Menu
МакедонскиМакедонски
Rfqs / цел
0Rfqs / цел

Diodes - Variable Capacitance (Varicaps, Varactors

  • Дома
  •  
  • Diodes - Variable Capacitance (Varicaps, Varactors
SVC203C-TB-E
ON Semiconductor

SVC203C-TB-E

Дел Акција: 178025

Капацитет @ Vr, F: 13.4pF @ 9V, 1MHz, Сооднос на капацитет: 4.6, Состојба на соодносот на капацитетот: C1/C9, Напон - Врв наназад (максимум): 16V, Тип на диода: 1 Pair Common Cathode, П @ Вр, Ф.: 60 @ 3V, 100MHz,

Листа на желби.
MMBV109LT3G
ON Semiconductor

MMBV109LT3G

Дел Акција: 7476

Капацитет @ Vr, F: 32pF @ 3V, 1MHz, Сооднос на капацитет: 6.5, Состојба на соодносот на капацитетот: C3/C25, Напон - Врв наназад (максимум): 30V, Тип на диода: Single, П @ Вр, Ф.: 200 @ 3V, 50MHz,

Листа на желби.
MMBV409LT1
ON Semiconductor

MMBV409LT1

Дел Акција: 4762

Капацитет @ Vr, F: 32pF @ 3V, 1MHz, Сооднос на капацитет: 1.9, Состојба на соодносот на капацитетот: C3/C8, Напон - Врв наназад (максимум): 20V, Тип на диода: Single, П @ Вр, Ф.: 200 @ 3V, 50MHz,

Листа на желби.
MMBV3102LT1
ON Semiconductor

MMBV3102LT1

Дел Акција: 7497

Капацитет @ Vr, F: 25pF @ 3V, 1MHz, Сооднос на капацитет: 4.8, Состојба на соодносот на капацитетот: C3/C25, Напон - Врв наназад (максимум): 30V, Тип на диода: Single, П @ Вр, Ф.: 200 @ 3V, 50MHz,

Листа на желби.
MMBV809LT3G
ON Semiconductor

MMBV809LT3G

Дел Акција: 7496

Капацитет @ Vr, F: 6.1pF @ 2V, 1MHz, Сооднос на капацитет: 2.6, Состојба на соодносот на капацитетот: C2/C8, Напон - Врв наназад (максимум): 20V, Тип на диода: Single, П @ Вр, Ф.: 75 @ 3V, 500MHz,

Листа на желби.
MV104G
ON Semiconductor

MV104G

Дел Акција: 7467

Капацитет @ Vr, F: 42pF @ 3V, 1MHz, Сооднос на капацитет: 2.8, Состојба на соодносот на капацитетот: C3/C30, Напон - Врв наназад (максимум): 32V, Тип на диода: 1 Pair Common Cathode, П @ Вр, Ф.: 140 @ 3V, 100MHz,

Листа на желби.
MMBV105GLT1G
ON Semiconductor

MMBV105GLT1G

Дел Акција: 7457

Капацитет @ Vr, F: 2.8pF @ 25V, 1MHz, Сооднос на капацитет: 6.5, Состојба на соодносот на капацитетот: C3/C25, Напон - Врв наназад (максимум): 30V, Тип на диода: Single, П @ Вр, Ф.: 250 @ 3V, 50MHz,

Листа на желби.
MMBV2108LT1G
ON Semiconductor

MMBV2108LT1G

Дел Акција: 7478

Капацитет @ Vr, F: 29.7pF @ 4V, 1MHz, Сооднос на капацитет: 3.2, Состојба на соодносот на капацитетот: C2/C30, Напон - Врв наназад (максимум): 30V, Тип на диода: Single, П @ Вр, Ф.: 300 @ 4V, 50MHz,

Листа на желби.
MMBV409LT1G
ON Semiconductor

MMBV409LT1G

Дел Акција: 7505

Капацитет @ Vr, F: 32pF @ 3V, 1MHz, Сооднос на капацитет: 1.9, Состојба на соодносот на капацитетот: C3/C8, Напон - Врв наназад (максимум): 20V, Тип на диода: Single, П @ Вр, Ф.: 200 @ 3V, 50MHz,

