Menu
МакедонскиМакедонски
Rfqs / цел
0Rfqs / цел

Diodes - Rectifiers - Arrays

  • Дома
  •  
  • Diodes - Rectifiers - Arrays
MBR20150PT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR20150PT C0G

Дел Акција: 151

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 150V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 20A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.02V @ 20A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
MBR1060CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR1060CTHC0G

Дел Акција: 71

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 60V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 10A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 900mV @ 10A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
MBRS2050CTHMNG
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS2050CTHMNG

Дел Акција: 153

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 50V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 20A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 950mV @ 20A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
MBRI30100CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRI30100CT C0G

Дел Акција: 92

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 30A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 940mV @ 30A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
MBRS30H45CT MNG
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS30H45CT MNG

Дел Акција: 142

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 45V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 30A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 900mV @ 30A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
MBR1045CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR1045CT C0G

Дел Акција: 138

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 45V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 10A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 800mV @ 10A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
MBRF3045CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF3045CT C0G

Дел Акција: 121

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 45V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 30A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 820mV @ 30A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
MBRF1045CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF1045CTHC0G

Дел Акција: 149

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 45V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 10A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 800mV @ 10A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
MBRF2050CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF2050CTHC0G

Дел Акција: 93

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 50V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 20A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 950mV @ 20A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
MBRF2080CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF2080CTHC0G

Дел Акција: 152

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 80V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 20A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 20A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
UG1005G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

UG1005G C0G

Дел Акција: 65

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 300V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 10A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.25V @ 5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
MBR20150PTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR20150PTHC0G

Дел Акција: 151

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 150V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 20A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.02V @ 20A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
MBRF10H200CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF10H200CT C0G

Дел Акција: 88

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 10A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 970mV @ 10A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
MBRF30L45CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF30L45CTHC0G

Дел Акција: 161

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 45V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 30A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 740mV @ 30A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
MBRF1090CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF1090CT C0G

Дел Акција: 103

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 90V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 10A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 950mV @ 10A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
SRF10100HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SRF10100HC0G

Дел Акција: 143

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 10A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 900mV @ 5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
SR16100 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR16100 C0G

Дел Акција: 108

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 16A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 900mV @ 8A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
SRF1650HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SRF1650HC0G

Дел Акција: 97

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 50V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 16A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 700mV @ 8A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
MBRS1550CT MNG
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS1550CT MNG

Дел Акција: 159

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 50V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 15A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 750mV @ 7.5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
SRS2050HMNG
Taiwan Semiconductor Corporation

SRS2050HMNG

Дел Акција: 175

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 50V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 20A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 700mV @ 10A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
MBR30H100CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR30H100CT C0G

Дел Акција: 97

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 30A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 980mV @ 30A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
SRF2050HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SRF2050HC0G

Дел Акција: 155

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 50V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 20A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 700mV @ 10A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
HER1006G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

HER1006G C0G

Дел Акција: 76

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 10A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.7V @ 5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
SR3090PTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR3090PTHC0G

Дел Акција: 111

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 90V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 30A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 900mV @ 15A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
MURF1640CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MURF1640CTHC0G

Дел Акција: 122

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 16A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 8A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
SRF16100 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SRF16100 C0G

Дел Акција: 176

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 16A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 550mV @ 8A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
GP1003HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

GP1003HC0G

Дел Акција: 120

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 10A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 5A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
SR20150PT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR20150PT C0G

Дел Акција: 90

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 150V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 20A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 550mV @ 10A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
SRS1050 MNG
Taiwan Semiconductor Corporation

SRS1050 MNG

Дел Акција: 154

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 50V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 10A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 700mV @ 5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
SR16100HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR16100HC0G

Дел Акција: 80

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 16A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 900mV @ 8A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
HER1604PT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

HER1604PT C0G

Дел Акција: 84

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 300V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 16A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 8A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
MBR2060CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR2060CTHC0G

Дел Акција: 128

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 60V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 20A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 950mV @ 20A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
MBR1090CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR1090CTHC0G

Дел Акција: 129

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 90V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 10A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 950mV @ 10A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
SRS1090 MNG
Taiwan Semiconductor Corporation

SRS1090 MNG

Дел Акција: 134

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 90V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 10A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 900mV @ 5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
SR1690HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR1690HC0G

Дел Акција: 156

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 90V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 16A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 900mV @ 8A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
MBRS4060CTHMNG
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS4060CTHMNG

Дел Акција: 117

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 60V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 40A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 40A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.