Diodes - Rectifiers - Single | Discrete Semiconductor Products | 100

1N5393G B0G

Дел Акција: 180

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1.5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 1.5A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

1N5391G A0G

Дел Акција: 162

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 50V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1.5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 1.5A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

1N5392GHA0G

Дел Акција: 120

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1.5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 1.5A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

1N5391GHA0G

Дел Акција: 198

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 50V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1.5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 1.5A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

1N5819HA0G

Дел Акција: 149

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 40V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 600mV @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

1N5395G A0G

Дел Акција: 183

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1.5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 1.5A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

1N5393GHB0G

Дел Акција: 149

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1.5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 1.5A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

1N5391GHB0G

Дел Акција: 183

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 50V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1.5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 1.5A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

1N5817 A0G

Дел Акција: 202

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 20V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 450mV @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

1N5393G A0G

Дел Акција: 140

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1.5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 1.5A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

1N5822 A0G

Дел Акција: 156

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 40V, Тековна - Просечна исправена (Io): 3A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 525mV @ 3A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

1N5393GHA0G

Дел Акција: 163

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1.5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 1.5A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

1N4936GHA0G

Дел Акција: 156

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 200ns,

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

1N5392G B0G

Дел Акција: 110

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1.5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 1.5A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

1N5392GHB0G

Дел Акција: 127

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1.5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 1.5A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

1N5820 A0G

Дел Акција: 103

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 20V, Тековна - Просечна исправена (Io): 3A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 475mV @ 3A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

1N5391G B0G

Дел Акција: 107

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 50V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1.5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 1.5A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

1N5395GHB0G

Дел Акција: 184

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1.5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 1.5A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

1N4936G A0G

Дел Акција: 169

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 200ns,

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

1SS400 RSG

Дел Акција: 193

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Тековна - Просечна исправена (Io): 200mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 100mA, Брзина: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Време на обратно закрепнување (trr): 4ns,

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

1N5395GHA0G

Дел Акција: 142

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1.5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 1.5A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

1N5395G B0G

Дел Акција: 163

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1.5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 1.5A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

1N5407GHR0G

Дел Акција: 179

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 800V, Тековна - Просечна исправена (Io): 3A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 3A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

1N5408GHR0G

Дел Акција: 183

Тип на диода: Standard, Тековна - Просечна исправена (Io): 3A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 3A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

1N5402GHR0G

Дел Акција: 186

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 3A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 3A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

1N5393GHR0G

Дел Акција: 200

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1.5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 1.5A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

1N5406GHR0G

Дел Акција: 130

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 3A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 3A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

1N5391G R0G

Дел Акција: 162

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 50V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1.5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 1.5A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

1N5391GHR0G

Дел Акција: 128

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 50V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1.5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 1.5A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

1N5392G R0G

Дел Акција: 120

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1.5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 1.5A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

1N5397GHR0G

Дел Акција: 186

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1.5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 1.5A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

1N5399G R0G

Дел Акција: 122

Тип на диода: Standard, Тековна - Просечна исправена (Io): 1.5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 1.5A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

1N5400GHR0G

Дел Акција: 184

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 50V, Тековна - Просечна исправена (Io): 3A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 3A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

1N5393G R0G

Дел Акција: 140

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1.5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 1.5A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

1N5398GHR0G

Дел Акција: 192

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 800V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1.5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 1.5A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

1N5392GHR0G

Дел Акција: 134

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1.5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 1.5A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.