Menu
МакедонскиМакедонски
Rfqs / цел
0Rfqs / цел

Diodes - Rectifiers - Single

  • Дома
  •  
  • Diodes - Rectifiers - Single
1N4003GHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4003GHR0G

Дел Акција: 159

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 1A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
1N4937GHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4937GHR0G

Дел Акција: 112

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 200ns,

Листа на желби.
1N5817 R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N5817 R0G

Дел Акција: 119

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 20V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 450mV @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
1N4935G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4935G R0G

Дел Акција: 163

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 200ns,

Листа на желби.
1N5821HR0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N5821HR0G

Дел Акција: 151

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 30V, Тековна - Просечна исправена (Io): 3A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 500mV @ 3A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
1N5820HR0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N5820HR0G

Дел Акција: 128

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 20V, Тековна - Просечна исправена (Io): 3A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 475mV @ 3A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
1N4934GHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4934GHR0G

Дел Акција: 146

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 200ns,

Листа на желби.
1N4002GHR1G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4002GHR1G

Дел Акција: 85

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 1A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
1N4004GHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4004GHB0G

Дел Акција: 156

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 1A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
1N5408GHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N5408GHB0G

Дел Акција: 122

Тип на диода: Standard, Тековна - Просечна исправена (Io): 3A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 3A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
1N4005GHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4005GHB0G

Дел Акција: 143

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 1A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
1N4935G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4935G A0G

Дел Акција: 111

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 200ns,

Листа на желби.
1N5818 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N5818 A0G

Дел Акција: 103

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 30V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 550mV @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
1N4003GHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4003GHB0G

Дел Акција: 174

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 1A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
1N4934GHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4934GHB0G

Дел Акција: 91

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 200ns,

Листа на желби.
1N5817HB0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N5817HB0G

Дел Акција: 144

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 20V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 450mV @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
1N5400G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N5400G A0G

Дел Акција: 119

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 50V, Тековна - Просечна исправена (Io): 3A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 3A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
1N4937GHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4937GHB0G

Дел Акција: 108

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 200ns,

Листа на желби.
1N5399GHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N5399GHA0G

Дел Акција: 150

Тип на диода: Standard, Тековна - Просечна исправена (Io): 1.5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 1.5A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
1N4004G R1G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4004G R1G

Дел Акција: 116

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 1A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
1N4935G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4935G B0G

Дел Акција: 149

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 200ns,

Листа на желби.
1N4936GHR1G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4936GHR1G

Дел Акција: 94

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 200ns,

Листа на желби.
1N4005GHR1G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4005GHR1G

Дел Акција: 140

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 1A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
1N5818HR1G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N5818HR1G

Дел Акција: 112

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 30V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 550mV @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
1N4933GHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4933GHB0G

Дел Акција: 174

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 50V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 200ns,

Листа на желби.
1N5822 B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N5822 B0G

Дел Акција: 88

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 40V, Тековна - Просечна исправена (Io): 3A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 525mV @ 3A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
1T6G A1G
Taiwan Semiconductor Corporation

1T6G A1G

Дел Акција: 77

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 800V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 1A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
1N5821HB0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N5821HB0G

Дел Акција: 90

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 30V, Тековна - Просечна исправена (Io): 3A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 500mV @ 3A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
1N4006GHR1G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4006GHR1G

Дел Акција: 134

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 800V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 1A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
1T3G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1T3G A0G

Дел Акција: 175

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 1A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
1N4935G R1G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4935G R1G

Дел Акција: 94

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 200ns,

Листа на желби.
1N4935GHR1G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4935GHR1G

Дел Акција: 149

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 200ns,

Листа на желби.
1N4002GHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4002GHB0G

Дел Акција: 128

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 1A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
1N4006GHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4006GHA0G

Дел Акција: 150

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 800V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 1A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
1N5402GHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N5402GHA0G

Дел Акција: 123

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 3A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 3A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
1N5817HR1G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N5817HR1G

Дел Акција: 141

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 20V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 450mV @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.