Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Дома
Transistors - FETs, MOSFETs - Single

SIA448DJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIA448DJ-T1-GE3

Дел Акција: 169988

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 20V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 12A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 12.4A, 4.5V,

Листа на желби.

Vishay Siliconix

SI4404DY-T1-E3

Дел Акција: 1527

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 15A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 23A, 10V,

Листа на желби.

SI4434DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI4434DY-T1-GE3

Дел Акција: 68716

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 250V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 2.1A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155 mOhm @ 3A, 10V,

Листа на желби.

Vishay Siliconix

IRFI624GPBF

Дел Акција: 1532

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 250V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 3.4A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1 Ohm @ 2A, 10V,

Листа на желби.

SIE832DF-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIE832DF-T1-GE3

Дел Акција: 43943

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 40V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 50A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 14A, 10V,

Листа на желби.

Vishay Siliconix

IRLZ14S

Дел Акција: 1538

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 60V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 10A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4V, 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 6A, 5V,

Листа на желби.

SI4386DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI4386DY-T1-GE3

Дел Акција: 159083

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 11A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 16A, 10V,

Листа на желби.

Vishay Siliconix

IRFR210PBF

Дел Акција: 69131

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 200V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 2.6A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 1.6A, 10V,

Листа на желби.

SQ4182EY-T1_GE3

Vishay Siliconix

SQ4182EY-T1_GE3

Дел Акција: 10824

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 32A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8 mOhm @ 14A, 10V,

Листа на желби.

Vishay Siliconix

SI4455DY-T1-E3

Дел Акција: 73600

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 150V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 2.8A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295 mOhm @ 4A, 10V,

Листа на желби.

SI4412ADY-T1-E3

Vishay Siliconix

SI4412ADY-T1-E3

Дел Акција: 1496

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 5.8A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 8A, 10V,

Листа на желби.

Vishay Siliconix

SI4426DY-T1-E3

Дел Акција: 108121

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 20V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 6.5A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 8.5A, 4.5V,

Листа на желби.

Vishay Siliconix

SUP75N03-04-E3

Дел Акција: 1524

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 75A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 75A, 10V,

Листа на желби.

SUD35N05-26L-E3

Vishay Siliconix

SUD35N05-26L-E3

Дел Акција: 1474

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 55V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 35A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 20A, 10V,

Листа на желби.

SI4425BDY-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI4425BDY-T1-GE3

Дел Акција: 78344

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 8.8A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 11.4A, 10V,

Листа на желби.

Vishay Siliconix

IRF9530PBF

Дел Акција: 45568

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 100V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 12A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 7.2A, 10V,

Листа на желби.

SI4800BDY-T1-E3

Vishay Siliconix

SI4800BDY-T1-E3

Дел Акција: 126818

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 6.5A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5 mOhm @ 9A, 10V,

Листа на желби.

Vishay Siliconix

SI4464DY-T1-E3

Дел Акција: 159052

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 200V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 1.7A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 2.2A, 10V,

Листа на желби.

SI4100DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI4100DY-T1-GE3

Дел Акција: 125140

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 100V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 6.8A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63 mOhm @ 4.4A, 10V,

Листа на желби.

SUD23N06-31L-E3

Vishay Siliconix

SUD23N06-31L-E3

Дел Акција: 118954

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 60V, Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31 mOhm @ 15A, 10V,

Листа на желби.

SI4010DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI4010DY-T1-GE3

Дел Акција: 167778

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 31.3A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4 mOhm @ 15A, 10V,

Листа на желби.

Vishay Siliconix

IRL520PBF

Дел Акција: 63689

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 100V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 9.2A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4V, 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 5.5A, 5V,

Листа на желби.

SI4831BDY-T1-E3

Vishay Siliconix

SI4831BDY-T1-E3

Дел Акција: 1596

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 6.6A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42 mOhm @ 5A, 10V,

Листа на желби.

SI9433BDY-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI9433BDY-T1-GE3

Дел Акција: 100195

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 20V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 4.5A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 2.7V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 6.2A, 4.5V,

Листа на желби.

SQ4425EY-T1_GE3

Vishay Siliconix

SQ4425EY-T1_GE3

Дел Акција: 10789

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 18A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 13A, 10V,

Листа на желби.

SQ4483EY-T1_GE3

Vishay Siliconix

SQ4483EY-T1_GE3

Дел Акција: 10770

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 30A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5 mOhm @ 10A, 10V,

Листа на желби.

SI4103DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI4103DY-T1-GE3

Дел Акција: 10820

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 14A (Ta), 16A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9 mOhm @ 10A, 10V,

Листа на желби.

SQ4483BEEY-T1_GE3

Vishay Siliconix

SQ4483BEEY-T1_GE3

Дел Акција: 10837

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 22A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5 mOhm @ 10A, 10V,

Листа на желби.

Vishay Siliconix

IRFDC20PBF

Дел Акција: 29452

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 600V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 320mA (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4 Ohm @ 190mA, 10V,

Листа на желби.

SIHH28N60E-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIHH28N60E-T1-GE3

Дел Акција: 10451

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 600V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 29A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98 mOhm @ 14A, 10V,

Листа на желби.

Vishay Siliconix

SI4888DY-T1-E3

Дел Акција: 1502

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 11A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 16A, 10V,

Листа на желби.

SI7790DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI7790DP-T1-GE3

Дел Акција: 49817

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 40V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 50A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 15A, 10V,

Листа на желби.

SI4884BDY-T1-E3

Vishay Siliconix

SI4884BDY-T1-E3

Дел Акција: 128225

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 16.5A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 10A, 10V,

Листа на желби.

Vishay Siliconix

IRFP460NPBF

Дел Акција: 1584

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 500V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 20A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 12A, 10V,

Листа на желби.

SUD50N06-07L-E3

Vishay Siliconix

SUD50N06-07L-E3

Дел Акција: 1499

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 60V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 96A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4 mOhm @ 20A, 10V,

Листа на желби.

SI4143DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI4143DY-T1-GE3

Дел Акција: 81402

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 25.3A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2 mOhm @ 12A, 10V,

Листа на желби.

3600

«
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
»