Menu
МакедонскиМакедонски
Rfqs / цел
0Rfqs / цел

Diodes - Zener - Single

1N4751A R1G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4751A R1G

Дел Акција: 206

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 30V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 1W, Импеданса (максимум) (Zzt): 40 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 5µA @ 22.8V,

Листа на желби.
1M130ZHR1G
Taiwan Semiconductor Corporation

1M130ZHR1G

Дел Акција: 200

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 130V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 1W, Импеданса (максимум) (Zzt): 700 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 5µA @ 98.8V,

Листа на желби.
1N4762A B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4762A B0G

Дел Акција: 165

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 82V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 1W, Импеданса (максимум) (Zzt): 200 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 5µA @ 62.2V,

Листа на желби.
1N4741AHR1G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4741AHR1G

Дел Акција: 179

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 11V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 1W, Импеданса (максимум) (Zzt): 22 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 5µA @ 15.2V,

Листа на желби.
1N4761A R1G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4761A R1G

Дел Акција: 138

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 75V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 1W, Импеданса (максимум) (Zzt): 175 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 5µA @ 56V,

Листа на желби.
1N4764AHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4764AHB0G

Дел Акција: 185

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 100V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 1W, Импеданса (максимум) (Zzt): 350 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 5µA @ 76V,

Листа на желби.
1M160Z R1G
Taiwan Semiconductor Corporation

1M160Z R1G

Дел Акција: 198

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 160V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 1W, Импеданса (максимум) (Zzt): 1100 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 5µA @ 121.6V,

Листа на желби.
1M110Z A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1M110Z A0G

Дел Акција: 188

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 110V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 1W, Импеданса (максимум) (Zzt): 450 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 5µA @ 83.6V,

Листа на желби.
1N4749A B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4749A B0G

Дел Акција: 200

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 24V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 1W, Импеданса (максимум) (Zzt): 25 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 5µA @ 18.2V,

Листа на желби.
1M200Z A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1M200Z A0G

Дел Акција: 215

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 200V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 1W, Импеданса (максимум) (Zzt): 1500 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 5µA @ 152V,

Листа на желби.
1N4753A R1G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4753A R1G

Дел Акција: 197

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 36V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 1W, Импеданса (максимум) (Zzt): 50 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 5µA @ 27.4V,

Листа на желби.
1N4763AHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4763AHB0G

Дел Акција: 125

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 91V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 1W, Импеданса (максимум) (Zzt): 250 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 5µA @ 69.2V,

Листа на желби.
1N4750A A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4750A A0G

Дел Акција: 168

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 27V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 1W, Импеданса (максимум) (Zzt): 35 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 5µA @ 20.6V,

Листа на желби.
1M110Z B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1M110Z B0G

Дел Акција: 150

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 110V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 1W, Импеданса (максимум) (Zzt): 450 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 5µA @ 83.6V,

Листа на желби.
1N4746A R1G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4746A R1G

Дел Акција: 189

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 18V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 1W, Импеданса (максимум) (Zzt): 40 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 5µA @ 13.7V,

Листа на желби.
1N4746AHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4746AHA0G

Дел Акција: 168

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 18V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 1W, Импеданса (максимум) (Zzt): 45 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 5µA @ 13.7V,

Листа на желби.
1N4763A A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4763A A0G

Дел Акција: 176

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 91V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 1W, Импеданса (максимум) (Zzt): 250 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 5µA @ 69.2V,

Листа на желби.
1N4747AHR1G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4747AHR1G

Дел Акција: 173

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 20V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 1W, Импеданса (максимум) (Zzt): 95 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 5µA @ 15.2V,

Листа на желби.
1M180Z R1G
Taiwan Semiconductor Corporation

1M180Z R1G

Дел Акција: 202

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 180V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 1W, Импеданса (максимум) (Zzt): 1200 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 5µA @ 136.8V,

Листа на желби.
1N4741A R1G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4741A R1G

Дел Акција: 156

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 11V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 1W, Импеданса (максимум) (Zzt): 16 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 5µA @ 12.2V,

Листа на желби.
1N4749AHR1G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4749AHR1G

Дел Акција: 128

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 24V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 1W, Импеданса (максимум) (Zzt): 25 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 5µA @ 18.2V,

Листа на желби.
1N4758A R1G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4758A R1G

Дел Акција: 167

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 56V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 1W, Импеданса (максимум) (Zzt): 110 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 5µA @ 42.6V,

Листа на желби.
1N4740AHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4740AHB0G

Дел Акција: 160

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 10V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 1W, Импеданса (максимум) (Zzt): 8 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 5µA @ 8.4V,

Листа на желби.
1M200Z R1G
Taiwan Semiconductor Corporation

1M200Z R1G

Дел Акција: 171

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 200V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 1W, Импеданса (максимум) (Zzt): 1500 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 5µA @ 152V,

Листа на желби.
1N4753AHR1G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4753AHR1G

Дел Акција: 142

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 36V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 1W, Импеданса (максимум) (Zzt): 50 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 5µA @ 27.4V,

Листа на желби.
1N4747A R1G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4747A R1G

Дел Акција: 119

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 20V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 1W, Импеданса (максимум) (Zzt): 70 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 5µA @ 15.2V,

Листа на желби.
1N4751AHR1G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4751AHR1G

Дел Акција: 172

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 30V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 1W, Импеданса (максимум) (Zzt): 40 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 5µA @ 22.8V,

Листа на желби.
1M120ZHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1M120ZHB0G

Дел Акција: 131

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 120V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 1W, Импеданса (максимум) (Zzt): 550 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 5µA @ 91.2V,

Листа на желби.
1N4746AHR1G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4746AHR1G

Дел Акција: 123

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 18V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 1W, Импеданса (максимум) (Zzt): 50 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 5µA @ 13.7V,

Листа на желби.
1N4743A A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4743A A0G

Дел Акција: 177

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 13V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 1W, Импеданса (максимум) (Zzt): 60 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 5µA @ 29.7V,

Листа на желби.
1N4761A A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4761A A0G

Дел Акција: 179

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 75V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 1W, Импеданса (максимум) (Zzt): 175 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 5µA @ 56V,

Листа на желби.
1N4752AHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4752AHA0G

Дел Акција: 207

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 33V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 1W, Импеданса (максимум) (Zzt): 45 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 5µA @ 25.1V,

Листа на желби.
1N4756AHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4756AHA0G

Дел Акција: 161

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 47V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 1W, Импеданса (максимум) (Zzt): 80 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 5µA @ 35.8V,

Листа на желби.
1N4755AHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4755AHB0G

Дел Акција: 170

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 43V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 1W, Импеданса (максимум) (Zzt): 70 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 5µA @ 32.7V,

Листа на желби.
1N4746A B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4746A B0G

Дел Акција: 132

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 18V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 1W, Импеданса (максимум) (Zzt): 35 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 5µA @ 13.7V,

Листа на желби.
1N4759A A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4759A A0G

Дел Акција: 169

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 62V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 1W, Импеданса (максимум) (Zzt): 125 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 5µA @ 47.1V,

Листа на желби.