Menu
МакедонскиМакедонски
Rfqs / цел
0Rfqs / цел

Diodes - Rectifiers - Single

  • Дома
  •  
  • Diodes - Rectifiers - Single
SF68GHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SF68GHR0G

Дел Акција: 116

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 6A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.7V @ 6A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 35ns,

Листа на желби.
TSS43U RGG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSS43U RGG

Дел Акција: 172

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 30V, Тековна - Просечна исправена (Io): 200mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 450mV @ 15mA, Брзина: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Време на обратно закрепнување (trr): 5ns,

Листа на желби.
TSS54U RGG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSS54U RGG

Дел Акција: 145

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 30V, Тековна - Просечна исправена (Io): 200mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 100mA, Брзина: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Време на обратно закрепнување (trr): 5ns,

Листа на желби.
S15JC M6G
Taiwan Semiconductor Corporation

S15JC M6G

Дел Акција: 165

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 15A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 15A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
TSN520M60 S4G
Taiwan Semiconductor Corporation

TSN520M60 S4G

Дел Акција: 204

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 60V, Тековна - Просечна исправена (Io): 20A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 580mV @ 20A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
TSP15H200S S1G
Taiwan Semiconductor Corporation

TSP15H200S S1G

Дел Акција: 159

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 15A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 890mV @ 15A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
ES1LGHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation

ES1LGHM2G

Дел Акција: 181

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 35ns,

Листа на желби.
TSN525M60 S4G
Taiwan Semiconductor Corporation

TSN525M60 S4G

Дел Акција: 146

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 60V, Тековна - Просечна исправена (Io): 25A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 630mV @ 25A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
TSS0230U RGG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSS0230U RGG

Дел Акција: 162

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 35V, Тековна - Просечна исправена (Io): 200mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 600mV @ 200mA, Брзина: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Листа на желби.
S15KC M6G
Taiwan Semiconductor Corporation

S15KC M6G

Дел Акција: 221

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 800V, Тековна - Просечна исправена (Io): 15A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 15A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
S15GC M6G
Taiwan Semiconductor Corporation

S15GC M6G

Дел Акција: 158

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Тековна - Просечна исправена (Io): 15A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 15A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
TSS40U RGG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSS40U RGG

Дел Акција: 193

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 40V, Тековна - Просечна исправена (Io): 200mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 40mA, Брзина: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Време на обратно закрепнување (trr): 5ns,

Листа на желби.
S15MC M6G
Taiwan Semiconductor Corporation

S15MC M6G

Дел Акција: 137

Тип на диода: Standard, Тековна - Просечна исправена (Io): 15A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 15A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
TSSW3U45 RVG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSSW3U45 RVG

Дел Акција: 218

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 45V, Тековна - Просечна исправена (Io): 3A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 470mV @ 3A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
TSSA3U60 M2G
Taiwan Semiconductor Corporation

TSSA3U60 M2G

Дел Акција: 146

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 60V, Тековна - Просечна исправена (Io): 3A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 540mV @ 3A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 25ns,

Листа на желби.
ES3JB M4G
Taiwan Semiconductor Corporation

ES3JB M4G

Дел Акција: 154

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 3A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.45V @ 3A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 35ns,

Листа на желби.
TSSE3U60 RVG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSSE3U60 RVG

Дел Акција: 168

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 60V, Тековна - Просечна исправена (Io): 3A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 580mV @ 3A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
TSSW3U45HRVG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSSW3U45HRVG

Дел Акција: 140

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 45V, Тековна - Просечна исправена (Io): 3A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 470mV @ 3A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
MUR315S V7G
Taiwan Semiconductor Corporation

MUR315S V7G

Дел Акција: 116

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 150V, Тековна - Просечна исправена (Io): 3A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 25ns,

Листа на желби.
TSS83L45 MXG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSS83L45 MXG

Дел Акција: 201

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 45V, Тековна - Просечна исправена (Io): 3A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 560mV @ 3A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
ES1LG M2G
Taiwan Semiconductor Corporation

ES1LG M2G

Дел Акција: 170

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 35ns,

Листа на желби.
TSN520M60 S3G
Taiwan Semiconductor Corporation

TSN520M60 S3G

Дел Акција: 161

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 60V, Тековна - Просечна исправена (Io): 20A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 580mV @ 20A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
ES1LJ M2G
Taiwan Semiconductor Corporation

ES1LJ M2G

Дел Акција: 174

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.7V @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 35ns,

Листа на желби.
TSS0340U RGG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSS0340U RGG

Дел Акција: 173

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 45V, Тековна - Просечна исправена (Io): 30mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 370mV @ 1mA, Брзина: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Листа на желби.
TSS0230LU RGG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSS0230LU RGG

Дел Акција: 167

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 35V, Тековна - Просечна исправена (Io): 200mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 500mV @ 200mA, Брзина: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Листа на желби.
UGF5JHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

UGF5JHC0G

Дел Акција: 127

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 3V @ 5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 25ns,

Листа на желби.
UGF8JDHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

UGF8JDHC0G

Дел Акција: 196

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 8A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 2.3V @ 8A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 30ns,

Листа на желби.
TSP15U120S S1G
Taiwan Semiconductor Corporation

TSP15U120S S1G

Дел Акција: 122

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 120V, Тековна - Просечна исправена (Io): 15A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 750mV @ 15A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
ES1LG R3G
Taiwan Semiconductor Corporation

ES1LG R3G

Дел Акција: 185

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 35ns,

Листа на желби.
TSSA3U45 M2G
Taiwan Semiconductor Corporation

TSSA3U45 M2G

Дел Акција: 164

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 45V, Тековна - Просечна исправена (Io): 3A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 480mV @ 3A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
ES1LJ R3G
Taiwan Semiconductor Corporation

ES1LJ R3G

Дел Акција: 195

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.7V @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 35ns,

Листа на желби.
ES1LJHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation

ES1LJHM2G

Дел Акција: 136

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.7V @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 35ns,

Листа на желби.
UGF12J C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

UGF12J C0G

Дел Акција: 166

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 12A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 2V @ 12A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 20ns,

Листа на желби.
RSFALHMTG
Taiwan Semiconductor Corporation

RSFALHMTG

Дел Акција: 184

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 50V, Тековна - Просечна исправена (Io): 500mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 500mA, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 150ns,

Листа на желби.
SS210L MQG
Taiwan Semiconductor Corporation

SS210L MQG

Дел Акција: 209

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Тековна - Просечна исправена (Io): 2A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 850mV @ 2A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
SS22LHMHG
Taiwan Semiconductor Corporation

SS22LHMHG

Дел Акција: 154

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 20V, Тековна - Просечна исправена (Io): 2A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 500mV @ 2A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.