Menu
МакедонскиМакедонски
Rfqs / цел
0Rfqs / цел

Thyristors - SCRs

2N5064RLRMG
ON Semiconductor

2N5064RLRMG

Дел Акција: 7685

Напон - исклучена состојба: 200V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 800mV, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200µA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.7V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 510mA, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 800mA,

Листа на желби.
2N5060RLRMG
ON Semiconductor

2N5060RLRMG

Дел Акција: 7656

Напон - исклучена состојба: 30V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 800mV, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200µA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.7V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 510mA, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 800mA,

Листа на желби.
2N6509T
ON Semiconductor

2N6509T

Дел Акција: 7661

Напон - исклучена состојба: 800V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 1.5V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 30mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.8V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 16A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 25A,

Листа на желби.
2N6401
ON Semiconductor

2N6401

Дел Акција: 4823

Напон - исклучена состојба: 100V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 1.5V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 30mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.7V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 10A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 16A,

Листа на желби.
2N6400
ON Semiconductor

2N6400

Дел Акција: 7723

Напон - исклучена состојба: 50V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 1.5V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 30mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.7V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 10A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 16A,

Листа на желби.
2N6394
ON Semiconductor

2N6394

Дел Акција: 7735

Напон - исклучена состојба: 50V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 1.5V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 30mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 2.2V, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 12A,

Листа на желби.
2N5064RLRM
ON Semiconductor

2N5064RLRM

Дел Акција: 7735

Напон - исклучена состојба: 200V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 800mV, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200µA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.7V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 510mA, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 800mA,

Листа на желби.
2N5062G
ON Semiconductor

2N5062G

Дел Акција: 7644

Напон - исклучена состојба: 100V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 800mV, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200µA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.7V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 510mA, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 800mA,

Листа на желби.
2N5060RLRM
ON Semiconductor

2N5060RLRM

Дел Акција: 7686

Напон - исклучена состојба: 30V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 800mV, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200µA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.7V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 510mA, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 800mA,

Листа на желби.
2N5060RLRAG
ON Semiconductor

2N5060RLRAG

Дел Акција: 7692

Напон - исклучена состојба: 30V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 800mV, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200µA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.7V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 510mA, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 800mA,

Листа на желби.
2N5064G
ON Semiconductor

2N5064G

Дел Акција: 7694

Напон - исклучена состојба: 200V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 800mV, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200µA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.7V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 510mA, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 800mA,

Листа на желби.
2N5061G
ON Semiconductor

2N5061G

Дел Акција: 7617

Напон - исклучена состојба: 60V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 800mV, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200µA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.7V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 510mA, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 800mA,

Листа на желби.
2N5064RLRAG
ON Semiconductor

2N5064RLRAG

Дел Акција: 7644

Напон - исклучена состојба: 200V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 800mV, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200µA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.7V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 510mA, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 800mA,

Листа на желби.
2N5060G
ON Semiconductor

2N5060G

Дел Акција: 4808

Напон - исклучена состојба: 30V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 800mV, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200µA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.7V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 510mA, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 800mA,

Листа на желби.
2N5061RLRAG
ON Semiconductor

2N5061RLRAG

Дел Акција: 7622

Напон - исклучена состојба: 60V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 800mV, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200µA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.7V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 510mA, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 800mA,

Листа на желби.
2N5062RLRAG
ON Semiconductor

2N5062RLRAG

Дел Акција: 7629

Напон - исклучена состојба: 100V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 800mV, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200µA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.7V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 510mA, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 800mA,

Листа на желби.
2N5062RLRA
ON Semiconductor

2N5062RLRA

Дел Акција: 4782

Напон - исклучена состојба: 100V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 800mV, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200µA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.7V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 510mA, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 800mA,

Листа на желби.
2N5064RLRA
ON Semiconductor

2N5064RLRA

Дел Акција: 7597

Напон - исклучена состојба: 200V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 800mV, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200µA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.7V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 510mA, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 800mA,

Листа на желби.
2N5061RLRA
ON Semiconductor

2N5061RLRA

Дел Акција: 7659

Напон - исклучена состојба: 60V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 800mV, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200µA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.7V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 510mA, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 800mA,

Листа на желби.
C122F1
ON Semiconductor

C122F1

Дел Акција: 7726

Напон - исклучена состојба: 50V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 1.5V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 25mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.83V, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 8A,

Листа на желби.
MCR12LDG
ON Semiconductor

MCR12LDG

Дел Акција: 7633

Напон - исклучена состојба: 400V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 800mV, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 8mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 2.2V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 7.6A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 12A,

Листа на желби.
MCR68-002
ON Semiconductor

MCR68-002

Дел Акција: 7675

Напон - исклучена состојба: 50V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 1.5V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 30mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 2.2V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 8A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 12A,

Листа на желби.
MCR8SM
ON Semiconductor

MCR8SM

Дел Акција: 7641

Напон - исклучена состојба: 600V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 1V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200µA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.8V, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 8A,

Листа на желби.
MCR22-8G
ON Semiconductor

MCR22-8G

Дел Акција: 7721

Напон - исклучена состојба: 600V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 800mV, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200µA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.7V, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 1.5A,

Листа на желби.
MCR12DSMT4
ON Semiconductor

MCR12DSMT4

Дел Акција: 7684

Напон - исклучена состојба: 600V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 1V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200µA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.9V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 7.6A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 12A,

Листа на желби.
MCR100-6RL
ON Semiconductor

MCR100-6RL

Дел Акција: 7666

Напон - исклучена состојба: 400V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 800mV, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200µA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.7V, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 800mA,

Листа на желби.
MCR12DSN-001
ON Semiconductor

MCR12DSN-001

Дел Акција: 7596

Напон - исклучена состојба: 800V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 1V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200µA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.9V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 7.6A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 12A,

Листа на желби.
MCR22-6RLRA
ON Semiconductor

MCR22-6RLRA

Дел Акција: 7626

Напон - исклучена состојба: 400V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 800mV, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200µA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.7V, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 1.5A,

Листа на желби.
NCR169DG
ON Semiconductor

NCR169DG

Дел Акција: 7646

Напон - исклучена состојба: 400V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 800mV, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200µA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.7V, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 800mA,

Листа на желби.
NYC008-6JG
ON Semiconductor

NYC008-6JG

Дел Акција: 4837

Напон - исклучена состојба: 600V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 800mV, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200µA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.7V, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 800mA,

Листа на желби.
MCR100-4G
ON Semiconductor

MCR100-4G

Дел Акција: 7672

Напон - исклучена состојба: 200V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 800mV, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200µA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.7V, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 800mA,

Листа на желби.
MCR100-4RLRMG
ON Semiconductor

MCR100-4RLRMG

Дел Акција: 7729

Напон - исклучена состојба: 200V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 800mV, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200µA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.7V, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 800mA,

Листа на желби.
MCR8DCMT4
ON Semiconductor

MCR8DCMT4

Дел Акција: 7693

Напон - исклучена состојба: 600V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 1V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 15mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.8V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 5.1A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 8A,

Листа на желби.
MCR708A1
ON Semiconductor

MCR708A1

Дел Акција: 7698

Напон - исклучена состојба: 600V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 800mV, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 75µA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 2.2V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 1.6A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 4A,

Листа на желби.
MCR218-002
ON Semiconductor

MCR218-002

Дел Акција: 7713

Напон - исклучена состојба: 50V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 1.5V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 25mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.8V, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 8A,

Листа на желби.
MCR100-004
ON Semiconductor

MCR100-004

Дел Акција: 4793

Напон - исклучена состојба: 200V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 800mV, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200µA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.7V, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 800mA,

Листа на желби.