Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays

SI4804CDY-T1-GE3

SI4804CDY-T1-GE3

Дел Акција: 85201

Тип на FET: 2 N-Channel (Dual), ФЕТ Функција: Standard, Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 8A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA,

Листа на желби.
SI5515DC-T1-GE3

SI5515DC-T1-GE3

Дел Акција: 153475

Тип на FET: N and P-Channel, ФЕТ Функција: Logic Level Gate, Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 20V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 4.4A, 3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 4.4A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Листа на желби.
SQ1902AEL-T1_GE3

SQ1902AEL-T1_GE3

Дел Акција: 9906

Тип на FET: 2 N-Channel (Dual), ФЕТ Функција: Standard, Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 20V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 780mA (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 415 mOhm @ 660mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

Листа на желби.
SI4204DY-T1-GE3

SI4204DY-T1-GE3

Дел Акција: 80891

Тип на FET: 2 N-Channel (Dual), ФЕТ Функција: Standard, Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 20V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 19.8A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA,

Листа на желби.
SI1034X-T1-GE3

SI1034X-T1-GE3

Дел Акција: 127515

Тип на FET: 2 N-Channel (Dual), ФЕТ Функција: Logic Level Gate, Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 20V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 180mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 200mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA,

Листа на желби.
SI3981DV-T1-E3

SI3981DV-T1-E3

Дел Акција: 3003

Тип на FET: 2 P-Channel (Dual), ФЕТ Функција: Logic Level Gate, Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 20V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 1.6A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185 mOhm @ 1.9A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA,

Листа на желби.
SQJ910AEP-T1_GE3

SQJ910AEP-T1_GE3

Дел Акција: 9943

Тип на FET: 2 N-Channel (Dual), ФЕТ Функција: Standard, Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 12A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

Листа на желби.
SI7501DN-T1-E3

SI7501DN-T1-E3

Дел Акција: 3365

Тип на FET: N and P-Channel, Common Drain, ФЕТ Функција: Logic Level Gate, Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 5.4A, 4.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 7.7A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Листа на желби.
SIZ980DT-T1-GE3

SIZ980DT-T1-GE3

Дел Акција: 16202

Тип на FET: 2 N-Channel (Dual), Schottky, ФЕТ Функција: Standard, Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 20A (Tc), 60A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7 mOhm @ 15A, 10V, 1.6 mOhm @ 19A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA,

Листа на желби.
SI4909DY-T1-GE3

SI4909DY-T1-GE3

Дел Акција: 158525

Тип на FET: 2 P-Channel (Dual), ФЕТ Функција: Logic Level Gate, Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 40V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 8A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

Листа на желби.
SI4925BDY-T1-GE3

SI4925BDY-T1-GE3

Дел Акција: 89747

Тип на FET: 2 P-Channel (Dual), ФЕТ Функција: Logic Level Gate, Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 5.3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 7.1A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Листа на желби.
SI8902EDB-T2-E1

SI8902EDB-T2-E1

Дел Акција: 86559

Тип на FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, ФЕТ Функција: Logic Level Gate, Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 20V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 3.9A, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 980µA,

Листа на желби.
SI3590DV-T1-GE3

SI3590DV-T1-GE3

Дел Акција: 199636

Тип на FET: N and P-Channel, ФЕТ Функција: Logic Level Gate, Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 2.5A, 1.7A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77 mOhm @ 3A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

Листа на желби.
SI7998DP-T1-GE3

SI7998DP-T1-GE3

Дел Акција: 103462

Тип на FET: 2 N-Channel (Dual), ФЕТ Функција: Logic Level Gate, Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 25A, 30A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

Листа на желби.
SIA915DJ-T4-GE3

SIA915DJ-T4-GE3

Дел Акција: 2966

Тип на FET: 2 P-Channel (Dual), ФЕТ Функција: Standard, Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 3.7A (Ta), 4.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 87 mOhm @ 2.9A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA,

Листа на желби.
SIZ322DT-T1-GE3

SIZ322DT-T1-GE3

Дел Акција: 266

Тип на FET: 2 N-Channel (Dual), ФЕТ Функција: Standard, Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 25V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.35 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA,

Листа на желби.
SI5944DU-T1-GE3

SI5944DU-T1-GE3

Дел Акција: 2992

Тип на FET: 2 N-Channel (Dual), ФЕТ Функција: Logic Level Gate, Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 40V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 6A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112 mOhm @ 3.3A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Листа на желби.
SI7997DP-T1-GE3

SI7997DP-T1-GE3

Дел Акција: 69522

Тип на FET: 2 P-Channel (Dual), ФЕТ Функција: Standard, Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 60A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA,