Листа на желби.
MMBV2105LT1
ON Semiconductor

MMBV2105LT1

Дел Акција: 7497

Капацитет @ Vr, F: 16.5pF @ 4V, 1MHz, Сооднос на капацитет: 3.2, Состојба на соодносот на капацитетот: C2/C30, Напон - Врв наназад (максимум): 30V, Тип на диода: Single, П @ Вр, Ф.: 400 @ 4V, 50MHz,

Листа на желби.
MV209G
ON Semiconductor

MV209G

Дел Акција: 7434

Капацитет @ Vr, F: 32pF @ 3V, 1MHz, Сооднос на капацитет: 6.5, Состојба на соодносот на капацитетот: C3/C25, Напон - Врв наназад (максимум): 30V, Тип на диода: Single, П @ Вр, Ф.: 200 @ 3V, 50MHz,

Листа на желби.
SVC236-TB-E
ON Semiconductor

SVC236-TB-E

Дел Акција: 172795

Капацитет @ Vr, F: 16.84pF @ 6.5V, 1MHz, Сооднос на капацитет: 5, Состојба на соодносот на капацитетот: C1/C6.5, Напон - Врв наназад (максимум): 16V, Тип на диода: 1 Pair Common Cathode, П @ Вр, Ф.: 70 @ 3V, 100MHz,

Листа на желби.
MMBV105GLT1
ON Semiconductor

MMBV105GLT1

Дел Акција: 7466

Капацитет @ Vr, F: 2.8pF @ 25V, 1MHz, Сооднос на капацитет: 6.5, Состојба на соодносот на капацитетот: C3/C25, Напон - Врв наназад (максимум): 30V, Тип на диода: Single, П @ Вр, Ф.: 250 @ 3V, 50MHz,

Листа на желби.
MV2105
ON Semiconductor

MV2105

Дел Акција: 4830

Капацитет @ Vr, F: 16.5pF @ 4V, 1MHz, Сооднос на капацитет: 3.2, Состојба на соодносот на капацитетот: C2/C30, Напон - Врв наназад (максимум): 30V, Тип на диода: Single, П @ Вр, Ф.: 400 @ 4V, 50MHz,

Листа на желби.
SVC230-TB-E
ON Semiconductor

SVC230-TB-E

Дел Акција: 129142

Капацитет @ Vr, F: 28.2pF @ 8V, 1MHz, Сооднос на капацитет: 1.75, Состојба на соодносот на капацитетот: C2/C8, Напон - Врв наназад (максимум): 16V, Тип на диода: 1 Pair Common Cathode, П @ Вр, Ф.: 100 @ 3V, 100MHz,

Листа на желби.
MV2101
ON Semiconductor

MV2101

Дел Акција: 7532

Капацитет @ Vr, F: 7.5pF @ 4V, 1MHz, Сооднос на капацитет: 3.2, Состојба на соодносот на капацитетот: C2/C30, Напон - Врв наназад (максимум): 30V, Тип на диода: Single, П @ Вр, Ф.: 450 @ 4V, 50MHz,

Листа на желби.
MMVL109T1G
ON Semiconductor

MMVL109T1G

Дел Акција: 7529

Капацитет @ Vr, F: 32pF @ 3V, 1MHz, Сооднос на капацитет: 6.5, Состојба на соодносот на капацитетот: C3/C25, Напон - Врв наназад (максимум): 30V, Тип на диода: Single, П @ Вр, Ф.: 200 @ 3V, 50MHz,

Листа на желби.
MMBV2105LT1G
ON Semiconductor

MMBV2105LT1G

Дел Акција: 7480

Капацитет @ Vr, F: 16.5pF @ 4V, 1MHz, Сооднос на капацитет: 3.2, Состојба на соодносот на капацитетот: C2/C30, Напон - Врв наназад (максимум): 30V, Тип на диода: Single, П @ Вр, Ф.: 400 @ 4V, 50MHz,

