Menu
МакедонскиМакедонски
Rfqs / цел
0Rfqs / цел

Diodes - Rectifiers - Single

  • Дома
  •  
  • Diodes - Rectifiers - Single
SS115L M2G
Taiwan Semiconductor Corporation

SS115L M2G

Дел Акција: 188

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 150V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 900mV @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
RS1ML RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

RS1ML RHG

Дел Акција: 168

Тип на диода: Standard, Тековна - Просечна исправена (Io): 800mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 800mA, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 500ns,

Листа на желби.
SS24LHRUG
Taiwan Semiconductor Corporation

SS24LHRUG

Дел Акција: 226

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 40V, Тековна - Просечна исправена (Io): 2A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 500mV @ 2A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
SS16L M2G
Taiwan Semiconductor Corporation

SS16L M2G

Дел Акција: 152

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 60V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 700mV @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
SS22LHMTG
Taiwan Semiconductor Corporation

SS22LHMTG

Дел Акција: 178

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 20V, Тековна - Просечна исправена (Io): 2A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 500mV @ 2A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
SS23L RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

SS23L RHG

Дел Акција: 147

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 30V, Тековна - Просечна исправена (Io): 2A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 500mV @ 2A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
RS1DLHRVG
Taiwan Semiconductor Corporation

RS1DLHRVG

Дел Акција: 153

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 800mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 800mA, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 150ns,

Листа на желби.
SS22L MHG
Taiwan Semiconductor Corporation

SS22L MHG

Дел Акција: 181

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 20V, Тековна - Просечна исправена (Io): 2A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 500mV @ 2A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
RS1DL RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

RS1DL RHG

Дел Акција: 165

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 800mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 800mA, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 150ns,

Листа на желби.
S1DL M2G
Taiwan Semiconductor Corporation

S1DL M2G

Дел Акција: 139

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 1A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 1.8µs,

Листа на желби.
RSFAL M2G
Taiwan Semiconductor Corporation

RSFAL M2G

Дел Акција: 143

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 50V, Тековна - Просечна исправена (Io): 500mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 500mA, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 150ns,

Листа на желби.
SS12L M2G
Taiwan Semiconductor Corporation

SS12L M2G

Дел Акција: 186

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 20V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 450mV @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
RS1ALHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation

RS1ALHM2G

Дел Акција: 144

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 50V, Тековна - Просечна исправена (Io): 800mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 800mA, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 150ns,

Листа на желби.
S1DL RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

S1DL RHG

Дел Акција: 182

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 1A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 1.8µs,

Листа на желби.
ES1FL RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

ES1FL RHG

Дел Акција: 217

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 300V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 35ns,

Листа на желби.
RS1AL RFG
Taiwan Semiconductor Corporation

RS1AL RFG

Дел Акција: 185

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 50V, Тековна - Просечна исправена (Io): 800mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 800mA, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 150ns,

Листа на желби.
SS19LHRHG
Taiwan Semiconductor Corporation

SS19LHRHG

Дел Акција: 149

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 90V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 800mV @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
SS12LHMTG
Taiwan Semiconductor Corporation

SS12LHMTG

Дел Акција: 141

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 20V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 450mV @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
SS19LHRFG
Taiwan Semiconductor Corporation

SS19LHRFG

Дел Акција: 195

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 90V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 800mV @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
HS1ML RUG
Taiwan Semiconductor Corporation

HS1ML RUG

Дел Акција: 153

Тип на диода: Standard, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.7V @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 75ns,

Листа на желби.
SS24LHRFG
Taiwan Semiconductor Corporation

SS24LHRFG

Дел Акција: 225

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 40V, Тековна - Просечна исправена (Io): 2A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 500mV @ 2A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
RS1GLHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation

RS1GLHM2G

Дел Акција: 184

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Тековна - Просечна исправена (Io): 800mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 800mA, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 150ns,

Листа на желби.
SS16LHRVG
Taiwan Semiconductor Corporation

SS16LHRVG

Дел Акција: 169

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 60V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 700mV @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
RSFJLHRHG
Taiwan Semiconductor Corporation

RSFJLHRHG

Дел Акција: 198

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 500mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 500mA, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 250ns,

Листа на желби.
ES1HL M2G
Taiwan Semiconductor Corporation

ES1HL M2G

Дел Акција: 142

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 500V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.7V @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 35ns,

Листа на желби.
SS29LHMQG
Taiwan Semiconductor Corporation

SS29LHMQG

Дел Акција: 234

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 90V, Тековна - Просечна исправена (Io): 2A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 850mV @ 2A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
SS23LHRFG
Taiwan Semiconductor Corporation

SS23LHRFG

Дел Акција: 221

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 30V, Тековна - Просечна исправена (Io): 2A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 500mV @ 2A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
SS14L M2G
Taiwan Semiconductor Corporation

SS14L M2G

Дел Акција: 222

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 40V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 550mV @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
SS12LHRUG
Taiwan Semiconductor Corporation

SS12LHRUG

Дел Акција: 160

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 20V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 450mV @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
SS16L MHG
Taiwan Semiconductor Corporation

SS16L MHG

Дел Акција: 153

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 60V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 700mV @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
SS34L RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

SS34L RHG

Дел Акција: 150

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 40V, Тековна - Просечна исправена (Io): 3A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 500mV @ 3A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
ES1DL MQG
Taiwan Semiconductor Corporation

ES1DL MQG

Дел Акција: 210

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 950mV @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 35ns,

Листа на желби.
SS110LHRFG
Taiwan Semiconductor Corporation

SS110LHRFG

Дел Акција: 136

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 800mV @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
SS29LHMTG
Taiwan Semiconductor Corporation

SS29LHMTG

Дел Акција: 165

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 90V, Тековна - Просечна исправена (Io): 2A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 850mV @ 2A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
RSFDL MTG
Taiwan Semiconductor Corporation

RSFDL MTG

Дел Акција: 185

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 500mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 500mA, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 150ns,

Листа на желби.
SS22L RFG
Taiwan Semiconductor Corporation

SS22L RFG

Дел Акција: 200

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 20V, Тековна - Просечна исправена (Io): 2A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 500mV @ 2A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.