Diodes - Rectifiers - Single | Discrete Semiconductor Products | 100

BA158GHR1G

Дел Акција: 127

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 150ns,

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

BA158G A0G

Дел Акција: 95

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 150ns,

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

BA157GHR1G

Дел Акција: 108

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 150ns,

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

BA157GHA0G

Дел Акција: 84

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 150ns,

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

BAT54CW RVG

Дел Акција: 146

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 30V, Тековна - Просечна исправена (Io): 200mA (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 100mA, Брзина: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Време на обратно закрепнување (trr): 5ns,

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

BAT54W RVG

Дел Акција: 192

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 30V, Тековна - Просечна исправена (Io): 200mA (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 100mA, Брзина: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Време на обратно закрепнување (trr): 5ns,

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

BAT54SW RVG

Дел Акција: 145

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 30V, Тековна - Просечна исправена (Io): 200mA (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 100mA, Брзина: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Време на обратно закрепнување (trr): 5ns,

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

BAT54AW RVG

Дел Акција: 170

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 30V, Тековна - Просечна исправена (Io): 200mA (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 100mA, Брзина: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Време на обратно закрепнување (trr): 5ns,

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

BA157G B0G

Дел Акција: 185

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 150ns,

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

BAT43X RKG

Дел Акција: 196

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 30V, Тековна - Просечна исправена (Io): 200mA (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 200mA, Брзина: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Време на обратно закрепнување (trr): 5ns,

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

BYG23M M2G

Дел Акција: 148

Тип на диода: Standard, Тековна - Просечна исправена (Io): 1.5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.7V @ 1.5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 65ns,

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

BA158GHA0G

Дел Акција: 180

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 150ns,

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

BA159GHB0G

Дел Акција: 199

Тип на диода: Standard, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 250ns,

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

BA158GHB0G

Дел Акција: 111

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 150ns,

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

BA158G B0G

Дел Акција: 191

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 150ns,

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

BA159G R1G

Дел Акција: 138

Тип на диода: Standard, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 250ns,

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

BYG20J R3G

Дел Акција: 127

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1.5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.4V @ 1.5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 75ns,

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

BA159G B0G

Дел Акција: 197

Тип на диода: Standard, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 250ns,

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

BYG23M R3G

Дел Акција: 142

Тип на диода: Standard, Тековна - Просечна исправена (Io): 1.5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.7V @ 1.5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 65ns,

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

BYG21M M2G

Дел Акција: 109

Тип на диода: Avalanche, Тековна - Просечна исправена (Io): 1.5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.6V @ 1.5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 120ns,

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

BA159GHR1G

Дел Акција: 115

Тип на диода: Standard, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 250ns,

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

BA157GHB0G

Дел Акција: 109

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 150ns,

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

BA159GHA0G

Дел Акција: 175

Тип на диода: Standard, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 250ns,

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

BAV103 L0G

Дел Акција: 251

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 250V, Тековна - Просечна исправена (Io): 200mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 100mA, Брзина: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

BAV101 L0G

Дел Акција: 251

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 250V, Тековна - Просечна исправена (Io): 200mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 100mA, Брзина: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

BAV21 A0G

Дел Акција: 203

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 250V, Тековна - Просечна исправена (Io): 200mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.25V @ 200mA, Брзина: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

BAV20 A0G

Дел Акција: 163

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 150V, Тековна - Просечна исправена (Io): 200mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.25V @ 200mA, Брзина: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

BAV101 L1G

Дел Акција: 217

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 250V, Тековна - Просечна исправена (Io): 200mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 100mA, Брзина: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

BAV19 A0G

Дел Акција: 173

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Тековна - Просечна исправена (Io): 200mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.25V @ 200mA, Брзина: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

BAV103 L1G

Дел Акција: 215

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 250V, Тековна - Просечна исправена (Io): 200mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 100mA, Брзина: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

BAS21W RVG

Дел Акција: 171

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 250V, Тековна - Просечна исправена (Io): 200mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.25V @ 100mA, Брзина: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Време на обратно закрепнување (trr): 50ns,

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

BAS21 RFG

Дел Акција: 263

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 250V, Тековна - Просечна исправена (Io): 200mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.25V @ 200mA, Брзина: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Време на обратно закрепнување (trr): 50ns,

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

BAS19 RFG

Дел Акција: 250

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Тековна - Просечна исправена (Io): 200mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.25V @ 200mA, Брзина: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Време на обратно закрепнување (trr): 50ns,

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

B0530WF RHG

Дел Акција: 195

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 30V, Тековна - Просечна исправена (Io): 500mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 500mV @ 500mA, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

BAV20W RHG

Дел Акција: 237

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 250V, Тековна - Просечна исправена (Io): 200mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.25V @ 200mA, Брзина: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Време на обратно закрепнување (trr): 50ns,

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

BAV19W-G RHG

Дел Акција: 216

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Тековна - Просечна исправена (Io): 200mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.25V @ 200mA, Брзина: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Време на обратно закрепнување (trr): 50ns,

Листа на желби.