Menu
МакедонскиМакедонски
Rfqs / цел
0Rfqs / цел

Diodes - Rectifiers - Single

  • Дома
  •  
  • Diodes - Rectifiers - Single
SF1607PTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SF1607PTHC0G

Дел Акција: 147

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 500V, Тековна - Просечна исправена (Io): 16A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.7V @ 8A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 35ns,

Листа на желби.
ES2AA R3G
Taiwan Semiconductor Corporation

ES2AA R3G

Дел Акција: 152

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 50V, Тековна - Просечна исправена (Io): 2A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 950mV @ 2A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 35ns,

Листа на желби.
SF61GHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SF61GHR0G

Дел Акција: 167

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 50V, Тековна - Просечна исправена (Io): 6A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 975mV @ 6A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 35ns,

Листа на желби.
SF1605PTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SF1605PTHC0G

Дел Акција: 146

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 300V, Тековна - Просечна исправена (Io): 16A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 8A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 35ns,

Листа на желби.
MUR4L20 R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MUR4L20 R0G

Дел Акција: 130

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 4A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 890mV @ 4A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 25ns,

Листа на желби.
MUR105S R5G
Taiwan Semiconductor Corporation

MUR105S R5G

Дел Акција: 168

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 50V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 875mV @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 25ns,

Листа на желби.
MUR420 R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MUR420 R0G

Дел Акција: 192

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 4A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 890mV @ 4A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 25ns,

Листа на желби.
SF66G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SF66G R0G

Дел Акција: 141

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Тековна - Просечна исправена (Io): 6A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 6A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 35ns,

Листа на желби.
SF3004PTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SF3004PTHC0G

Дел Акција: 134

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 30A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 950mV @ 15A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 35ns,

Листа на желби.
HER205G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

HER205G R0G

Дел Акција: 151

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Тековна - Просечна исправена (Io): 2A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 2A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 50ns,

Листа на желби.
HER308G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

HER308G R0G

Дел Акција: 122

Тип на диода: Standard, Тековна - Просечна исправена (Io): 3A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.7V @ 3A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 75ns,

Листа на желби.
RS2J R5G
Taiwan Semiconductor Corporation

RS2J R5G

Дел Акција: 114

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 2A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 2A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 250ns,

Листа на желби.
MUR4L60 R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MUR4L60 R0G

Дел Акција: 117

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 4A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.28V @ 4A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 50ns,

Листа на желби.
RS1G M2G
Taiwan Semiconductor Corporation

RS1G M2G

Дел Акција: 179

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 150ns,

Листа на желби.
SK515BHR5G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK515BHR5G

Дел Акција: 148

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 150V, Тековна - Просечна исправена (Io): 5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 950mV @ 5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
UG58GHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation

UG58GHR0G

Дел Акција: 168

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 2.1V @ 5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 20ns,

Листа на желби.
ES3FB M4G
Taiwan Semiconductor Corporation

ES3FB M4G

Дел Акција: 158

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 300V, Тековна - Просечна исправена (Io): 3A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.13V @ 3A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 35ns,

Листа на желби.
SK315BHR5G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK315BHR5G

Дел Акција: 166

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 150V, Тековна - Просечна исправена (Io): 3A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 950mV @ 3A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
SS16HR3G
Taiwan Semiconductor Corporation

SS16HR3G

Дел Акција: 188

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 60V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 750mV @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
SR220 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR220 A0G

Дел Акција: 148

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 2A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 950mV @ 2A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
FR152G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

FR152G R0G

Дел Акција: 156

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1.5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 1.5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 150ns,

Листа на желби.
SK14B M4G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK14B M4G

Дел Акција: 183

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 40V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 500mV @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
ES1G M2G
Taiwan Semiconductor Corporation

ES1G M2G

Дел Акција: 117

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 35ns,

Листа на желби.
ES2DVHR5G
Taiwan Semiconductor Corporation

ES2DVHR5G

Дел Акција: 144

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 2A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 900mV @ 2A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 20ns,

Листа на желби.
SSL12 R3G
Taiwan Semiconductor Corporation

SSL12 R3G

Дел Акција: 115

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 20V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 390mV @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
FR307G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

FR307G A0G

Дел Акција: 126

Тип на диода: Standard, Тековна - Просечна исправена (Io): 3A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 3A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 500ns,

Листа на желби.
SF34GHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SF34GHR0G

Дел Акција: 205

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 3A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 950mV @ 3A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 35ns,

Листа на желби.
SR504HA0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR504HA0G

Дел Акција: 194

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 40V, Тековна - Просечна исправена (Io): 5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 550mV @ 5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
ES2A R5G
Taiwan Semiconductor Corporation

ES2A R5G

Дел Акција: 174

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 50V, Тековна - Просечна исправена (Io): 2A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 950mV @ 2A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 35ns,

Листа на желби.
MUR190HR0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MUR190HR0G

Дел Акција: 144

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 900V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.7V @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 75ns,

Листа на желби.
SSL14 R3G
Taiwan Semiconductor Corporation

SSL14 R3G

Дел Акција: 147

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 40V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 390mV @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
TSF20H150C-S C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

TSF20H150C-S C0G

Дел Акција: 164

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 150V, Тековна - Просечна исправена (Io): 10A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 920mV @ 10A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
SF2003PT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SF2003PT C0G

Дел Акција: 130

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 150V, Тековна - Просечна исправена (Io): 20A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 20A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 35ns,

Листа на желби.
ES2DHR5G
Taiwan Semiconductor Corporation

ES2DHR5G

Дел Акција: 174

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 2A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 950mV @ 2A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 35ns,

Листа на желби.
TSPB10U45S S2G
Taiwan Semiconductor Corporation

TSPB10U45S S2G

Дел Акција: 150

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 45V, Тековна - Просечна исправена (Io): 10A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 460mV @ 10A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
SK52BHR5G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK52BHR5G

Дел Акција: 105

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 20V, Тековна - Просечна исправена (Io): 5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 550mV @ 5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.