Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Дома
Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Rohm Semiconductor

RS1E130GNTB

Дел Акција: 112458

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 13A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7 mOhm @ 13A, 10V,

Листа на желби.

Rohm Semiconductor

RQ3E120ATTB

Дел Акција: 117527

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 12A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 12A, 10V,

Листа на желби.

Rohm Semiconductor

RQ3E130BNTB

Дел Акција: 197991

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 13A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 13A, 10V,

Листа на желби.

Rohm Semiconductor

RS1G180MNTB

Дел Акција: 118932

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 40V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 18A (Ta), 80A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 18A, 10V,

Листа на желби.

Rohm Semiconductor

RQ3G150GNTB

Дел Акција: 147186

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 40V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 39A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2 mOhm @ 15A, 10V,

Листа на желби.

Rohm Semiconductor

RS1E180BNTB

Дел Акција: 170368

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 60A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9 mOhm @ 18A, 10V,

Листа на желби.

Rohm Semiconductor

R6011KNJTL

Дел Акција: 69650

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 600V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 11A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390 mOhm @ 3.8A, 10V,

Листа на желби.

Rohm Semiconductor

R6007ENJTL

Дел Акција: 83511

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 600V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 7A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620 mOhm @ 2.4A, 10V,

Листа на желби.

Rohm Semiconductor

RF4E080BNTR

Дел Акција: 151313

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 8A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.6 mOhm @ 8A, 10V,

Листа на желби.

Rohm Semiconductor

RTQ020N05TR

Дел Акција: 125816

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 45V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 2A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190 mOhm @ 2A, 4.5V,

Листа на желби.

Rohm Semiconductor

RQ3G100GNTB

Дел Акција: 168715

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 40V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 10A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.3 mOhm @ 10A, 10V,

Листа на желби.

Rohm Semiconductor

RS1E280BNTB

Дел Акција: 137810

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 28A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3 mOhm @ 28A, 10V,

Листа на желби.

Rohm Semiconductor

RQ3E120BNTB

Дел Акција: 191852

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 12A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3 mOhm @ 12A, 10V,

Листа на желби.

Rohm Semiconductor

RSJ550N10TL

Дел Акција: 35231

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 100V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 55A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.8 mOhm @ 27.5A, 10V,

Листа на желби.

Rohm Semiconductor

RSJ650N10TL

Дел Акција: 21622

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 100V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 65A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1 mOhm @ 32.5A, 10V,

Листа на желби.

Rohm Semiconductor

R6015ENJTL

Дел Акција: 38091

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 600V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 15A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290 mOhm @ 6.5A, 10V,

Листа на желби.

Rohm Semiconductor

RS1E240BNTB

Дел Акција: 155066

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 24A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2 mOhm @ 24A, 10V,

Листа на желби.

Rohm Semiconductor

R6035KNZ1C9

Дел Акција: 12661

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 600V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 35A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102 mOhm @ 18.1A, 10V,

Листа на желби.

Rohm Semiconductor

RCX330N25

Дел Акција: 36146

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 250V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 33A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V,

Листа на желби.

Rohm Semiconductor

RQ6E050ATTCR

Дел Акција: 102294

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 5A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 5A, 10V,

Листа на желби.

Rohm Semiconductor

RQ3E080BNTB

Дел Акција: 113311

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 8A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.2 mOhm @ 8A, 10V,

Листа на желби.

Rohm Semiconductor

RSJ151P10TL

Дел Акција: 114135

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 100V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 15A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 15A, 10V,

Листа на желби.

Rohm Semiconductor

RQ3L050GNTB

Дел Акција: 140584

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 60V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 12A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61 mOhm @ 5A, 10V,

Листа на желби.

Rohm Semiconductor

RQ3E150BNTB

Дел Акција: 120854

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 15A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3 mOhm @ 15A, 10V,

Листа на желби.

Rohm Semiconductor

RQ3E180AJTB

Дел Акција: 164284

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 18A (Ta), 30A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 18A, 4.5V,

Листа на желби.

Rohm Semiconductor

RF4E070GNTR

Дел Акција: 155367

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 7A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.4 mOhm @ 7A, 10V,

Листа на желби.

Rohm Semiconductor

RS1E150GNTB

Дел Акција: 183764

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 15A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8 mOhm @ 15A, 10V,

Листа на желби.

Rohm Semiconductor

RQ3E180BNTB

Дел Акција: 165998

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 39A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9 mOhm @ 18A, 10V,

Листа на желби.

Rohm Semiconductor

RRQ020P03TCR

Дел Акција: 164666

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 2A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 2A, 10V,

Листа на желби.

Rohm Semiconductor

RF4E110GNTR

Дел Акција: 183000

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 11A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3 mOhm @ 11A, 10V,

Листа на желби.

Rohm Semiconductor

RQ3E080GNTB

Дел Акција: 136768

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 8A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.7 mOhm @ 8A, 10V,

Листа на желби.

Rohm Semiconductor

R6007KNJTL

Дел Акција: 83551

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 600V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 7A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620 mOhm @ 2.4A, 10V,

Листа на желби.

Rohm Semiconductor

RS1E350BNTB

Дел Акција: 97681

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 35A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7 mOhm @ 35A, 10V,

Листа на желби.

Rohm Semiconductor

RF4E075ATTCR

Дел Акција: 118298

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 7.5A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.7 mOhm @ 7.5A, 10V,

Листа на желби.

Rohm Semiconductor

RCJ450N20TL

Дел Акција: 49874

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 200V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 45A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 22.5A, 10V,

Листа на желби.

Rohm Semiconductor

RSJ250P10FRATL

Дел Акција: 137

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 100V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 25A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63 mOhm @ 25A, 10V,

Листа на желби.

644

«
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
»