Diodes - Rectifiers - Single | Discrete Semiconductor Products | 100

SF46GHR0G

Дел Акција: 146

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Тековна - Просечна исправена (Io): 4A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 4A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 35ns,

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

SK52B R5G

Дел Акција: 114

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 20V, Тековна - Просечна исправена (Io): 5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 550mV @ 5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

UG54GHR0G

Дел Акција: 164

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.05V @ 5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 20ns,

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

S1B M2G

Дел Акција: 181

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 1A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 1.5µs,

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

HER304G R0G

Дел Акција: 112

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 300V, Тековна - Просечна исправена (Io): 3A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 3A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 50ns,

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

FR157GHR0G

Дел Акција: 115

Тип на диода: Standard, Тековна - Просечна исправена (Io): 1.5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 1.5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 500ns,

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

ESH1C M2G

Дел Акција: 167

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 150V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 950mV @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 15ns,

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

FR304G R0G

Дел Акција: 201

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Тековна - Просечна исправена (Io): 3A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 3A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 150ns,

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

SF46G R0G

Дел Акција: 118

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Тековна - Просечна исправена (Io): 4A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 4A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 35ns,

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

S1MHR3G

Дел Акција: 145

Тип на диода: Standard, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 1A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 1.5µs,

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

SR320 A0G

Дел Акција: 169

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 3A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 950mV @ 3A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

FR204G A0G

Дел Акција: 144

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Тековна - Просечна исправена (Io): 2A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 2A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 150ns,

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

SR1504 A0G

Дел Акција: 188

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 40V, Тековна - Просечна исправена (Io): 15A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 550mV @ 15A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

SS14HR3G

Дел Акција: 200

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 40V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 500mV @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

S1BHR3G

Дел Акција: 170

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 1A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 1.5µs,

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

ES2GHR5G

Дел Акција: 127

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Тековна - Просечна исправена (Io): 2A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 2A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 35ns,

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

LL5818 L0G

Дел Акција: 109

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 30V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 875mV @ 3A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

SF35GHR0G

Дел Акција: 191

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 300V, Тековна - Просечна исправена (Io): 3A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 3A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 35ns,

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

S2G M4G

Дел Акција: 190

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Тековна - Просечна исправена (Io): 2A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.15V @ 2A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 1.5µs,

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

UGS5J MNG

Дел Акција: 152

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 2V @ 5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 20ns,

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

SF37GHR0G

Дел Акција: 201

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 500V, Тековна - Просечна исправена (Io): 3A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.7V @ 3A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 35ns,

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

SF68G R0G

Дел Акција: 152

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 6A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.7V @ 6A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 35ns,

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

ES3DBHR5G

Дел Акција: 171

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 3A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 3A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 35ns,

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

SF33GHR0G

Дел Акција: 128

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 150V, Тековна - Просечна исправена (Io): 3A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 950mV @ 3A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 35ns,

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

SF2L6G R0G

Дел Акција: 188

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Тековна - Просечна исправена (Io): 2A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 2A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 35ns,

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

SS15HM2G

Дел Акција: 201

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 50V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 750mV @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

SR315HA0G

Дел Акција: 153

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 150V, Тековна - Просечна исправена (Io): 3A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 850mV @ 3A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

SF45GHR0G

Дел Акција: 148

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 300V, Тековна - Просечна исправена (Io): 4A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 4A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 35ns,

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

S1MB R5G

Дел Акција: 134

Тип на диода: Standard, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 1A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

SF1607PT C0G

Дел Акција: 171

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 500V, Тековна - Просечна исправена (Io): 16A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.7V @ 8A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 35ns,

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

FR201G R0G

Дел Акција: 181

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 50V, Тековна - Просечна исправена (Io): 2A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 2A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 150ns,

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

US1GHM2G

Дел Акција: 153

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 50ns,

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

FR206G R0G

Дел Акција: 168

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 800V, Тековна - Просечна исправена (Io): 2A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 2A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 500ns,

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

SF47G R0G

Дел Акција: 148

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 500V, Тековна - Просечна исправена (Io): 4A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.7V @ 4A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 35ns,

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

SF32GHR0G

Дел Акција: 184

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Тековна - Просечна исправена (Io): 3A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 950mV @ 3A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 35ns,

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

MUR160 R0G

Дел Акција: 204

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.25V @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 50ns,

Листа на желби.