Transistors - FETs, MOSFETs - Single | Discrete Semiconductor Products | 100

IRF830ASTRLPBF

Дел Акција: 54863

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 500V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 5A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 3A, 10V,

Листа на желби.

Vishay Siliconix

IRFR310TRLPBF

Дел Акција: 107621

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 400V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 1.7A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6 Ohm @ 1A, 10V,

Листа на желби.

Vishay Siliconix

SI1431DH-T1-E3

Дел Акција: 163213

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 1.7A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 2A, 10V,

Листа на желби.

Vishay Siliconix

IRF820STRRPBF

Дел Акција: 70354

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 500V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 2.5A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 1.5A, 10V,

Листа на желби.

Vishay Siliconix

IRFIBC40GLCPBF

Дел Акција: 29277

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 600V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 3.5A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 2.1A, 10V,

Листа на желби.

Vishay Siliconix

SIHP14N50D-GE3

Дел Акција: 48416

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 500V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 14A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 7A, 10V,

Листа на желби.

Vishay Siliconix

IRFU210PBF

Дел Акција: 53469

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 200V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 2.6A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 1.6A, 10V,

Листа на желби.

Vishay Siliconix

IRFR9024PBF

Дел Акција: 34452

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 60V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 8.8A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280 mOhm @ 5.3A, 10V,

Листа на желби.

Vishay Siliconix

SIHU3N50DA-GE3

Дел Акција: 148

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 500V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 3A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2 Ohm @ 1.5A, 10V,

Листа на желби.

Vishay Siliconix

IRL530STRRPBF

Дел Акција: 65011

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 100V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 15A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4V, 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 9A, 5V,

Листа на желби.

Vishay Siliconix

IRFR9024TRLPBF

Дел Акција: 78786

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 60V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 8.8A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280 mOhm @ 5.3A, 10V,

Листа на желби.

Vishay Siliconix

IRF9Z34STRLPBF

Дел Акција: 83754

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 60V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 18A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140 mOhm @ 11A, 10V,

Листа на желби.

Vishay Siliconix

IRF9Z20

Дел Акција: 59590

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 50V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 9.7A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280 mOhm @ 5.6A, 10V,

Листа на желби.

Vishay Siliconix

SIR466DP-T1-GE3

Дел Акција: 139891

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 40A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 mOhm @ 15A, 10V,

Листа на желби.

Vishay Siliconix

SIHB24N65E-GE3

Дел Акција: 11223

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 650V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 24A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145 mOhm @ 12A, 10V,

Листа на желби.

Vishay Siliconix

IRF9520STRLPBF

Дел Акција: 60238

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 100V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 6.8A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 4.1A, 10V,

Листа на желби.

Vishay Siliconix

IRFBC40ASTRRPBF

Дел Акција: 27843

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 600V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 6.2A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 3.7A, 10V,

Листа на желби.

Vishay Siliconix

IRF730STRRPBF

Дел Акција: 54840

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 400V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 5.5A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 3.3A, 10V,

Листа на желби.

Vishay Siliconix

IRL520LPBF

Дел Акција: 137443

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 100V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 9.2A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4V, 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 5.5A, 5V,

Листа на желби.

Vishay Siliconix

SIHB10N40D-GE3

Дел Акција: 83244

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 400V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 10A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 5A, 10V,

Листа на желби.

Vishay Siliconix

IRF840LPBF

Дел Акција: 43276

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 500V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 8A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850 mOhm @ 4.8A, 10V,

Листа на желби.

Vishay Siliconix

IRF510STRRPBF

Дел Акција: 119785

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 100V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 5.6A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540 mOhm @ 3.4A, 10V,

Листа на желби.

Vishay Siliconix

IRLZ24SPBF

Дел Акција: 73967

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 60V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 17A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4V, 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 10A, 5V,

Листа на желби.

Vishay Siliconix

IRLZ14STRRPBF

Дел Акција: 85538

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 60V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 10A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4V, 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 6A, 5V,

Листа на желби.

Vishay Siliconix

IRF840STRRPBF

Дел Акција: 45850

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 500V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 8A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850 mOhm @ 4.8A, 10V,

Листа на желби.

Vishay Siliconix

IRL620SPBF

Дел Акција: 31186

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 200V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 5.2A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800 mOhm @ 3.1A, 10V,

Листа на желби.

Vishay Siliconix

IRFI9610GPBF

Дел Акција: 68343

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 200V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 2A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 1.2A, 10V,

Листа на желби.

Vishay Siliconix

IRF730BPBF

Дел Акција: 135314

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 400V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 6A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 3A, 10V,

Листа на желби.

Vishay Siliconix

IRFBF20STRRPBF

Дел Акција: 52735

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 900V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 1.7A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 1A, 10V,

Листа на желби.

Vishay Siliconix

IRFI820GPBF

Дел Акција: 23899

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 500V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 2.1A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 1.3A, 10V,

Листа на желби.

Vishay Siliconix

IRF530STRRPBF

Дел Акција: 75457

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 100V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 14A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 8.4A, 10V,

Листа на желби.

Vishay Siliconix

IRFD214

Дел Акција: 51940

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 250V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 450mA (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 270mA, 10V,

Листа на желби.

Vishay Siliconix

SUD50N04-09H-E3

Дел Акција: 64947

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 40V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 50A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 20A, 10V,

Листа на желби.

Vishay Siliconix

IRFIZ44GPBF

Дел Акција: 22862

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 60V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 30A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 18A, 10V,

Листа на желби.

Vishay Siliconix

SIHB22N65E-GE3

Дел Акција: 13775

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 650V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 22A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 11A, 10V,

Листа на желби.

Vishay Siliconix

SIHG20N50E-GE3

Дел Акција: 20271

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 500V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 19A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 184 mOhm @ 10A, 10V,

Листа на желби.