Transistors - IGBTs - Modules

Дома
Transistors - IGBTs - Modules

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-GP250SA60S

Дел Акција: 2995

Тип на IGBT: PT, Trench, Конфигурација: Single, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 600V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 380A, Моќност - Макс: 893W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 1.3V @ 15V, 100A,

Листа на желби.

VS-CPV364M4FPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-CPV364M4FPBF

Дел Акција: 1364

Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 600V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 27A, Моќност - Макс: 63W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 1.5V @ 15V, 15A,

Листа на желби.

VS-GT105NA120UX

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-GT105NA120UX

Дел Акција: 640

Тип на IGBT: Trench, Конфигурација: Single, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 1200V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 134A, Моќност - Макс: 463W,

Листа на желби.

VS-CPV364M4KPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-CPV364M4KPBF

Дел Акција: 1291

Конфигурација: Three Phase Inverter, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 600V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 24A, Моќност - Макс: 63W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 24A,

Листа на желби.

VS-GB100TS60NPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-GB100TS60NPBF

Дел Акција: 846

Тип на IGBT: NPT, Конфигурација: Half Bridge, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 600V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 108A, Моќност - Макс: 390W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 2.85V @ 15V, 100A,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-GA200HS60S1

Дел Акција: 633

Конфигурација: Half Bridge, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 600V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 480A, Моќност - Макс: 830W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 1.21V @ 15V, 200A,

Листа на желби.

VS-GA200HS60S1PBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-GA200HS60S1PBF

Дел Акција: 552

Конфигурација: Half Bridge, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 600V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 480A, Моќност - Макс: 830W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 1.21V @ 15V, 200A,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-GB75YF120UT

Дел Акција: 258

Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 1200V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100A, Моќност - Макс: 480W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 4.5V @ 15V, 100A,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-GT80DA120U

Дел Акција: 976

Тип на IGBT: Trench, Конфигурација: Single, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 1200V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 139A, Моќност - Макс: 658W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 2.55V @ 15V, 80A,

Листа на желби.

VS-CPV363M4UPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-CPV363M4UPBF

Дел Акција: 1555

Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 600V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 13A, Моќност - Макс: 36W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 6.8A,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-GB50YF120N

Дел Акција: 620

Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 1200V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 66A, Моќност - Макс: 330W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 4.5V @ 15V, 75A,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-GT180DA120U

Дел Акција: 758

Тип на IGBT: Trench Field Stop, Конфигурација: Single, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 1200V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 281A, Моќност - Макс: 1087W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 100A,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-GB70LA60UF

Дел Акција: 3088

Тип на IGBT: NPT, Конфигурација: Single, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 600V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 111A, Моќност - Макс: 447W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 2.44V @ 15V, 70A,

Листа на желби.

VS-GT105LA120UX

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-GT105LA120UX

Дел Акција: 632

Тип на IGBT: NPT, Конфигурација: Single, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 1200V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 134A, Моќност - Макс: 463W,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

CPV363M4F

Дел Акција: 427

Конфигурација: Three Phase Inverter, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 600V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 16A, Моќност - Макс: 36W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 1.63V @ 15V, 16A,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-GT400TH120N

Дел Акција: 640

Тип на IGBT: Trench, Конфигурација: Half Bridge, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 1200V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 600A, Моќност - Макс: 2119W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 400A,

Листа на желби.

VS-50MT060WHTAPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-50MT060WHTAPBF

Дел Акција: 1286

Конфигурација: Half Bridge, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 600V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 114A, Моќност - Макс: 658W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 100A,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-GA100TS60SF

Дел Акција: 662

Тип на IGBT: PT, Конфигурација: Half Bridge, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 600V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 220A, Моќност - Макс: 780W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 1.28V @ 15V, 100A,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-GB50LA120UX

Дел Акција: 3064

Тип на IGBT: NPT, Конфигурација: Single, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 1200V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 84A, Моќност - Макс: 431W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 50A,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-GB50NA120UX

Дел Акција: 3036

Тип на IGBT: NPT, Конфигурација: Single, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 1200V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 84A, Моќност - Макс: 431W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 50A,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-GB75LP120N

Дел Акција: 618

Конфигурација: Single, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 1200V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 170A, Моќност - Макс: 658W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 1.82V @ 15V, 75A (Typ),

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-GB75YF120N

Дел Акција: 322

Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 1200V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100A, Моќност - Макс: 480W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 4.5V @ 15V, 100A,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

GA400TD25S

Дел Акција: 369

Конфигурација: Half Bridge, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 250V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 400A, Моќност - Макс: 1350W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 400A,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-GB75DA120UP

Дел Акција: 581

Тип на IGBT: NPT, Конфигурација: Single, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 1200V, Моќност - Макс: 658W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 3.8V @ 15V, 75A,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-GT75NP120N

Дел Акција: 647

Конфигурација: Single, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 1200V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 150A, Моќност - Макс: 446W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 2.08V @ 15V, 75A (Typ),

Листа на желби.

VS-CPV362M4UPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-CPV362M4UPBF

Дел Акција: 1833

Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 600V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 7.2A, Моќност - Макс: 23W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 3.9A,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

GA200SA60S

Дел Акција: 444

Конфигурација: Single, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 600V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 200A, Моќност - Макс: 630W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 1.3V @ 15V, 100A,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

GA200SA60U

Дел Акција: 371

Конфигурација: Single, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 600V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 200A, Моќност - Макс: 500W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-GT100DA60U

Дел Акција: 5378

Тип на IGBT: Trench, Конфигурација: Single, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 600V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 184A, Моќност - Макс: 577W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 100A,

Листа на желби.

137

«
1
2
3
4
»