Menu
МакедонскиМакедонски
Rfqs / цел
0Rfqs / цел

Diodes - Zener - Single

1N4754A A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4754A A0G

Дел Акција: 212

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 39V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 1W, Импеданса (максимум) (Zzt): 60 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 5µA @ 29.7V,

Листа на желби.
1M200ZHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1M200ZHB0G

Дел Акција: 123

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 200V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 1W, Импеданса (максимум) (Zzt): 1500 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 5µA @ 152V,

Листа на желби.
1N4764AHR1G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4764AHR1G

Дел Акција: 175

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 100V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 1W, Импеданса (максимум) (Zzt): 350 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 5µA @ 76V,

Листа на желби.
1N4743AHR1G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4743AHR1G

Дел Акција: 177

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 13V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 1W, Импеданса (максимум) (Zzt): 95 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 5µA @ 38.8V,

Листа на желби.
1N4756A A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4756A A0G

Дел Акција: 146

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 47V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 1W, Импеданса (максимум) (Zzt): 80 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 5µA @ 35.8V,

Листа на желби.
1N4764AHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4764AHA0G

Дел Акција: 208

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 100V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 1W, Импеданса (максимум) (Zzt): 350 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 5µA @ 76V,

Листа на желби.
1N4751A A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4751A A0G

Дел Акција: 150

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 30V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 1W, Импеданса (максимум) (Zzt): 40 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 5µA @ 22.8V,

Листа на желби.
1N4759AHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4759AHB0G

Дел Акција: 138

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 62V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 1W, Импеданса (максимум) (Zzt): 125 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 5µA @ 47.1V,

Листа на желби.
1N4744AHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4744AHB0G

Дел Акција: 204

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 15V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 1W, Импеданса (максимум) (Zzt): 14 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 5µA @ 11.4V,

Листа на желби.
1N4744AHR1G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4744AHR1G

Дел Акција: 188

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 15V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 1W, Импеданса (максимум) (Zzt): 14 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 5µA @ 11.4V,

Листа на желби.
1N4741A B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4741A B0G

Дел Акција: 184

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 11V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 1W, Импеданса (максимум) (Zzt): 14 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 5µA @ 11.4V,

Листа на желби.
1N4755A B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4755A B0G

Дел Акција: 130

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 43V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 1W, Импеданса (максимум) (Zzt): 70 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 5µA @ 32.7V,

Листа на желби.
1N4759A R1G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4759A R1G

Дел Акција: 125

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 62V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 1W, Импеданса (максимум) (Zzt): 125 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 5µA @ 47.1V,

Листа на желби.
1M130Z R1G
Taiwan Semiconductor Corporation

1M130Z R1G

Дел Акција: 152

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 130V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 1W, Импеданса (максимум) (Zzt): 700 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 5µA @ 98.8V,

Листа на желби.
1N4761AHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4761AHB0G

Дел Акција: 191

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 75V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 1W, Импеданса (максимум) (Zzt): 175 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 5µA @ 56V,

Листа на желби.
1N4740A R1G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4740A R1G

Дел Акција: 187

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 10V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 1W, Импеданса (максимум) (Zzt): 7 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 10µA @ 7.6V,

Листа на желби.
1N4764A R1G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4764A R1G

Дел Акција: 150

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 100V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 1W, Импеданса (максимум) (Zzt): 350 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 5µA @ 76V,

Листа на желби.
1N4754A R1G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4754A R1G

Дел Акција: 152

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 39V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 1W, Импеданса (максимум) (Zzt): 60 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 5µA @ 29.7V,

Листа на желби.
1M150ZHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1M150ZHA0G

Дел Акција: 119

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 150V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 1W, Импеданса (максимум) (Zzt): 1000 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 5µA @ 114V,

Листа на желби.
1N4758A A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4758A A0G

Дел Акција: 141

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 56V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 1W, Импеданса (максимум) (Zzt): 110 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 5µA @ 42.6V,

