Diodes - Rectifiers - Arrays | Discrete Semiconductor Products | 97

VS-40CTQ045S-M3

Дел Акција: 71124

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 45V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 20A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 530mV @ 20A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VBT4045C-E3/4W

Дел Акција: 58401

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 45V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 20A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 580mV @ 20A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBRB2090CTLHM3

Дел Акција: 72605

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 90V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 10A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 800mV @ 10A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKD270-04PBF

Дел Акција: 486

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 135A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-6CWQ06FNTR-M3

Дел Акција: 154053

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 60V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 3.5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 760mV @ 6A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRB2090CT-M3/4W

Дел Акција: 83421

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 90V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 10A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 800mV @ 10A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-16CTQ080STRR-M3

Дел Акција: 66243

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 80V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 8A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 720mV @ 8A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-30CTQ035SHM3

Дел Акција: 61726

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 35V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 15A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 620mV @ 15A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VBT3045C-E3/4W

Дел Акција: 80014

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 45V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 15A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 570mV @ 15A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VB40M120C-E3/8W

Дел Акција: 67231

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 120V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 20A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 890mV @ 20A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-72CPQ030-N3

Дел Акција: 24069

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 30V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 35A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 510mV @ 35A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-HFA30PA60CPBF

Дел Акција: 10558

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 15A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.7V @ 15A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRB10100CT-E3/8W

Дел Акција: 101052

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 850mV @ 5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-30CTQ045-1-M3

Дел Акција: 86016

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 45V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 15A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 620mV @ 15A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBRB2545CTL-M3

Дел Акција: 76223

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 45V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 15A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 820mV @ 30A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-6CWQ03FNTRR-M3

Дел Акција: 137143

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 30V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 3.5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 520mV @ 6A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-30CTQ100STRL-M3

Дел Акција: 72018

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 15A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 860mV @ 15A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKJ320-16PBF

Дел Акција: 469

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Anode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1600V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 160A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-15CTQ045STRL-M3

Дел Акција: 91202

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 45V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 7.5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 550mV @ 7.5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VBT1045CBP-E3/4W

Дел Акција: 136985

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 45V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 580mV @ 5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKJ250-08PBF

Дел Акција: 521

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Anode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 800V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 125A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VBT30L60C-E3/8W

Дел Акција: 75625

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 60V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 15A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 600mV @ 15A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-6CWQ10FNTRHM3

Дел Акција: 81432

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 3.5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 960mV @ 6A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-HFA32PA120C-N3

Дел Акција: 8023

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1200V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 16A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 3V @ 16A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MURB1620CT-1-M3

Дел Акција: 153

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 8A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 975mV @ 8A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VBT1045C-M3/8W

Дел Акција: 114313

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 45V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 580mV @ 5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VB20200C-E3/8W

Дел Акција: 73963

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 10A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.6V @ 10A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-30CPQ100-N3

Дел Акција: 12537

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 30A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.05V @ 30A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKD320-04PBF

Дел Акција: 466

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 160A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-16CTQ100-1HM3

Дел Акција: 90762

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 8A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 720mV @ 8A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VB30100C-M3/8W

Дел Акција: 86293

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 15A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 800mV @ 15A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBR4045CT-1-M3

Дел Акција: 86507

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 45V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 20A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 600mV @ 20A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKJ320-08PBF

Дел Акција: 520

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Anode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 800V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 160A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-6CWQ10FNTRL-M3

Дел Акција: 139847

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 3.5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 810mV @ 3A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-12CTQ045S-M3

Дел Акција: 113986

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 45V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 6A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 600mV @ 6A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-10CWH02FNTRR-M3

Дел Акција: 179685

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 10A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.15V @ 10A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.