Листа на желби.
SI4818DY-T1-E3

SI4818DY-T1-E3

Дел Акција: 2959

Тип на FET: 2 N-Channel (Dual), ФЕТ Функција: Logic Level Gate, Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 5.3A, 7A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 6.3A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA (Min),

Листа на желби.
SQ4937EY-T1_GE3

SQ4937EY-T1_GE3

Дел Акција: 10827

Тип на FET: 2 P-Channel (Dual), ФЕТ Функција: Standard, Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 3.9A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

Листа на желби.
SI4931DY-T1-E3

SI4931DY-T1-E3

Дел Акција: 180805

Тип на FET: 2 P-Channel (Dual), ФЕТ Функција: Logic Level Gate, Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 12V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 6.7A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 8.9A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 350µA,

Листа на желби.
SI7964DP-T1-E3

SI7964DP-T1-E3

Дел Акција: 3339

Тип на FET: 2 N-Channel (Dual), ФЕТ Функција: Standard, Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 60V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 6.1A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 9.6A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA,

Листа на желби.
SI7220DN-T1-GE3

SI7220DN-T1-GE3

Дел Акција: 86597

Тип на FET: 2 N-Channel (Dual), ФЕТ Функција: Logic Level Gate, Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 60V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 3.4A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 4.8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Листа на желби.
SI7905DN-T1-GE3

SI7905DN-T1-GE3

Дел Акција: 73616

Тип на FET: 2 P-Channel (Dual), ФЕТ Функција: Standard, Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 40V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 6A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Листа на желби.
SQJ912AEP-T1_GE3

SQJ912AEP-T1_GE3

Дел Акција: 141553

Тип на FET: 2 N-Channel (Dual), ФЕТ Функција: Standard, Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 40V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 30A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3 mOhm @ 9.7A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

Листа на желби.
SI3585CDV-T1-GE3

SI3585CDV-T1-GE3

Дел Акција: 112724

Тип на FET: N and P-Channel, ФЕТ Функција: Logic Level Gate, Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 20V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 3.9A, 2.1A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58 mOhm @ 2.5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

Листа на желби.
SI4830CDY-T1-E3

SI4830CDY-T1-E3

Дел Акција: 135865

Тип на FET: 2 N-Channel (Half Bridge), ФЕТ Функција: Logic Level Gate, Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 8A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA,

Листа на желби.
SI5935DC-T1-E3

SI5935DC-T1-E3

Дел Акција: 3338

Тип на FET: 2 P-Channel (Dual), ФЕТ Функција: Logic Level Gate, Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 20V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 86 mOhm @ 3A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Листа на желби.
SI6969BDQ-T1-GE3

SI6969BDQ-T1-GE3

Дел Акција: 2845

Тип на FET: 2 P-Channel (Dual), ФЕТ Функција: Logic Level Gate, Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 12V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 4A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 4.6A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA,

Листа на желби.
SI3585DV-T1-E3

SI3585DV-T1-E3

Дел Акција: 2733

Тип на FET: N and P-Channel, ФЕТ Функција: Logic Level Gate, Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 20V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 2A, 1.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125 mOhm @ 2.4A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA (Min),

Листа на желби.
SI4916DY-T1-E3

SI4916DY-T1-E3

Дел Акција: 159074

Тип на FET: 2 N-Channel (Half Bridge), ФЕТ Функција: Logic Level Gate, Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 10A, 10.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Листа на желби.
SI7872DP-T1-E3

SI7872DP-T1-E3

Дел Акција: 71511

Тип на FET: 2 N-Channel (Half Bridge), ФЕТ Функција: Logic Level Gate, Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 6.4A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Листа на желби.
SI6966DQ-T1-E3

SI6966DQ-T1-E3

Дел Акција: 2873

Тип на FET: 2 N-Channel (Dual), ФЕТ Функција: Logic Level Gate, Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 20V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 4A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 4.5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA,

Листа на желби.
SI4992EY-T1-E3

SI4992EY-T1-E3

Дел Акција: 2722

Тип на FET: 2 N-Channel (Dual), ФЕТ Функција: Logic Level Gate, Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 75V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 3.6A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48 mOhm @ 4.8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Листа на желби.
SI4967DY-T1-GE3

SI4967DY-T1-GE3

Дел Акција: 3379

Тип на FET: 2 P-Channel (Dual), ФЕТ Функција: Logic Level Gate, Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 12V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 7.5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min),

Листа на желби.
SI1972DH-T1-E3

SI1972DH-T1-E3

Дел Акција: 2739

Тип на FET: 2 N-Channel (Dual), ФЕТ Функција: Standard, Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 1.3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225 mOhm @ 1.3A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA,

Листа на желби.