Листа на желби.
1N4759AHR1G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4759AHR1G

Дел Акција: 200

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 62V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 1W, Импеданса (максимум) (Zzt): 125 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 5µA @ 47.1V,

Листа на желби.
1N4763A B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4763A B0G

Дел Акција: 153

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 91V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 1W, Импеданса (максимум) (Zzt): 250 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 5µA @ 69.2V,

Листа на желби.
1SMA4738HR3G
Taiwan Semiconductor Corporation

1SMA4738HR3G

Дел Акција: 194

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 8.2V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 1.25W, Импеданса (максимум) (Zzt): 4.5 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 5µA @ 6V,

Листа на желби.
1SMA4740HM2G
Taiwan Semiconductor Corporation

1SMA4740HM2G

Дел Акција: 201

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 10V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 1.25W, Импеданса (максимум) (Zzt): 7 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 5µA @ 7.6V,

Листа на желби.
1SMA4739HR3G
Taiwan Semiconductor Corporation

1SMA4739HR3G

Дел Акција: 210

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 9.1V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 1.25W, Импеданса (максимум) (Zzt): 5 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 5µA @ 7V,

Листа на желби.
1SMA4738HM2G
Taiwan Semiconductor Corporation

1SMA4738HM2G

Дел Акција: 218

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 8.2V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 1.25W, Импеданса (максимум) (Zzt): 4.5 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 5µA @ 6V,

Листа на желби.
1SMA4739 M2G
Taiwan Semiconductor Corporation

1SMA4739 M2G

Дел Акција: 213

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 9.1V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 1.25W, Импеданса (максимум) (Zzt): 5 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 5µA @ 7V,

Листа на желби.
1SMA4738 M2G
Taiwan Semiconductor Corporation

1SMA4738 M2G

Дел Акција: 148

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 8.2V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 1.25W, Импеданса (максимум) (Zzt): 4.5 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 5µA @ 6V,

Листа на желби.
1SMA4740 M2G
Taiwan Semiconductor Corporation

1SMA4740 M2G

Дел Акција: 164

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 10V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 1.25W, Импеданса (максимум) (Zzt): 7 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 5µA @ 7.6V,

Листа на желби.
1SMA4740HR3G
Taiwan Semiconductor Corporation

1SMA4740HR3G

Дел Акција: 220

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 10V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 1.25W, Импеданса (максимум) (Zzt): 7 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 5µA @ 7.6V,

Листа на желби.
1SMA5946HR3G
Taiwan Semiconductor Corporation

1SMA5946HR3G

Дел Акција: 185

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 75V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 1.5W, Импеданса (максимум) (Zzt): 140 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 500nA @ 56V,

Листа на желби.
1SMA5946 R3G
Taiwan Semiconductor Corporation

1SMA5946 R3G

Дел Акција: 221

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 75V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 1.5W, Импеданса (максимум) (Zzt): 140 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 500nA @ 56V,

Листа на желби.
1SMA4739 R3G
Taiwan Semiconductor Corporation

1SMA4739 R3G

Дел Акција: 184

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 9.1V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 1.25W, Импеданса (максимум) (Zzt): 5 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 5µA @ 7V,

Листа на желби.
1SMA4739HM2G
Taiwan Semiconductor Corporation

1SMA4739HM2G

Дел Акција: 218

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 9.1V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 1.25W, Импеданса (максимум) (Zzt): 5 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 5µA @ 7V,

Листа на желби.
1SMA4737 R3G
Taiwan Semiconductor Corporation

1SMA4737 R3G

Дел Акција: 141

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 7.5V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 1.25W, Импеданса (максимум) (Zzt): 4 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 5µA @ 5V,

Листа на желби.
1SMA4737HM2G
Taiwan Semiconductor Corporation

1SMA4737HM2G

Дел Акција: 184

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 7.5V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 1.25W, Импеданса (максимум) (Zzt): 4 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 5µA @ 5V,

Листа на желби.