Transistors - FETs, MOSFETs - Single | Discrete Semiconductor Products | 18

R6015FNX

Дел Акција: 11226

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 600V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 15A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350 mOhm @ 7.5A, 10V,

Листа на желби.

Rohm Semiconductor

RCX510N25

Дел Акција: 15729

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 250V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 51A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V,

Листа на желби.

Rohm Semiconductor

R6004KNJTL

Дел Акција: 75363

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 600V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 4A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980 mOhm @ 1.5A, 10V,

Листа на желби.

Rohm Semiconductor

SCT2750NYTB

Дел Акција: 15479

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 1700V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 5.9A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 18V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 975 mOhm @ 1.7A, 18V,

Листа на желби.

Rohm Semiconductor

SCT3060ALGC11

Дел Акција: 7128

Тип на FET: N-Channel, Технологија: SiCFET (Silicon Carbide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 650V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 39A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 18V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78 mOhm @ 13A, 18V,

Листа на желби.

Rohm Semiconductor

SCH2080KEC

Дел Акција: 2547

Тип на FET: N-Channel, Технологија: SiCFET (Silicon Carbide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 1200V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 40A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 18V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117 mOhm @ 10A, 18V,

Листа на желби.

Rohm Semiconductor

RRH050P03GZETB

Дел Акција: 6288

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 5A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 5A, 10V,

Листа на желби.

Rohm Semiconductor

SCT3040KLGC11

Дел Акција: 2854

Тип на FET: N-Channel, Технологија: SiCFET (Silicon Carbide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 1200V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 55A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 18V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52 mOhm @ 20A, 18V,

Листа на желби.

Rohm Semiconductor

RSS090P03FU7TB

Дел Акција: 135899

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 9A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 9A, 10V,

Листа на желби.

Rohm Semiconductor

RP1E090RPTR

Дел Акција: 2073

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 9A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.9 mOhm @ 9A, 10V,

Листа на желби.

Rohm Semiconductor

RCD080N25TL

Дел Акција: 99109

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 250V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 8A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 4A, 10V,

Листа на желби.

Rohm Semiconductor

SCT2H12NYTB

Дел Акција: 18112

Тип на FET: N-Channel, Технологија: SiCFET (Silicon Carbide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 1700V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 4A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 18V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 1.1A, 18V,

Листа на желби.

Rohm Semiconductor

SCT3030ALGC11

Дел Акција: 3030

Тип на FET: N-Channel, Технологија: SiCFET (Silicon Carbide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 650V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 70A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 18V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39 mOhm @ 27A, 18V,

Листа на желби.

Rohm Semiconductor

R6004ENDTL

Дел Акција: 156482

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 600V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 4A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980 mOhm @ 1.5A, 10V,

Листа на желби.

Rohm Semiconductor

RAQ045P01TCR

Дел Акција: 1902

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 12V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 4.5A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 4.5A, 4.5V,

Листа на желби.

Rohm Semiconductor

RS1E200GNTB

Дел Акција: 196672

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 20A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6 mOhm @ 20A, 10V,

Листа на желби.

Rohm Semiconductor

RSS065N06FRATB

Дел Акција: 10801

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 60V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 6.5A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37 mOhm @ 6.5A, 10V,

Листа на желби.

Rohm Semiconductor

RMW130N03TB

Дел Акција: 190282

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 13A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.6 mOhm @ 13A, 10V,

Листа на желби.

Rohm Semiconductor

RMW200N03TB

Дел Акција: 116058

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 20A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2 mOhm @ 20A, 10V,

Листа на желби.

Rohm Semiconductor

RP1E090XNTCR

Дел Акција: 1429

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 9A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 9A, 10V,

Листа на желби.

Rohm Semiconductor

RP1E070XNTCR

Дел Акција: 1473

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 7A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 7A, 10V,

Листа на желби.

Rohm Semiconductor

RP1E100XNTR

Дел Акција: 6211

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 10A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 10A, 10V,

Листа на желби.

Rohm Semiconductor

RP1E075RPTR

Дел Акција: 1446

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 7.5A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 7.5A, 10V,

Листа на желби.

Rohm Semiconductor

RS3E075ATTB

Дел Акција: 122522

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.5 mOhm @ 7.5A, 10V,

Листа на желби.

Rohm Semiconductor

RSH065N03TB1

Дел Акција: 197099

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 6.5A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 6.5A, 10V,

Листа на желби.

Rohm Semiconductor

RSD220N06TL

Дел Акција: 102535

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 60V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 22A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4V, 10V,

Листа на желби.

Rohm Semiconductor

RP1L080SNTR

Дел Акција: 1473

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 60V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 8A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 8A, 10V,

Листа на желби.

Rohm Semiconductor

RS3E135BNGZETB

Дел Акција: 183103

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 9.5A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.6 mOhm @ 9.5A, 10V,

Листа на желби.

Rohm Semiconductor

RND030N20TL

Дел Акција: 172245

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 200V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 3A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 870 mOhm @ 1.5A, 10V,

Листа на желби.

Rohm Semiconductor

R6006ANDTL

Дел Акција: 68225

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 600V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 6A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 3A, 10V,

Листа на желби.

Rohm Semiconductor

RP1H065SPTR

Дел Акција: 1481

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 45V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 6.5A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31 mOhm @ 6.5A, 10V,

Листа на желби.

Rohm Semiconductor

R6004CNDTL

Дел Акција: 76158

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 600V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 4A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8 Ohm @ 2A, 10V,

Листа на желби.

Rohm Semiconductor

RRH100P03GZETB

Дел Акција: 101180

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 10A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.6 mOhm @ 10A, 10V,

Листа на желби.

Rohm Semiconductor

RD3L080SNTL1

Дел Акција: 10823

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 60V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 8A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 8A, 10V,

Листа на желби.

Rohm Semiconductor

RS1E280GNTB

Дел Акција: 189450

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 28A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6 mOhm @ 28A, 10V,

Листа на желби.

Rohm Semiconductor

SCT2160KEC

Дел Акција: 7564

Тип на FET: N-Channel, Технологија: SiCFET (Silicon Carbide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 1200V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 22A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 18V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208 mOhm @ 7A, 18V,

Листа на желби.