Thyristors - SCRs - Modules | Discrete Semiconductor Products | 21

VS-VSKT250-18PBF

Дел Акција: 264

Структура: Series Connection - All SCRs, Број на SCR, диоди: 2 SCRs, Напон - исклучена состојба: 1.8kV, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 250A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 555A, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKT500-12PBF

Дел Акција: 202

Структура: Series Connection - All SCRs, Број на SCR, диоди: 2 SCRs, Напон - исклучена состојба: 1.2kV, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 500A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 785A, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKL91/04

Дел Акција: 1875

Структура: Series Connection - SCR/Diode, Број на SCR, диоди: 1 SCR, 1 Diode, Напон - исклучена состојба: 400V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 95A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 210A, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 2.5V,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKT170-12PBF

Дел Акција: 578

Структура: Series Connection - All SCRs, Број на SCR, диоди: 2 SCRs, Напон - исклучена состојба: 1.2kV, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 170A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 377A, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-T50RIA80

Дел Акција: 2527

Структура: Single, Број на SCR, диоди: 1 SCR, Напон - исклучена состојба: 800V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 50A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 80A, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 2.5V,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKN105/04

Дел Акција: 1845

Структура: Common Anode - SCR/Diode, Број на SCR, диоди: 1 SCR, 1 Diode, Напон - исклучена состојба: 400V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 105A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 235A, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 2.5V,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKV41/14

Дел Акција: 1955

Структура: Common Cathode - All SCRs, Број на SCR, диоди: 2 SCRs, Напон - исклучена состојба: 1.4kV, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 45A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 70A, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 2.5V,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKK230-20PBF

Дел Акција: 396

Структура: Common Cathode - All SCRs, Број на SCR, диоди: 2 SCRs, Напон - исклучена состојба: 2kV, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 230A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 510A, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKL56/16

Дел Акција: 1936

Структура: Series Connection - SCR/Diode, Број на SCR, диоди: 1 SCR, 1 Diode, Напон - исклучена состојба: 1.6kV, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 60A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 135A, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 2.5V,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKN56/14

Дел Акција: 1986

Структура: Series Connection - SCR/Diode, Број на SCR, диоди: 1 SCR, 1 Diode, Напон - исклучена состојба: 1.4kV, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 60A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 135A, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 2.5V,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-P123

Дел Акција: 2177

Структура: Bridge, Single Phase - SCRs/Diodes (Layout 3), Број на SCR, диоди: 2 SCRs, 2 Diodes, Напон - исклучена состојба: 800V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 2V,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKU56/14

Дел Акција: 1959

Структура: Common Cathode - All SCRs, Број на SCR, диоди: 2 SCRs, Напон - исклучена состојба: 1.4kV, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 60A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 95A, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 2.5V,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKT250-14PBF

Дел Акција: 408

Структура: Series Connection - SCR/Diode, Број на SCR, диоди: 1 SCR, 1 Diode, Напон - исклучена состојба: 1.4kV, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 250A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 555A, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKT91/12

Дел Акција: 1584

Структура: Series Connection - All SCRs, Број на SCR, диоди: 2 SCRs, Напон - исклучена состојба: 1.2kV, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 95A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 210A, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 2.5V,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKT250-04PBF

Дел Акција: 457

Структура: Series Connection - All SCRs, Број на SCR, диоди: 2 SCRs, Напон - исклучена состојба: 400V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 250A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 555A, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKT56/08

Дел Акција: 1991

Структура: Series Connection - All SCRs, Број на SCR, диоди: 2 SCRs, Напон - исклучена состојба: 800V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 60A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 135A, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 2.5V,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKT230-12PBF

Дел Акција: 159

Структура: Series Connection - All SCRs, Број на SCR, диоди: 2 SCRs, Напон - исклучена состојба: 1.2kV, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 230A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 510A, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-T90RIA80

Дел Акција: 2059

Структура: Single, Број на SCR, диоди: 1 SCR, Напон - исклучена состојба: 800V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 90A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 141A, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 2.5V,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKL300-08PBF

