтс: 400000, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.575V,

Листа на желби.
A54SX08-1VQG100
Microsemi Corporation

A54SX08-1VQG100

Дел Акција: 4925

Број на лаборатории / CLB: 768, Број на I / O: 81, Број на Гејтс: 12000, Напон - Набавка: 3V ~ 3.6V, 4.75V ~ 5.25V,

Листа на желби.
A42MX09-3VQ100I
Microsemi Corporation

A42MX09-3VQ100I

Дел Акција: 582

Број на I / O: 83, Број на Гејтс: 14000, Напон - Набавка: 3V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V,

Листа на желби.
AGLN125V2-ZVQ100I
Microsemi Corporation

AGLN125V2-ZVQ100I

Дел Акција: 1579

Број на логички елементи / ќелии: 3072, Вкупни битови за RAM меморија: 36864, Број на I / O: 71, Број на Гејтс: 125000, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.575V,

Листа на желби.
AGLN125V2-VQG100I
Microsemi Corporation

AGLN125V2-VQG100I

Дел Акција: 4828

Број на логички елементи / ќелии: 3072, Вкупни битови за RAM меморија: 36864, Број на I / O: 71, Број на Гејтс: 125000, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.575V,

Листа на желби.