Menu
МакедонскиМакедонски
Rfqs / цел
0Rfqs / цел

Transistors - Programmable Unijunction

  • Дома
  •  
  • Transistors - Programmable Unijunction
2N6028RLRMG
ON Semiconductor

2N6028RLRMG

Дел Акција: 2509

Напон: 40V, Дисипација на моќност (максимум): 300mW, Напон - Излез: 11V, Напон - Офсет (Vt): 600mV, Струја - Истекување на портата на анодата (Игао): 10nA, Тековна - долина (IV): 25µA,

Листа на желби.
2N6028RLRPG
ON Semiconductor

2N6028RLRPG

Дел Акција: 2537

Напон: 40V, Дисипација на моќност (максимум): 300mW, Напон - Излез: 11V, Напон - Офсет (Vt): 600mV, Струја - Истекување на портата на анодата (Игао): 10nA, Тековна - долина (IV): 25µA,

Листа на желби.
2N6027RL1G
ON Semiconductor

2N6027RL1G

Дел Акција: 2538

Напон: 40V, Дисипација на моќност (максимум): 300mW, Напон - Излез: 11V, Напон - Офсет (Vt): 1.6V, Струја - Истекување на портата на анодата (Игао): 10nA, Тековна - долина (IV): 50µA,

Листа на желби.
2N6028RLRP
ON Semiconductor

2N6028RLRP

Дел Акција: 2531

Напон: 40V, Дисипација на моќност (максимум): 300mW, Напон - Излез: 11V, Напон - Офсет (Vt): 600mV, Струја - Истекување на портата на анодата (Игао): 10nA, Тековна - долина (IV): 25µA,

Листа на желби.
2N6027RL1
ON Semiconductor

2N6027RL1

Дел Акција: 2482

Напон: 40V, Дисипација на моќност (максимум): 300mW, Напон - Излез: 11V, Напон - Офсет (Vt): 1.6V, Струја - Истекување на портата на анодата (Игао): 10nA, Тековна - долина (IV): 50µA,

Листа на желби.
2N6028G
ON Semiconductor

2N6028G

Дел Акција: 2534

Напон: 40V, Дисипација на моќност (максимум): 300mW, Напон - Излез: 11V, Напон - Офсет (Vt): 600mV, Струја - Истекување на портата на анодата (Игао): 10nA, Тековна - долина (IV): 25µA,

Листа на желби.
2N6027G
ON Semiconductor

2N6027G

Дел Акција: 2493

Напон: 40V, Дисипација на моќност (максимум): 300mW, Напон - Излез: 11V, Напон - Офсет (Vt): 1.6V, Струја - Истекување на портата на анодата (Игао): 10nA, Тековна - долина (IV): 50µA,

Листа на желби.
2N6028RLRAG
ON Semiconductor

2N6028RLRAG

Дел Акција: 2505

Напон: 40V, Дисипација на моќност (максимум): 300mW, Напон - Излез: 11V, Напон - Офсет (Vt): 600mV, Струја - Истекување на портата на анодата (Игао): 10nA, Тековна - долина (IV): 25µA,

Листа на желби.
2N6027RLRAG
ON Semiconductor

2N6027RLRAG

Дел Акција: 2518

Напон: 40V, Дисипација на моќност (максимум): 300mW, Напон - Излез: 11V, Напон - Офсет (Vt): 1.6V, Струја - Истекување на портата на анодата (Игао): 10nA, Тековна - долина (IV): 50µA,

Листа на желби.
2N6028RLRA
ON Semiconductor

2N6028RLRA

Дел Акција: 2522

Напон: 40V, Дисипација на моќност (максимум): 300mW, Напон - Излез: 11V, Напон - Офсет (Vt): 600mV, Струја - Истекување на портата на анодата (Игао): 10nA, Тековна - долина (IV): 25µA,

Листа на желби.
2N6027RLRA
ON Semiconductor

2N6027RLRA

Дел Акција: 2457

Напон: 40V, Дисипација на моќност (максимум): 300mW, Напон - Излез: 11V, Напон - Офсет (Vt): 1.6V, Струја - Истекување на портата на анодата (Игао): 10nA, Тековна - долина (IV): 50µA,

Листа на желби.