Дел Акција: 555

Структура: Series Connection - SCR/Diode, Број на SCR, диоди: 1 SCR, 1 Diode, Напон - исклучена состојба: 800V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 300A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 116A, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKH142/08PBF

Дел Акција: 1116

Структура: Series Connection - SCR/Diode, Број на SCR, диоди: 1 SCR, 1 Diode, Напон - исклучена состојба: 800V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 140A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 310A, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 2.5V,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-P403KW

Дел Акција: 1698

Структура: Bridge, Single Phase - SCRs/Diodes (Layout 1), Број на SCR, диоди: 2 SCRs, 2 Diodes, Напон - исклучена состојба: 800V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 2V,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKH26/14

Дел Акција: 2115

Структура: Series Connection - SCR/Diode, Број на SCR, диоди: 1 SCR, 1 Diode, Напон - исклучена состојба: 1.4kV, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 27A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 60A, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 2.5V,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKV91/04

Дел Акција: 1866

Структура: Common Anode - All SCRs, Број на SCR, диоди: 2 SCRs, Напон - исклучена состојба: 400V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 95A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 150A, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 2.5V,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKN56/12

Дел Акција: 2025

Структура: Series Connection - SCR/Diode, Број на SCR, диоди: 1 SCR, 1 Diode, Напон - исклучена состојба: 1.2kV, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 60A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 135A, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 2.5V,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKT56/16

Дел Акција: 1908

Структура: Series Connection - All SCRs, Број на SCR, диоди: 2 SCRs, Напон - исклучена состојба: 1.6kV, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 60A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 135A, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 2.5V,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-P405KW

Дел Акција: 1611

Структура: Bridge, Single Phase - SCRs/Diodes (Layout 1), Број на SCR, диоди: 2 SCRs, 2 Diodes, Напон - исклучена состојба: 1.2kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 2V,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-T70RIA20

Дел Акција: 2484

Структура: Single, Број на SCR, диоди: 1 SCR, Напон - исклучена состојба: 200V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 70A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 110A, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 2.5V,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKT230-16PBF

Дел Акција: 435

Структура: Series Connection - All SCRs, Број на SCR, диоди: 2 SCRs, Напон - исклучена состојба: 1.6kV, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 230A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 510A, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKT230-14PBF

Дел Акција: 477

Структура: Series Connection - All SCRs, Број на SCR, диоди: 2 SCRs, Напон - исклучена состојба: 1.4kV, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 230A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 510A, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-P404W

Дел Акција: 1859

Структура: Bridge, Single Phase - SCRs/Diodes (Layout 1), Број на SCR, диоди: 2 SCRs, 2 Diodes, Напон - исклучена состојба: 1kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 2V,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-P423

Дел Акција: 2011

Структура: Bridge, Single Phase - SCRs/Diodes (Layout 3), Број на SCR, диоди: 2 SCRs, 2 Diodes, Напон - исклучена состојба: 800V, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 40A, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 2V,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKT430-20PBF

Дел Акција: 208

Структура: Series Connection - All SCRs, Број на SCR, диоди: 2 SCRs, Напон - исклучена состојба: 2kV, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 430A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 675A,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-T90RIA60

Дел Акција: 2199

Структура: Single, Број на SCR, диоди: 1 SCR, Напон - исклучена состојба: 600V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 90A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 141A, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 2.5V,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKH500-12PBF

Дел Акција: 229

Структура: Series Connection - SCR/Diode, Број на SCR, диоди: 1 SCR, 1 Diode, Напон - исклучена состојба: 1.2kV, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 500A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 785A, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKL26/12

Дел Акција: 2169

Структура: Series Connection - SCR/Diode, Број на SCR, диоди: 1 SCR, 1 Diode, Напон - исклучена состојба: 1.2kV, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 27A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 60A, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 2.5V,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKH26/06

Дел Акција: 2248

Структура: Series Connection - SCR/Diode, Број на SCR, диоди: 1 SCR, 1 Diode, Напон - исклучена состојба: 600V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 27A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 60A, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 2.5V,

Листа на желби.