Листа на желби.
MMVL809T1G
ON Semiconductor

MMVL809T1G

Дел Акција: 7476

Капацитет @ Vr, F: 6.1pF @ 2V, 1MHz, Сооднос на капацитет: 2.6, Состојба на соодносот на капацитетот: C2/C8, Напон - Врв наназад (максимум): 20V, Тип на диода: Single, П @ Вр, Ф.: 75 @ 3V, 500MHz,

Листа на желби.
MMBV2108LT1
ON Semiconductor

MMBV2108LT1

Дел Акција: 7527

Капацитет @ Vr, F: 29.7pF @ 4V, 1MHz, Сооднос на капацитет: 3.2, Состојба на соодносот на капацитетот: C2/C30, Напон - Врв наназад (максимум): 30V, Тип на диода: Single, П @ Вр, Ф.: 300 @ 4V, 50MHz,

Листа на желби.
SVC270-TL-E
ON Semiconductor

SVC270-TL-E

Дел Акција: 119447

Капацитет @ Vr, F: 28.2pF @ 8V, 1MHz, Сооднос на капацитет: 1.75, Состојба на соодносот на капацитетот: C2/C8, Напон - Врв наназад (максимум): 16V, Тип на диода: 1 Pair Common Cathode, П @ Вр, Ф.: 100 @ 3V, 100MHz,

Листа на желби.
SVC272-TL-E
ON Semiconductor

SVC272-TL-E

Дел Акција: 157486

Капацитет @ Vr, F: 18.55pF @ 8V, 1MHz, Сооднос на капацитет: 2.3, Состојба на соодносот на капацитетот: C2/C8, Напон - Врв наназад (максимум): 16V, Тип на диода: 1 Pair Common Cathode, П @ Вр, Ф.: 150 @ 2V, 100MHz,

Листа на желби.
SVC383T-TL-E
ON Semiconductor

SVC383T-TL-E

Дел Акција: 7528

Капацитет @ Vr, F: 27pF @ 6.5V, 1MHz, Сооднос на капацитет: 24.5, Состојба на соодносот на капацитетот: C1/C6.5, Напон - Врв наназад (максимум): 33V, Тип на диода: 1 Pair Common Cathode, П @ Вр, Ф.: 200 @ 1V, 1MHz,

Листа на желби.
MMBV109LT1G
ON Semiconductor

MMBV109LT1G

Дел Акција: 7474

Капацитет @ Vr, F: 32pF @ 3V, 1MHz, Сооднос на капацитет: 6.5, Состојба на соодносот на капацитетот: C3/C25, Напон - Врв наназад (максимум): 30V, Тип на диода: Single, П @ Вр, Ф.: 200 @ 3V, 50MHz,

Листа на желби.
MMBV2109LT1
ON Semiconductor

MMBV2109LT1

Дел Акција: 7496

Капацитет @ Vr, F: 36.3pF @ 4V, 1MHz, Сооднос на капацитет: 3.2, Состојба на соодносот на капацитетот: C2/C30, Напон - Врв наназад (максимум): 30V, Тип на диода: Single, П @ Вр, Ф.: 200 @ 4V, 50MHz,

Листа на желби.
MMBV609LT1
ON Semiconductor

MMBV609LT1

Дел Акција: 7446

Капацитет @ Vr, F: 32pF @ 3V, 1MHz, Сооднос на капацитет: 2.4, Состојба на соодносот на капацитетот: C3/C8, Напон - Врв наназад (максимум): 20V, Тип на диода: 1 Pair Common Cathode, П @ Вр, Ф.: 450 @ 3V, 50MHz,

Листа на желби.
MMBV432LT1
ON Semiconductor

MMBV432LT1

Дел Акција: 7461

Капацитет @ Vr, F: 48.1pF @ 2V, 1MHz, Сооднос на капацитет: 2, Состојба на соодносот на капацитетот: C2/C8, Напон - Врв наназад (максимум): 14V, Тип на диода: 1 Pair Common Cathode, П @ Вр, Ф.: 150 @ 2V, 100MHz,

