Diodes - Rectifiers - Arrays | Discrete Semiconductor Products | 21

SRS1690 MNG

Дел Акција: 161

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 90V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 16A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 900mV @ 8A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS15100CT-Y MNG

Дел Акција: 146

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 15A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 920mV @ 7.5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF3090CTHC0G

Дел Акција: 156

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 90V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 30A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 940mV @ 30A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF2060CTHC0G

Дел Акција: 112

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 60V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 20A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 950mV @ 20A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

MBR30L45CTHC0G

Дел Акција: 160

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 45V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 30A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 550mV @ 15A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

HER1603PT C0G

Дел Акција: 79

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 16A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 8A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF2560CTHC0G

Дел Акција: 146

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 60V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 25A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 750mV @ 12.5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

UGF1606G C0G

Дел Акција: 150

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 16A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.25V @ 8A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS2590CTHMNG

Дел Акција: 102

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 90V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 25A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 920mV @ 25A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

MBR3045CT C0G

Дел Акција: 116

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 45V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 30A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 820mV @ 30A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

MBR1060CT C0G

Дел Акција: 72

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 60V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 10A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 900mV @ 10A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

MUR1620CTHC0G

Дел Акција: 168

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 16A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 975mV @ 8A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

MBR1035CTHC0G

Дел Акција: 164

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 35V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 10A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 800mV @ 10A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

MBR40150PT C0G

Дел Акција: 98

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 150V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 40A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.01V @ 40A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

GP1004HC0G

Дел Акција: 158

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 10A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 5A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

GP1003 C0G

Дел Акција: 151

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 10A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 5A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

GP1606HC0G

Дел Акција: 158

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 800V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 16A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 8A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

HERF1004G C0G

Дел Акција: 107

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 300V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 10A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 10A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

MBR20150CTHC0G

Дел Акција: 137

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 150V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 20A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.23V @ 20A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

SR10150HC0G

Дел Акција: 126

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 150V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 10A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 950mV @ 5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

MBR1550CTHC0G

Дел Акција: 162

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 50V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 15A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 750mV @ 7.5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

MBR30L60CTHC0G

Дел Акција: 167

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 60V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 30A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 600mV @ 15A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

MBR30150PT C0G

Дел Акција: 72

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 150V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 30A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.02V @ 30A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

SRF20150 C0G

Дел Акција: 144

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 150V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 20A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.02V @ 10A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF20L100CT C0G

Дел Акција: 97

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 20A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 850mV @ 20A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

MBR15100CTHC0G

Дел Акција: 75

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 15A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 920mV @ 7.5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

UGF2004GHC0G

Дел Акција: 161

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 20A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 950mV @ 10A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS2090CTHMNG

Дел Акција: 78

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 90V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 20A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 950mV @ 20A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS1050CTHMNG

Дел Акција: 111

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 50V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 10A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 900mV @ 10A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF30L120CT C0G

Дел Акција: 136

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 120V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 30A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 950mV @ 30A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS10100CT MNG

Дел Акција: 110

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 10A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 950mV @ 10A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

MBR1045CTHC0G

Дел Акција: 87

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 45V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 10A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 800mV @ 10A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

MBR2050CTHC0G

Дел Акција: 95

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 50V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 20A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 950mV @ 20A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

MBR40150PTHC0G

Дел Акција: 158

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 150V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 40A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.01V @ 40A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF10100CTHC0G

Дел Акција: 105

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 10A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 950mV @ 10A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS10150CT MNG

Дел Акција: 121

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 150V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 10A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 980mV @ 10A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.