Menu
МакедонскиМакедонски
Rfqs / цел
0Rfqs / цел

Diodes - Rectifiers - Single

  • Дома
  •  
  • Diodes - Rectifiers - Single
S1AFG-M3/6A
Vishay Semiconductor Diodes Division

S1AFG-M3/6A

Дел Акција: 112349

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 1A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 1.47µs,

Листа на желби.
VSSAF3M10-M3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

VSSAF3M10-M3/H

Дел Акција: 100

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Тековна - Просечна исправена (Io): 3A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 720mV @ 3A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
SS10P6HM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS10P6HM3_A/I

Дел Акција: 182602

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 60V, Тековна - Просечна исправена (Io): 7A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 670mV @ 7A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
S1AFK-M3/6A
Vishay Semiconductor Diodes Division

S1AFK-M3/6A

Дел Акција: 171353

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 800V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 1A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 1.47µs,

Листа на желби.
SS10PH45HM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS10PH45HM3_A/I

Дел Акција: 141131

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 45V, Тековна - Просечна исправена (Io): 10A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 720mV @ 10A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
V15P6HM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

V15P6HM3_A/I

Дел Акција: 92

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 60V, Тековна - Просечна исправена (Io): 15A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 620mV @ 15A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
V8P8-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division

V8P8-M3/86A

Дел Акција: 188033

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 80V, Тековна - Просечна исправена (Io): 4A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 660mV @ 8A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
V8P15-M3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

V8P15-M3/H

Дел Акција: 163

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 150V, Тековна - Просечна исправена (Io): 8A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.08V @ 8A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
VS-6ESH01-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-6ESH01-M3/86A

Дел Акција: 177394

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Тековна - Просечна исправена (Io): 6A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 940mV @ 6A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 22ns,

Листа на желби.
VT5202-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VT5202-M3/4W

Дел Акција: 92742

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 880mV @ 5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
SE30PAGHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

SE30PAGHM3/I

Дел Акција: 178133

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Тековна - Просечна исправена (Io): 3A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.16V @ 3A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 1.3µs,

Листа на желби.
V15P8HM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

V15P8HM3_A/H

Дел Акција: 164

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 80V, Тековна - Просечна исправена (Io): 15A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 660mV @ 15A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
S4PKHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

S4PKHM3_A/I

Дел Акција: 101974

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 800V, Тековна - Просечна исправена (Io): 4A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 4A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 2.5µs,

Листа на желби.
SB2H100-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

SB2H100-E3/54

Дел Акција: 180596

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Тековна - Просечна исправена (Io): 2A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 790mV @ 2A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
V12P15-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

V12P15-M3/I

Дел Акција: 124

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 150V, Тековна - Просечна исправена (Io): 12A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.08V @ 12A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
SS5P9HM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS5P9HM3_A/I

Дел Акција: 128

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 90V, Тековна - Просечна исправена (Io): 5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 880mV @ 5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
V8P8HM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

V8P8HM3_A/H

Дел Акција: 171

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 80V, Тековна - Просечна исправена (Io): 8A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 660mV @ 8A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
SS10P3HM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS10P3HM3_A/I

Дел Акција: 157059

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 30V, Тековна - Просечна исправена (Io): 10A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 560mV @ 10A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
V8PAL45-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

V8PAL45-M3/I

Дел Акција: 128585

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 45V, Тековна - Просечна исправена (Io): 4A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 570mV @ 8A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
SS3P6LHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS3P6LHM3_A/H

Дел Акција: 163508

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 60V, Тековна - Просечна исправена (Io): 3A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 600mV @ 3A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
V12P8-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

V12P8-M3/87A

Дел Акција: 199224

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 80V, Тековна - Просечна исправена (Io): 4.3A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 660mV @ 12A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
V15P12HM3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

V15P12HM3/H

Дел Акција: 107

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 120V, Тековна - Просечна исправена (Io): 15A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 810mV @ 15A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
V12P15HM3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

V12P15HM3/H

Дел Акција: 128

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 150V, Тековна - Просечна исправена (Io): 12A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.08V @ 12A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
VSSAF510HM3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

VSSAF510HM3/H

Дел Акција: 142

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Тековна - Просечна исправена (Io): 5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 750mV @ 5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
VS-2EJH02-M3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-2EJH02-M3/6B

Дел Акција: 116384

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 2A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 930mV @ 2A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 25ns,

Листа на желби.
VSSAF5M12-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

VSSAF5M12-M3/I

Дел Акција: 68

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 120V, Тековна - Просечна исправена (Io): 5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 890mV @ 5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
VS-2EJH01HM3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-2EJH01HM3/6B

Дел Акција: 103724

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Тековна - Просечна исправена (Io): 2A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 930mV @ 2A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 25ns,

Листа на желби.
VS-400UR160D
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-400UR160D

Дел Акција: 1361

Тип на диода: Standard, Reverse Polarity, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 400A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.62V @ 1500A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
VS-SD400N20PC
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-SD400N20PC

Дел Акција: 741

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 2000V, Тековна - Просечна исправена (Io): 400A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.62V @ 1500A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
VSSAF510-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

VSSAF510-M3/I

Дел Акција: 114

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Тековна - Просечна исправена (Io): 5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 750mV @ 5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
SS1FN6-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS1FN6-M3/I

Дел Акција: 103

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 60V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 530mV @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
V10PM12-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division

V10PM12-M3/86A

Дел Акција: 160229

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 120V, Тековна - Просечна исправена (Io): 3.9A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 830mV @ 10A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
V8PAN50-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

V8PAN50-M3/I

Дел Акција: 188473

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 50V, Тековна - Просечна исправена (Io): 3.7A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 420mV @ 4A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
VSSAF5L45-M3/6A
Vishay Semiconductor Diodes Division

VSSAF5L45-M3/6A

Дел Акција: 99042

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 45V, Тековна - Просечна исправена (Io): 3A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 560mV @ 5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
SE30PAG-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

SE30PAG-M3/I

Дел Акција: 119037

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Тековна - Просечна исправена (Io): 3A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.16V @ 3A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 1.3µs,

Листа на желби.
VSSAF512-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

VSSAF512-M3/I

Дел Акција: 67

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 120V, Тековна - Просечна исправена (Io): 5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 880mV @ 5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.