Листа на желби.
MMBV2109LT1G
ON Semiconductor

MMBV2109LT1G

Дел Акција: 7468

Капацитет @ Vr, F: 36.3pF @ 4V, 1MHz, Сооднос на капацитет: 3.2, Состојба на соодносот на капацитетот: C2/C30, Напон - Врв наназад (максимум): 30V, Тип на диода: Single, П @ Вр, Ф.: 200 @ 4V, 50MHz,

Листа на желби.
MV2109G
ON Semiconductor

MV2109G

Дел Акција: 7495

Капацитет @ Vr, F: 36.3pF @ 4V, 1MHz, Сооднос на капацитет: 3.2, Состојба на соодносот на капацитетот: C2/C30, Напон - Врв наназад (максимум): 30V, Тип на диода: Single, П @ Вр, Ф.: 200 @ 4V, 50MHz,

Листа на желби.
MMVL2101T1G
ON Semiconductor

MMVL2101T1G

Дел Акција: 7502

Капацитет @ Vr, F: 7.5pF @ 4V, 1MHz, Сооднос на капацитет: 3.2, Состојба на соодносот на капацитетот: C2/C30, Напон - Врв наназад (максимум): 30V, Тип на диода: Single, П @ Вр, Ф.: 450 @ 4V, 50MHz,

Листа на желби.
MMBV2101LT1G
ON Semiconductor

MMBV2101LT1G

Дел Акција: 7426

Капацитет @ Vr, F: 7.5pF @ 4V, 1MHz, Сооднос на капацитет: 3.2, Состојба на соодносот на капацитетот: C2/C30, Напон - Врв наназад (максимум): 30V, Тип на диода: Single, П @ Вр, Ф.: 450 @ 4V, 50MHz,

Листа на желби.
MMBV2107LT1
ON Semiconductor

MMBV2107LT1

Дел Акција: 4758

Капацитет @ Vr, F: 24.2pF @ 4V, 1MHz, Сооднос на капацитет: 3.2, Состојба на соодносот на капацитетот: C2/C30, Напон - Врв наназад (максимум): 30V, Тип на диода: Single, П @ Вр, Ф.: 350 @ 4V, 50MHz,

Листа на желби.
MMBV109LT3
ON Semiconductor

MMBV109LT3

Дел Акција: 7449

Капацитет @ Vr, F: 32pF @ 3V, 1MHz, Сооднос на капацитет: 6.5, Состојба на соодносот на капацитетот: C3/C25, Напон - Врв наназад (максимум): 30V, Тип на диода: Single, П @ Вр, Ф.: 200 @ 3V, 50MHz,

Листа на желби.
MV2109RLRAG
ON Semiconductor

MV2109RLRAG

Дел Акција: 7459

Капацитет @ Vr, F: 36.3pF @ 4V, 1MHz, Сооднос на капацитет: 3.2, Состојба на соодносот на капацитетот: C2/C30, Напон - Врв наназад (максимум): 30V, Тип на диода: Single, П @ Вр, Ф.: 200 @ 4V, 50MHz,

Листа на желби.
MMBV809LT1
ON Semiconductor

MMBV809LT1

Дел Акција: 7482

Капацитет @ Vr, F: 6.1pF @ 2V, 1MHz, Сооднос на капацитет: 2.6, Состојба на соодносот на капацитетот: C2/C8, Напон - Врв наназад (максимум): 20V, Тип на диода: Single, П @ Вр, Ф.: 75 @ 3V, 500MHz,

Листа на желби.
MMBV2107LT1G
ON Semiconductor

MMBV2107LT1G

Дел Акција: 7528

Капацитет @ Vr, F: 24.2pF @ 4V, 1MHz, Сооднос на капацитет: 3.2, Состојба на соодносот на капацитетот: C2/C30, Напон - Врв наназад (максимум): 30V, Тип на диода: Single, П @ Вр, Ф.: 350 @ 4V, 50MHz,

Листа на желби.