Menu
МакедонскиМакедонски
Rfqs / цел
0Rfqs / цел

Diodes - Rectifiers - Single

  • Дома
  •  
  • Diodes - Rectifiers - Single
UG56GHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation

UG56GHR0G

Дел Акција: 194

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Тековна - Просечна исправена (Io): 5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.55V @ 5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 20ns,

Листа на желби.
S1AHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation

S1AHR3G

Дел Акција: 167

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 50V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 1A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 1.5µs,

Листа на желби.
SF38GHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SF38GHR0G

Дел Акција: 204

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 3A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.7V @ 3A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 35ns,

Листа на желби.
FR301G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

FR301G R0G

Дел Акција: 200

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 50V, Тековна - Просечна исправена (Io): 3A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 3A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 150ns,

Листа на желби.
RS1M R3G
Taiwan Semiconductor Corporation

RS1M R3G

Дел Акција: 199

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1000V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 500ns,

Листа на желби.
ES2F R5G
Taiwan Semiconductor Corporation

ES2F R5G

Дел Акција: 136

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 300V, Тековна - Просечна исправена (Io): 2A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 2A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 35ns,

Листа на желби.
ES1J M2G
Taiwan Semiconductor Corporation

ES1J M2G

Дел Акција: 144

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.7V @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 35ns,

Листа на желби.
FR204G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

FR204G R0G

Дел Акција: 110

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Тековна - Просечна исправена (Io): 2A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 2A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 150ns,

Листа на желби.
UG58G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

UG58G R0G

Дел Акција: 148

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 2.1V @ 5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 20ns,

Листа на желби.
MUR460HR0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MUR460HR0G

Дел Акција: 124

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 4A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.28V @ 4A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 50ns,

Листа на желби.
SF28G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SF28G R0G

Дел Акција: 125

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 2A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.7V @ 2A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 35ns,

Листа на желби.
SR104HA0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR104HA0G

Дел Акција: 130

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 40V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 550mV @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
RS1MHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation

RS1MHR3G

Дел Акција: 150

Тип на диода: Standard, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 500ns,

Листа на желби.
SK510BHM4G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK510BHM4G

Дел Акција: 191

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Тековна - Просечна исправена (Io): 5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 850mV @ 5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
FR151GHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation

FR151GHR0G

Дел Акција: 177

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 50V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1.5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 1.5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 150ns,

Листа на желби.
SF67GHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SF67GHR0G

Дел Акција: 180

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 500V, Тековна - Просечна исправена (Io): 6A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.7V @ 6A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 35ns,

Листа на желби.
FR303G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

FR303G R0G

Дел Акција: 129

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 3A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 3A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 150ns,

Листа на желби.
SF33G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SF33G R0G

Дел Акција: 154

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 150V, Тековна - Просечна исправена (Io): 3A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 950mV @ 3A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 35ns,

Листа на желби.
SF48GHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SF48GHR0G

Дел Акција: 208

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 4A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.7V @ 4A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 35ns,

Листа на желби.
SR210 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR210 A0G

Дел Акција: 171

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Тековна - Просечна исправена (Io): 2A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 850mV @ 2A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
UG2DHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation

UG2DHR0G

Дел Акција: 172

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 2A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 950mV @ 2A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 25ns,

Листа на желби.
HER306G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

HER306G R0G

Дел Акција: 134

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 3A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.7V @ 3A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 75ns,

Листа на желби.
MUR460 R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MUR460 R0G

Дел Акција: 196

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 4A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.28V @ 4A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 50ns,

Листа на желби.
HS3JB R5G
Taiwan Semiconductor Corporation

HS3JB R5G

Дел Акција: 182

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 3A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.7V @ 3A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 75ns,

Листа на желби.
S2K R5G
Taiwan Semiconductor Corporation

S2K R5G

Дел Акција: 175

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 800V, Тековна - Просечна исправена (Io): 2A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.15V @ 2A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 1.5µs,

Листа на желби.
SF63GHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SF63GHR0G

Дел Акција: 145

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 150V, Тековна - Просечна исправена (Io): 6A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 975mV @ 6A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 35ns,

Листа на желби.
MUR110S M4G
Taiwan Semiconductor Corporation

MUR110S M4G

Дел Акција: 148

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 875mV @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 25ns,

Листа на желби.
RS1M M2G
Taiwan Semiconductor Corporation

RS1M M2G

Дел Акција: 176

Тип на диода: Standard, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 500ns,

Листа на желби.
ES1D M2G
Taiwan Semiconductor Corporation

ES1D M2G

Дел Акција: 191

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 950mV @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 35ns,

Листа на желби.
SF36G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SF36G R0G

Дел Акција: 197

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Тековна - Просечна исправена (Io): 3A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 3A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 35ns,

Листа на желби.
SK22A R3G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK22A R3G

Дел Акција: 182

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 20V, Тековна - Просечна исправена (Io): 2A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 500mV @ 2A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
SF22G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SF22G R0G

Дел Акција: 151

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Тековна - Просечна исправена (Io): 2A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 950mV @ 2A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 35ns,

Листа на желби.
FR203G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

FR203G R0G

Дел Акција: 174

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 2A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 2A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 150ns,

Листа на желби.
HER202G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

HER202G R0G

Дел Акција: 164

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Тековна - Просечна исправена (Io): 2A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 2A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 50ns,

Листа на желби.
FR155GHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation

FR155GHR0G

Дел Акција: 200

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1.5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 1.5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 250ns,

Листа на желби.
S1M M2G
Taiwan Semiconductor Corporation

S1M M2G

Дел Акција: 163

Тип на диода: Standard, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 1A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 1.5µs,

Листа на желби.